本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體設(shè)備。

背景技術(shù)：

led刻蝕機是led光源生產(chǎn)過程中所需要的非常重要的設(shè)備，gan基外延層或藍(lán)寶石襯底是刻蝕的主要對象，刻蝕的效果直接關(guān)系到光源芯片的質(zhì)量高低，進而影響光源的質(zhì)量。同ic領(lǐng)域一樣，led刻蝕機的組成包括傳輸和工藝兩個模塊，二者共同影響著刻蝕的效率或者說設(shè)備的產(chǎn)能，而刻蝕結(jié)果主要是工藝模塊決定的，工藝腔室的設(shè)計直接影響基片的刻蝕效果。

如圖1所示，現(xiàn)有的一種led刻蝕機反應(yīng)室里包括：腔室本體1、內(nèi)襯2、內(nèi)門4、內(nèi)門支撐桿5、卡盤7。腔室本體1設(shè)置有傳片口3、工藝氣體入口8、工藝氣體出口9，為了方便腔室維護及保護腔室不被刻蝕，腔室本體1內(nèi)表面設(shè)計有內(nèi)襯2?；?放于卡盤7上，為了保證工藝時基片6表面氣流的均勻性，內(nèi)襯2底面低于基片6表面，同時為了實現(xiàn)機械手傳片，內(nèi)襯2靠近傳輸腔一側(cè)設(shè)計有傳片口3，為了使得工藝時等離子體在腔室本體1內(nèi)分布盡可能對稱，在內(nèi)襯2的外側(cè)設(shè)計有內(nèi)門4，內(nèi)門4的下方設(shè)置有內(nèi)門支撐桿5，傳片時內(nèi)門4下降，工藝時內(nèi)門4升起與內(nèi)襯2構(gòu)成整圓，工藝氣體出口9設(shè)置于內(nèi)襯2外，內(nèi)襯2底面設(shè)置有氣孔10，等離子體由工藝氣體入口8進入對基片6進行刻蝕，再由氣孔10到達(dá)工藝氣體出口9?？紤]到腔室本體1、內(nèi)襯2、內(nèi)門4的加工誤差及裝配誤差，內(nèi)門4與內(nèi)襯2之間不可避免會存在間隙，大概在1～3mm，此間隙造成了環(huán)繞基片6的腔室環(huán)境不對稱，從而導(dǎo)致工藝過程中基片6表面的工藝條件不一致，例如 等離子體的分布不均，進而影響刻蝕結(jié)果的均勻性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體設(shè)備，該反應(yīng)腔室工藝時，基片被內(nèi)襯環(huán)繞包圍，基片周圍的腔室環(huán)境對稱，從而提高了基片表面工藝條件的一致性，例如等離子體的均勻分布，進而改善刻蝕結(jié)果的均勻性。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種反應(yīng)腔室，所述腔室的側(cè)壁內(nèi)覆蓋有環(huán)形內(nèi)襯，所述腔室下方設(shè)置有下電極，所述下電極包括卡盤和與所述卡盤連接的升降部，所述卡盤用于承載基片，所述升降部用于驅(qū)動所述卡盤升降，工藝時，所述升降部驅(qū)動所述卡盤上升到高位，使得所述基片被所述內(nèi)襯環(huán)繞包圍；

所述腔室還包括屏蔽部，工藝時，所述屏蔽部將所述腔室分為隔離的上腔室和下腔室，所述卡盤位于所述上腔室內(nèi)，所述升降部位于所述下腔室內(nèi)；

工藝結(jié)束后，所述升降部驅(qū)動所述卡盤下降到低位，所述上腔室和下腔室連通。

優(yōu)選的是，所述屏蔽部包括設(shè)置在所述腔室底部的凸臺，設(shè)置在所述凸臺上的第一屏蔽件，和設(shè)置在所述卡盤上的第二屏蔽件；

工藝時，所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件連接，所述上腔室與所述下腔室隔離；

工藝結(jié)束后，所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件分離，所述上腔室與所述下腔室連通。

優(yōu)選的是，所述第二屏蔽件包括第一壁和第二壁，所述第一壁的一端與所述卡盤連接，所述第一壁的另外一端與所述第二壁連接，工藝時，所述第二壁與所述第一屏蔽件連接且相適配。

優(yōu)選的是，所述屏蔽部還包括密封圈，所述密封圈設(shè)置于所 述第一屏蔽件或所述第二屏蔽件上，

工藝時，所述密封圈位于所述第一屏蔽件與所述第二屏蔽件的連接處，對所述連接處進行密封。

優(yōu)選的是，所述上腔室內(nèi)設(shè)置有工藝氣體入口和工藝氣體出口，工藝時，所述工藝氣體僅在所述上腔室內(nèi)流通。

優(yōu)選的是，所述上腔室還設(shè)置有傳片口，所述傳片口用于從所述卡盤上取放所述基片。

優(yōu)選的是，所述下腔室內(nèi)設(shè)置有吹掃氣體入口，工藝結(jié)束后，所述吹掃氣體入口用于向所述下腔室通入吹掃氣體，以防止所述上腔室內(nèi)殘余的工藝氣體進入所述下腔室。

優(yōu)選的是，所述升降部為可伸縮波紋管。

優(yōu)選的是，所述卡盤為靜電卡盤。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室為上述的反應(yīng)腔室。

本發(fā)明中的反應(yīng)腔室內(nèi)工藝時，基片被內(nèi)襯環(huán)繞包圍，基片周圍的腔室環(huán)境對稱，從而提高了基片表面工藝條件的一致性，例如等離子體的均勻分布，進而改善刻蝕結(jié)果的均勻性。

附圖說明

圖1是背景技術(shù)中的led刻蝕機反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例1中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例1中的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例1中的反應(yīng)腔室的局部結(jié)構(gòu)放大示意圖。

圖中：1-腔室；2-內(nèi)襯；3-傳片口；4-內(nèi)門；5-內(nèi)門支撐桿；6-基片；7-卡盤；8-工藝氣體入口；9-工藝氣體出口；10-氣孔；11-下電極；12-升降部；13-屏蔽部；14-上腔室；15-下腔室；16-支撐面；17-凸臺；18-第一屏蔽件；19-第二屏蔽件；20-第一壁；21-第二壁；22-密封圈；23-吹掃氣體入口。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細(xì)描述。

實施例1

如圖2～4所示，本實施例提供一種反應(yīng)腔室，所述腔室1的側(cè)壁內(nèi)覆蓋有環(huán)形內(nèi)襯2，所述腔室1下方設(shè)置有下電極11，所述下電極11包括卡盤7和與所述卡盤7連接的升降部12，所述卡盤7用于承載基片6，所述升降部12用于驅(qū)動所述卡盤7升降，工藝時，所述升降部12驅(qū)動所述卡盤7上升到高位，使得所述基片6被所述內(nèi)襯2環(huán)繞包圍；

所述腔室1還包括屏蔽部13，工藝時，所述屏蔽部13將所述腔室1分為隔離的上腔室14和下腔室15，所述卡盤7位于所述上腔室14內(nèi)，所述升降部12位于所述下腔室15內(nèi)；

工藝結(jié)束后，所述升降部12驅(qū)動所述卡盤7下降到低位，所述上腔室14和下腔室15連通。

本實施例中的反應(yīng)腔室1內(nèi)工藝時，基片6被內(nèi)襯2環(huán)繞包圍，基片6周圍的腔室1環(huán)境對稱，從而提高了基片6表面工藝條件的一致性，例如等離子體的均勻分布，進而改善刻蝕結(jié)果的均勻性。且通過內(nèi)襯2還可以防止工藝反應(yīng)對于腔室1的腐蝕。

本實施例中的反應(yīng)腔室內(nèi)，如圖2所示，工藝時，屏蔽部13將腔室1分為隔離的上腔室14和下腔室15，使得上腔室14內(nèi)的卡盤7和下腔室15內(nèi)的升降部12隔離，從而避免了上腔室14內(nèi)的工藝反應(yīng)對于下腔室15內(nèi)的升降部12的腐蝕，并進一步提高了上腔室14內(nèi)的工藝反應(yīng)的均勻性；如圖3所示，工藝結(jié)束后，上腔室14和下腔室15連通便于共同維護。

具體的，當(dāng)反應(yīng)腔室為等離子體反應(yīng)腔室時，工藝時，等離子體反應(yīng)在卡盤7所在的上腔室14內(nèi)進行反應(yīng)，屏蔽部13將上腔室14和下腔室15分隔開，等離子體或等離子體反應(yīng)物均無法進入下腔室15，這樣就徹底保護了下腔室15內(nèi)的升降部12；工藝結(jié)束后，上腔室14和下腔室15連通，便于同時除去上腔室14 內(nèi)的等離子體或等離子體反應(yīng)物以及可能進入到下腔室15內(nèi)的等離子體或等離子體反應(yīng)物。

優(yōu)選的是，所述屏蔽部13包括設(shè)置在所述腔室1底部的凸臺17，設(shè)置在所述凸臺17上的第一屏蔽件18，和設(shè)置在所述卡盤7上的第二屏蔽件19；

如圖2所示，工藝時，所述下電極11上升到高位，所述第一屏蔽件18與所述第二屏蔽件19連接，所述上腔室14與所述下腔室15隔離；

如圖3所示，工藝結(jié)束后，所述下電極11下降到低位，所述第一屏蔽件18與所述第二屏蔽件19分離，所述上腔室14與所述下腔室15連通。

所述第一屏蔽件18與第二屏蔽件19連接，可以起到防塵的作用，防止上腔室14內(nèi)產(chǎn)生的物質(zhì)對于下腔室15的污染。具體的，第一屏蔽件18與凸臺17通過螺釘連接，凸臺17的材料與腔室1的材料一致，均為硬質(zhì)陽極氧化鋁。

優(yōu)選的是，所述第二屏蔽件19包括第一壁20和第二壁21，所述第一壁20的一端與所述卡盤7連接，所述第一壁20的另外一端與所述第二壁21連接，如圖2所示，工藝時，所述下電極11上升到高位，所述第二壁21與所述第一屏蔽件18連接且相適配。具體的，第一壁20與卡盤7通過螺釘裝配連接，第一壁20與第二壁21為一體化。更優(yōu)選的是，卡盤7水平放置，第一壁20與卡盤7互相垂直，第二壁21與第一壁20互相垂直，第一屏蔽件18在凸臺17上水平放置，這樣第一屏蔽件18就與第二壁21相平行，下電極11從低位升到高位的過程中，當(dāng)?shù)谝黄帘渭?8與第二壁21接觸，由于兩者為面面接觸，所以升降部12繼續(xù)升高，可以使得第一屏蔽件18與第二壁21面面接觸的更加緊密。

如圖2、4所示，優(yōu)選的是，所述屏蔽部13還包括密封圈22，所述密封圈22設(shè)置于所述第一屏蔽件18或所述第二屏蔽件19上，

工藝時，所述下電極11上升到高位，所述密封圈22位于所述第一屏蔽件18與所述第二屏蔽件19的連接處，對所述連接處 進行密封。

優(yōu)選的是，所述上腔室14內(nèi)設(shè)置有工藝氣體入口8和工藝氣體出口9，工藝時，所述下電極11上升到高位，所述工藝氣體僅在所述上腔室14內(nèi)流通。

優(yōu)選的是，所述上腔室14還設(shè)置有傳片口3，所述傳片口3用于從所述卡盤7上取放所述基片6。

優(yōu)選的是，所述下腔室15內(nèi)設(shè)置有吹掃氣體入口23，工藝結(jié)束后，所述下電極11下降到低位，所述吹掃氣體入口23用于向所述下腔室15通入吹掃氣體，令上腔室14的壓力小于下腔室15，以防止上腔室14內(nèi)殘余的工藝氣體進入下腔室15，同時也可對上腔室14內(nèi)殘余的工藝氣體進行吹掃，以便共同維護上腔室14和下腔室15。

優(yōu)選的是，所述升降部12為可伸縮波紋管。本實施例中的反應(yīng)腔室具體的為等離子體反應(yīng)腔室，該等離子體的反應(yīng)腔室，可以避免工藝時上腔室14內(nèi)的等離子體對于下腔室15內(nèi)的可伸縮波紋管的長期腐蝕，且解決了可伸縮波紋管不易清洗維護的問題。

優(yōu)選的是，所述卡盤7為靜電卡盤7。

如圖3所示，做工藝前，可升降的下電極11處于下位，機械手將基片6傳到卡盤7上，然后機械手撤出，下電極11上升，如圖2所示，升到上位時卡盤7伸在環(huán)形內(nèi)襯2里，這樣保證了基片6周圍腔室環(huán)境和和工藝條件的一致性，從而提高等離子體的均勻性；工藝完成后，下電極11下降，機械手傳入，取出完成工藝的基片6。具體的，本實施例中的反應(yīng)腔室還設(shè)置有取送基片6的傳片口3，基片6放置于卡盤7的支撐面16上，這樣傳片口3、工藝氣體入口8和工藝氣體出口9均位于上腔室14內(nèi)，這樣屏蔽部13更容易將上腔室14和下腔室15分隔，提高了工藝時基片6表面的氣流均勻，進而提高了基片6表面反應(yīng)的均勻性。

如圖2所示，工藝過程中，下電極11處于上位，第二屏蔽件19和第一屏蔽件18接觸，兩者之間的密封圈22起到防止工藝中的等離子體灌入到下腔室15的作用。如圖3所示，工藝結(jié)束后下 電極11降到下位，通過下腔室15上的吹掃氣體入口23通入氮氣或者其他惰性氣體，從而使得下腔室15始終通有一定壓力(比如90mtorr)的吹掃氣體，此時上腔室14的壓力小于下腔室15，工藝時殘余的等離子體很難進入到下腔室15中，同時也可對上腔室14內(nèi)殘余的等離子體進行吹掃，以便共同維護上腔室14和下腔室15。此外，第二屏蔽件19與第一屏蔽件18、凸臺17、下腔室15的底壁之間的間隙要保證足夠的量，以便吹掃氣體的氣流暢通，優(yōu)選為5～10mm。

實施例2

本實施例還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室為實施例1中所述的反應(yīng)腔室。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。