技術(shù)編號(hào):12820608
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域,特別涉及一種NAND存儲(chǔ)器的形成方法。背景技術(shù)近年來(lái),閃存(flashmemory)存儲(chǔ)器的發(fā)展尤為迅速。閃存存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息,且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn),因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高閃存存儲(chǔ)器的位密度(bitdensity),同時(shí)減少位成本(bitcost),提出了一種三維與非門(mén)(3DNAND)的閃存存儲(chǔ)器。請(qǐng)參考圖1和圖2,圖2為圖1中NAND存儲(chǔ)器沿切割線AB方向的結(jié)構(gòu)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。