技術(shù)編號：12142728
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置本申請基于2014年7月14日提出的日本專利申請第2014－144169號及2015年6月15日提出的日本專利申請第2015－120461號主張優(yōu)先權(quán)，這里引用其記載內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及具有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)區(qū)域和二極管(FreeWheelingDiode)區(qū)域的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往，例如，作為在逆變器等中使用的開關(guān)元件，提出了在共通的半導(dǎo)體襯底上形成有形成了IGBT元件的IGBT區(qū)域和形成了二極管元件的二極管區(qū)域的半導(dǎo)體裝...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。