技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)區(qū)域和二極管(Free Wheeling Diode)區(qū)域的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

以往，例如，作為在逆變器等中使用的開關(guān)元件，提出了在共通的半導(dǎo)體襯底上形成有形成了IGBT元件的IGBT區(qū)域和形成了二極管元件的二極管區(qū)域的半導(dǎo)體裝置(例如，參照專利文獻1)。

具體而言，在該半導(dǎo)體裝置中，在構(gòu)成N^－型的漂移層的半導(dǎo)體襯底的表層部形成有基極層，以將基極層貫通的方式形成有多個溝槽。并且，在各溝槽中，以將壁面覆蓋的方式形成有柵極絕緣膜，并且在柵極絕緣膜上形成有柵極電極。

在半導(dǎo)體襯底的背面?zhèn)?，形成有P型的集電極層及N型的陰極層，在基極層中的位于集電極層上的部分形成有N型的發(fā)射極區(qū)域。此外，在半導(dǎo)體襯底的表面?zhèn)刃纬捎信c基極層及發(fā)射極區(qū)域電連接的上部電極，在半導(dǎo)體襯底的背面?zhèn)刃纬捎信c集電極層及陰極層電連接的下部電極。并且，在半導(dǎo)體襯底的背面?zhèn)?，形成有集電極層的區(qū)域作為IGBT區(qū)域，形成有陰極層的區(qū)域作為二極管區(qū)域。

另外，溝槽分別形成在IGBT區(qū)域及二極管區(qū)域。并且，形成在IGBT區(qū)域的柵極電極及形成在二極管區(qū)域的柵極電極被連接到共通的柵極焊盤，被施加共通的電壓。

在這樣的半導(dǎo)體裝置中，對于IGBT元件而言，如果對上部電極施加比下部電極低的電壓、并且對柵極電極施加開啟(turn on)電壓，則在基極層中的與溝槽相接的部分形成N型的反型層(溝道)。于是，電子從發(fā)射極區(qū)域經(jīng)由反型層被供給到漂移層，并且空穴從集電極層被供給到漂移層，通過電導(dǎo)率調(diào)制，漂移層的電阻值下降而成為導(dǎo)通(on)狀態(tài)。另外，所謂開啟電壓，是使柵極－發(fā)射極間的電壓Vge比MOS柵極的閾值電壓Vth高的電壓。

此外，對于二極管元件而言，如果對上部電極施加比下部電極高的電壓、上部電極與下部電極之間的電壓變得比正向電壓高，則成為導(dǎo)通狀態(tài)。此時，漂移層中的電子經(jīng)由基極層向上部電極移動，并且電子穿過基極層從而空穴被從基極層向漂移層注入。

但是，例如在使用多個上述半導(dǎo)體裝置構(gòu)成逆變器電路的情況下，在二極管元件為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下也有對柵極電極施加開啟電壓的情況。并且，如果在二極管元件為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下對柵極電極施加開啟電壓，則在基極層中的與溝槽相接的部分會形成N型的反型層。該情況下，在二極管區(qū)域中，漂移層內(nèi)的電子經(jīng)由反型層被抽取到上部電極，漂移層內(nèi)的電子不再在基極層內(nèi)通過。因此，空穴不再被從基極層向漂移層供給，二極管元件的導(dǎo)通損耗變大。

另外，為了解決這樣的問題，可以考慮在二極管區(qū)域中不形成溝槽。但是，在二極管區(qū)域中不形成溝槽的情況下，在IGBT區(qū)域中的形成在二極管區(qū)域側(cè)的溝槽附近發(fā)生電場集中，發(fā)生耐壓下降這樣的新問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2013－197122號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是，提供一種能夠降低二極管元件的導(dǎo)通損耗并且抑制耐壓下降的半導(dǎo)體裝置。

在本發(fā)明的技術(shù)方案中，半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體襯底，構(gòu)成第1導(dǎo)電型的漂移層；第2導(dǎo)電型的基極層，形成在上述漂移層上；第2導(dǎo)電型的集電極層及第1導(dǎo)電型的陰極層，形成在上述漂移層中的與上述基極層側(cè)相反的一側(cè)；多個溝槽，將上述基極層貫通而到達上述漂移層；柵極絕緣膜，形成于上述溝槽的壁面；柵極電極，形成于上述柵極絕緣膜上；第1導(dǎo)電型的發(fā)射極區(qū)域，形成于上述基極層的表層部，與上述溝槽相接；第1電極，與上述基極層及上述發(fā)射極區(qū)域電連接；以及第2電極，與上述集電極層及上述陰極層電連接。上述半導(dǎo)體襯底之中，作為IGBT元件進行動作的區(qū)域為IGBT區(qū)域，并且，作為二極管元件進行動作的區(qū)域為二極管區(qū)域。上述溝槽分別形成于上述IGBT區(qū)域及上述二極管區(qū)域。在上述二極管區(qū)域中配置的至少一部分的上述柵極電極能夠進行與在上述IGBT區(qū)域中配置的至少一部分的上述柵極電極不同的控制。在上述二極管區(qū)域中配置的至少一部分的上述柵極電極被施加不在上述基極層中形成將上述第1電極與上述漂移層之間相連的反型層的電壓。

根據(jù)上述半導(dǎo)體裝置，在基極層中的配置在二極管區(qū)域中的至少一部分柵極電極上，施加不形成將第1電極與漂移層之間相連的反型層的電壓。因此，在第1導(dǎo)電型是N型、第2導(dǎo)電型是P型的情況下，在二極管區(qū)域中，由于漂移層內(nèi)的電子經(jīng)由基極層向第1電極移動，所以空穴被從基極層向漂移層注入。因而，能夠降低二極管元件的導(dǎo)通損耗。此外，由于溝槽形成在IGBT區(qū)域及二極管區(qū)域，所以能夠抑制在IGBT區(qū)域中的形成在二極管區(qū)域側(cè)的溝槽附近發(fā)生電場集中而耐壓下降的情況。

附圖說明

關(guān)于本發(fā)明的上述目的及其他目的、特征及優(yōu)點，一邊參照附圖一邊通過下述的詳細記述會變得明確。

圖1是本發(fā)明的第1實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面示意圖。

圖2是沿著圖1中的II－II線的剖視圖。

圖3A是表示對第2柵極電極施加了開啟電壓時的第2柵極電極附近的狀態(tài)的圖。

圖3B是表示對第2柵極電極施加了低于開啟電壓的電壓時的第2柵極電極附近的狀態(tài)的圖。

圖4是本發(fā)明的第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面示意圖。

圖5是沿著圖4中的V－V線的剖視圖。

圖6是本發(fā)明的第3實施方式的半導(dǎo)體裝置的平面示意圖。

圖7是沿著圖6中的VII－VII線的剖視圖。

圖8是本發(fā)明的第3實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

具體實施方式

(第1實施方式)

對本發(fā)明的第1實施方式進行說明。另外，本實施方式的半導(dǎo)體裝置例如優(yōu)選作為在逆變器、DC/DC變換器等的電源電路中使用的功率開關(guān)元件加以利用。

如圖1所示，半導(dǎo)體裝置是交替地形成有形成了IGBT元件的IGBT區(qū)域1a及形成了二極管元件的二極管區(qū)域1b的結(jié)構(gòu)。

具體而言，這些IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b如圖2所示，形成于作為漂移層11發(fā)揮功能的N^－型的共通的半導(dǎo)體襯底10。另外，IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b在本實施方式中沿著半導(dǎo)體襯底10的一面10a的一方向(圖1中紙面上下方向)延伸設(shè)置，并且在與延伸設(shè)置方向正交的方向上交替地形成。

在漂移層11上(半導(dǎo)體襯底10的一面10a側(cè))，形成有P型的基極層12。并且，以將基極層12貫通而到達漂移層11的方式形成有多個溝槽13，基極層12被該溝槽13分離為多個。

另外，多個溝槽13分別形成在IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b。并且，沿著半導(dǎo)體襯底10的一面10a的面方向中的一方向(圖2中紙面進深方向)等間隔地形成。此外，半導(dǎo)體襯底10的一面10a由基極層12中的與漂移層11相反側(cè)的一面構(gòu)成。

在基極層12的表層部，形成有N⁺型的發(fā)射極區(qū)域14和被發(fā)射極區(qū)域14夾著的P⁺型的體(body)區(qū)域15。另外，在本實施方式中，發(fā)射極區(qū)域14及體區(qū)域15分別形成在IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b。

發(fā)射極區(qū)域14以比漂移層11高的雜質(zhì)濃度構(gòu)成，形成為：終止于基極層12內(nèi)并且與溝槽13的側(cè)面相接。另一方面，體區(qū)域15以比基極層12高的雜質(zhì)濃度構(gòu)成，與發(fā)射極區(qū)域14同樣地形成為終止于基極層12內(nèi)。

更詳細地講，發(fā)射極區(qū)域14在溝槽13間的區(qū)域中以沿著溝槽13的長度方向而與溝槽13的側(cè)面相接的方式以棒狀延伸設(shè)置，被做成在比溝槽13的頂端靠內(nèi)側(cè)終止的構(gòu)造。此外，體區(qū)域15被兩個發(fā)射極區(qū)域14夾著而沿著溝槽13的長度方向(即發(fā)射極區(qū)域14)以棒狀延伸設(shè)置。另外，本實施方式的體區(qū)域15以半導(dǎo)體襯底10的一面10a為基準(zhǔn)而形成得比發(fā)射極區(qū)域14深。

此外，各溝槽13內(nèi)被柵極絕緣膜16和柵極電極17a、17b填埋，柵極絕緣膜16將各溝槽13的壁面覆蓋而形成，柵極電極17a、17b由形成在該柵極絕緣膜16之上的多晶硅等構(gòu)成。由此，構(gòu)成溝槽柵構(gòu)造。

在本實施方式中，設(shè)形成于IGBT區(qū)域1a的柵極電極17a為第1柵極電極17a、設(shè)形成于二極管區(qū)域1b的柵極電極17b為第2柵極電極17b而進行說明。

在基極層12(半導(dǎo)體襯底10的一面10a)上形成有由BPSG等構(gòu)成的層間絕緣膜18。并且，在層間絕緣膜18，在IGBT區(qū)域1a中，形成有使發(fā)射極區(qū)域14的一部分及體區(qū)域15露出的接觸孔18a。此外，在二極管區(qū)域1b中，形成有使發(fā)射極區(qū)域14的一部分、體區(qū)域15、第2柵極電極17b露出的接觸孔18b。

在層間絕緣膜18上形成有上部電極19。該上部電極19在IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b中經(jīng)由接觸孔18a、18b而與發(fā)射極區(qū)域14及體區(qū)域15電連接。即，上部電極19在IGBT區(qū)域1a中作為發(fā)射極電極發(fā)揮功能，在二極管區(qū)域1b中作為陽極電極發(fā)揮功能。

此外，上部電極19在二極管區(qū)域1b中經(jīng)由接觸孔18b還與第2柵極電極17b連接。即，第2柵極電極17b被設(shè)為與發(fā)射極區(qū)域14相同的電位。即，對第2柵極電極17b施加?xùn)艠O－發(fā)射極間的電壓Vge不會比MOS柵極的閾值電壓Vth高的電壓(Vge＝0)。換言之，對第2柵極電極17b，施加比形成將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24(參照圖3A、圖3B)的電壓低的電壓(不形成反型層24的電壓)。

另外，所謂將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24，在形成有發(fā)射極區(qū)域14的情況下是指將發(fā)射極區(qū)域14與漂移層11相連的反型層24。此外，第1柵極電極17a經(jīng)由第1柵極通路2a而與第1柵極焊盤3a連接。即，第1、第2柵極電極17a、17b能夠進行相互不同的控制，被施加相互不同的電壓。并且，在本實施方式中，上部電極19相當(dāng)于本發(fā)明的第1電極。

在漂移層11中的與基極層12側(cè)相反的一側(cè)(半導(dǎo)體襯底10的另一面10b側(cè))，形成有N型的場截止(field stop)層(以下簡稱作FS層)20。該FS層20并不是必須的，但為了通過防止耗盡層的擴散而實現(xiàn)耐壓和穩(wěn)態(tài)損耗的性能提高、并且控制從半導(dǎo)體襯底10的另一面10b側(cè)注入的空穴的注入量而設(shè)置。

并且，在IGBT區(qū)域1a中，隔著FS層20而在與漂移層11相反的一側(cè)形成有P型的集電極層21，在二極管區(qū)域1b中，隔著FS層20而在與漂移層11相反的一側(cè)形成有N型的陰極層22。即，IGBT區(qū)域1a和二極管區(qū)域1b根據(jù)形成在半導(dǎo)體襯底10的另一面10b側(cè)的層是集電極層21還是陰極層22而被劃分。即，在本實施方式中，半導(dǎo)體襯底10中，集電極層21上的部分為IGBT區(qū)域1a，陰極層22上的部分為二極管區(qū)域1b。因此，第1柵極電極17a可以說是處于集電極層21上的柵極電極17a，第2柵極電極17b可以說是處于陰極層22上的柵極電極17b。

在集電極層21及陰極層22上(半導(dǎo)體襯底10的另一面10b)形成有下部電極23。該下部電極23在IGBT區(qū)域1a中作為集電極電極發(fā)揮功能，在二極管區(qū)域1b中作為陰極電極發(fā)揮功能。另外，在本實施方式中，下部電極23相當(dāng)于本發(fā)明的第2電極。

并且，通過如上述那樣構(gòu)成，在二極管區(qū)域1b中，構(gòu)成以基極層12及體區(qū)域15為陽極且以漂移層11、FS層20、陰極層22為陰極而形成PN結(jié)的二極管元件。

如以上說明那樣構(gòu)成本實施方式的半導(dǎo)體裝置。另外，在本實施方式中，N型、N^－型、N⁺型相當(dāng)于本發(fā)明的第1導(dǎo)電型，P型、P⁺型相當(dāng)于本發(fā)明的第2導(dǎo)電型。接著，對這樣的半導(dǎo)體裝置的動作進行說明。

首先，對IGBT元件的動作進行說明。IGBT元件中，若在上部電極19施加比下部電極23低的電壓、并且在第1柵極電極17a施加開啟電壓，則在基極層12中的與溝槽13相接的部分形成N型的反型層(溝道)。并且，電子從發(fā)射極區(qū)域14經(jīng)由反型層被向漂移層11供給，并且，空穴被從集電極層21向漂移層11供給，通過電導(dǎo)率調(diào)制而漂移層11的電阻值下降，成為導(dǎo)通狀態(tài)。另外，所謂開啟電壓，是使柵極－發(fā)射極間的電壓Vge比MOS柵極的閾值電壓Vth高的電壓。

接著，對二極管元件的動作進行說明。二極管元件中，若在上部電極19施加比下部電極23高的電壓、上部電極19與下部電極23之間的電壓比正向電壓高，則成為導(dǎo)通狀態(tài)。

此時，在以往的半導(dǎo)體裝置中，如圖3A所示，有在第2柵極電極17b上施加開啟電壓(Vge>Vth)的情況，在此情況下，在基極層12中的與溝槽13相接的部分形成N型的反型層(溝道)24。因此，在二極管區(qū)域1b中，漂移層11內(nèi)的電子經(jīng)由反型層24被向上部電極19抽取，漂移層11內(nèi)的電子不再在基極層12內(nèi)通過。因而，空穴不再被從基極層12供給到漂移層11，二極管元件的導(dǎo)通損耗變大。

相對于此，在本實施方式中，如圖3B所示，第2柵極電極17b被施加與第1柵極電極17a不同的電壓，與發(fā)射極區(qū)域14為同電位。即，柵極－發(fā)射極間的電壓為Vge＝0。因此，當(dāng)二極管元件是導(dǎo)通狀態(tài)時，配置在二極管區(qū)域1b內(nèi)的第2柵極電極17b不會被施加開啟電壓。即，在二極管區(qū)域1b不形成反型層24。因而，漂移層11內(nèi)的電子經(jīng)由基極層12向上部電極19移動，并且，電子穿過基極層12從而空穴被從基極層12向漂移層11注入，所以能夠降低二極管元件的導(dǎo)通損耗。另外，在圖3A及圖3B中，將體區(qū)域15省略表示。

如以上說明，在本實施方式的半導(dǎo)體裝置中，使第2柵極電極17b與發(fā)射極區(qū)域14為同電位。即，在第2柵極電極17b上，施加不形成將上部電極19與漂移層11相連的反型層24的電壓。因此，當(dāng)二極管元件是導(dǎo)通狀態(tài)時，漂移層11內(nèi)的電子經(jīng)由基極層12向上部電極19移動，所以能夠降低二極管元件的導(dǎo)通損耗。

此外，溝槽13分別形成在IGBT區(qū)域1a及二極管區(qū)域1b。因此，能夠抑制在IGBT區(qū)域1a中的形成在二極管區(qū)域1b側(cè)的溝槽13附近發(fā)生電場集中而耐壓下降的情況。

(第2實施方式)

對本發(fā)明的第2實施方式進行說明。本實施方式相對于第1實施方式而言，將第2柵極電極17b與第2柵極焊盤連接，關(guān)于其他，與第1實施方式是同樣的，所以這里省略說明。

在本實施方式中，如圖4及圖5所示，在半導(dǎo)體裝置中，具備第2柵極焊盤3b。并且，第2柵極電極17b經(jīng)由第2柵極通路2b而與第2柵極焊盤3b電連接。在本實施方式中，通過這樣，第1、第2柵極電極17a、17b能夠進行相互不同的控制。

另外，當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置時，在第2柵極電極17b上，施加不形成將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24的電壓。例如，在使用半導(dǎo)體裝置時，第2柵極焊盤3b與外部電路的地電位連接，從而第2柵極電極17b被維持為地電位(0V)。

這樣，具備第2柵極焊盤3b，通過將第1、第2柵極電極17a、17b連接到不同的柵極焊盤而使得能夠進行相互不同的控制，也能夠得到與上述第1實施方式同樣的效果。

此外，在這樣的半導(dǎo)體裝置中，不使第2柵極電極17b為與發(fā)射極區(qū)域14相同的電位。因此，在制造半導(dǎo)體裝置后(將半導(dǎo)體裝置出廠前)，在第2柵極電極17b上也能夠施加比保證電壓高的電壓，能夠通過對配置第2柵極電極17b的柵極絕緣膜16施加電位應(yīng)力而適當(dāng)?shù)剡M行該柵極絕緣膜16是否能得到希望的耐壓等的篩查(screening)檢查。

(第3實施方式)

對本發(fā)明的第3實施方式進行說明。本實施方式相對于第1實施方式而言，在IGBT區(qū)域1a具備偽柵極電極，關(guān)于其他，與第1實施方式是同樣的，所以這里省略說明。

在本實施方式中，如圖6及圖7所示，在半導(dǎo)體裝置中具備第3柵極焊盤3c。并且，第1柵極電極17a具有元件柵極電極25a和偽柵極電極25b，元件柵極電極25a經(jīng)由第1柵極通路2a而與第1柵極焊盤3a電連接，偽柵極電極25b經(jīng)由第3柵極通路2c而與第3柵極焊盤3c電連接。即，在形成在IGBT區(qū)域1a中的第1柵極電極17a中，也能夠通過元件柵極電極25a和偽柵極電極25b進行不同的控制。在本實施方式中，元件柵極電極25a和偽柵極電極25b在與半導(dǎo)體襯底10的一面10a平行且與溝槽13的長度方向正交的方向上交替地形成。

并且，當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置時，偽柵極電極25b被施加不形成將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24的電壓。在本實施方式中，在基極層12中的與配置偽柵極電極25b的溝槽13相接的部分施加不形成反型層24自身的電壓。例如，當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置時，通過將第3柵極焊盤3c與外部電路的地電位連接，從而偽柵極電極25b被維持為地電位(0V)。即，本實施方式的半導(dǎo)體裝置為所謂的間隔剔除(間引き)型的半導(dǎo)體裝置。

由此，由于在IGBT區(qū)域1a形成有偽柵極電極25b，所以能夠降低反饋電容(柵極－集電極間的電容)，能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)速度的提高。此外，通過使第1柵極電極17a的一部分為偽柵極電極25b，與為了降低反饋電容而單純地減少第1柵極電極17a的數(shù)量的情況相比，能夠抑制發(fā)生電場集中而耐壓下降的情況。

進而，在上述半導(dǎo)體裝置中，偽柵極電極25b與第3柵極焊盤3c連接，被施加獨立的電壓。因此，與上述第2實施方式同樣，在制造半導(dǎo)體裝置后(將半導(dǎo)體裝置出廠前)，能夠?qū)螙艠O電極25b也施加比保證電壓高的電壓，能夠適當(dāng)?shù)剡M行配置偽柵極電極25b的柵極絕緣膜16的篩查檢查。

(第3實施方式的變形例)

在上述第3實施方式中，對將偽柵極電極25b與第3柵極焊盤3c電連接的例子進行了說明，但如圖8所示，也可以將偽柵極電極25b與第2柵極焊盤3b電連接。即，也可以將偽柵極電極25b和第2柵極電極17b與相同的第2柵極焊盤3b連接。

由此，能夠同時進行配置偽柵極電極25b及第2柵極電極17b的柵極絕緣膜16的篩查檢查，并且能夠?qū)崿F(xiàn)柵極焊盤及柵極通路等的削減。

(其他實施方式)

例如，在上述各實施方式中，對設(shè)第1導(dǎo)電型為P型、設(shè)第2導(dǎo)電型為N型的例子進行了說明，但也可以設(shè)第1導(dǎo)電型為N型、設(shè)第2導(dǎo)電型為P型。

此外，在上述各實施方式中，說明了形成在二極管區(qū)域1b的第2柵極電極17b全部被施加不形成將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24的電壓的例子。但是，二極管區(qū)域1b中的與IGBT區(qū)域1a的邊界側(cè)的部分也作為IGBT元件發(fā)揮功能。因此，二極管區(qū)域1b中的位于邊界側(cè)的部分的第2柵極電極17b也可以被施加與第1柵極電極17a相同的電壓。即，也可以使位于陰極層22上的柵極電極中的集電極層21側(cè)的柵極電極作為第1柵極電極17a發(fā)揮功能。即，如果在第2柵極電極17b的至少一部分上施加不形成將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24的電壓，則能夠得到本發(fā)明的效果。

此外，IGBT區(qū)域1a中的與二極管區(qū)域1b的邊界側(cè)的部分也作為二極管元件發(fā)揮功能。因此，IGBT區(qū)域1a中的位于邊界側(cè)的第1柵極電極17a也可以被施加與第2柵極電極17b相同的電壓。即，也可以使位于集電極層21上的柵極電極中的陰極層22側(cè)的柵極電極作為第2柵極電極17b發(fā)揮功能。由此，能夠進一步降低二極管元件的導(dǎo)通損耗。

進而，在上述各實施方式中，說明了在第2柵極電極17b上施加不形成反型層24的電壓的例子。但是，在基極層12，只要是不將上部電極19(發(fā)射極區(qū)域14)與漂移層11之間相連的反型層24，則也可以形成。即，在上述第2、第3實施方式中，也可以在第2柵極電極17b上施加形成不將發(fā)射極區(qū)域14與漂移層11之間相連的反型層24的電壓。這樣，即使形成了反型層24，只要該反型層24不將發(fā)射極區(qū)域14與漂移層11相連，漂移層11內(nèi)的電子就經(jīng)由基極層12向上部電極19移動，所以也能夠降低二極管元件的導(dǎo)通損耗。

此外，在上述各實施方式中，在二極管區(qū)域1b，也可以不形成發(fā)射極區(qū)域14及體區(qū)域15。在此情況下，在上述第2、第3實施方式中，也可以在第2柵極電極17b上施加形成不將上部電極19與漂移層11之間相連的反型層24的電壓。即，在沒有形成發(fā)射極區(qū)域14的情況下，只要反型層24不將上部電極19與漂移層11相連，則在上述第2、第3實施方式中也可以在形成有發(fā)射極區(qū)域14的部分形成反型層24。

并且，在上述第3實施方式中，也可以在基極層12中的與偽柵極電極25b鄰接的部分不形成發(fā)射極區(qū)域14。

進而，也可以將上述各實施方式適當(dāng)組合。例如，可以將上述第1實施方式與上述第2、第3實施方式適當(dāng)組合而將偽柵極電極25b與發(fā)射極區(qū)域14電連接，也可以將偽柵極電極25b及第2柵極電極17b的某一方與發(fā)射極區(qū)域14電連接。

本發(fā)明依據(jù)實施例進行了記述，但應(yīng)理解的是本發(fā)明并不限定于該實施例或構(gòu)造。本發(fā)明也包含各種各樣的變形例或等價范圍內(nèi)的變形。除此以外，各種各樣的組合或形態(tài)、還有在它們中僅包含一要素、其以上或其以下的其他組合或形態(tài)也包含在本發(fā)明的范疇或思想范圍中。