技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種NAND存儲(chǔ)器的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成若干分立的柵堆疊結(jié)構(gòu)，相鄰柵堆疊結(jié)構(gòu)之間具有凹槽，柵堆疊結(jié)構(gòu)包括位于半導(dǎo)體襯底上的選擇柵和位于選擇柵上的控制柵，選擇柵和控制柵之間通過柵間介質(zhì)層隔離，柵堆疊結(jié)構(gòu)的頂部表面上形成有硬掩膜層，硬掩膜層的寬度等于柵堆疊結(jié)構(gòu)的寬度；以硬掩膜層為掩膜，回刻蝕去除部分寬度的選擇柵和控制柵，使得相鄰選擇柵之間的間距以及相鄰控制柵之間的間距大于相鄰硬掩膜層之間的間距；回刻蝕工藝后，進(jìn)行沉積工藝，形成填充滿凹槽的介質(zhì)層，相鄰選擇柵之間的介質(zhì)層中以及相鄰控制柵之間的介質(zhì)層中形成有空氣隙。本發(fā)明方法形成的NAND存儲(chǔ)器防止產(chǎn)生器件對(duì)器件的干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：禹國賓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.04
技術(shù)公布日：2017.07.11