技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體設(shè)備，腔室的側(cè)壁內(nèi)覆蓋有環(huán)形內(nèi)襯，腔室下方設(shè)置有下電極，下電極包括卡盤和與卡盤連接的升降部，卡盤用于承載基片，升降部用于驅(qū)動(dòng)卡盤升降，工藝時(shí)，升降部驅(qū)動(dòng)卡盤上升到高位，使得基片被內(nèi)襯環(huán)繞包圍；腔室還包括屏蔽部，工藝時(shí)，屏蔽部將腔室分為隔離的上腔室和下腔室，卡盤位于上腔室內(nèi)，升降部位于下腔室內(nèi)；工藝結(jié)束后，升降部驅(qū)動(dòng)卡盤下降到低位，上腔室和下腔室連通。本發(fā)明中的反應(yīng)腔室內(nèi)工藝時(shí)，基片被內(nèi)襯環(huán)繞包圍，基片周圍的腔室環(huán)境對(duì)稱，從而提高了基片表面工藝條件的一致性，例如等離子體的均勻分布，進(jìn)而改善刻蝕結(jié)果的均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：王偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.13
技術(shù)公布日：2017.07.21