1.一種開關(guān)元件，其中，具有：
半導(dǎo)體基板，具有表面和背面，在所述表面形成有溝槽；
底部絕緣層，配置于所述溝槽內(nèi)的底部；
柵極絕緣膜，覆蓋所述溝槽的比所述底部絕緣層靠所述表面?zhèn)鹊膫?cè)面；以及
柵極電極，配置于所述溝槽內(nèi)的比所述底部絕緣層靠所述表面?zhèn)鹊奈恢?，通過所述底部絕緣層和所述柵極絕緣膜而與所述半導(dǎo)體基板絕緣，
所述半導(dǎo)體基板具有：
第一n型區(qū)域，與所述柵極絕緣膜相接；
第一p型區(qū)域，在所述第一n型區(qū)域的所述背面?zhèn)扰c所述柵極絕緣膜相接；
第二p型區(qū)域，與所述底部絕緣層的所述背面?zhèn)鹊亩瞬肯嘟?；以?/p>
第二n型區(qū)域，配置于所述第一p型區(qū)域的所述背面?zhèn)?，通過所述第一p型區(qū)域而與所述第一n型區(qū)域分離，與所述柵極絕緣膜以及所述底部絕緣層相接，延伸到比所述第二p型區(qū)域靠所述背面?zhèn)鹊奈恢茫顾龅诙型區(qū)域與所述第一p型區(qū)域分離，
從所述第一p型區(qū)域的所述背面?zhèn)鹊亩瞬康剿龅诙型區(qū)域的所述表面?zhèn)鹊亩瞬繛橹沟木嚯xA與從所述底部絕緣層的所述背面?zhèn)鹊乃龆瞬康剿龅诙型區(qū)域的所述背面?zhèn)鹊亩瞬繛橹沟木嚯xB滿足A＜4B的關(guān)系，
從所述第二p型區(qū)域的所述表面?zhèn)鹊乃龆瞬康剿龅撞拷^緣層的所述背面?zhèn)鹊乃龆瞬繛橹沟木嚯xC比從所述第一p型區(qū)域的所述背面?zhèn)鹊乃龆瞬康剿鰱艠O電極的所述背面?zhèn)鹊亩瞬繛橹沟木嚯xD小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)元件，其中，
所述半導(dǎo)體基板由SiC系半導(dǎo)體構(gòu)成，
所述第二p型區(qū)域含有Al。