技術(shù)編號(hào)：12142738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。(關(guān)聯(lián)申請(qǐng)的相互參照)本申請(qǐng)是在2014年7月18日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦?014-147459的關(guān)聯(lián)申請(qǐng)，主張基于該日本專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，將該日本專(zhuān)利申請(qǐng)所記載的所有內(nèi)容作為構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容而引用。本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)涉及開(kāi)關(guān)元件。背景技術(shù)在日本專(zhuān)利公開(kāi)第2005-142243號(hào)公報(bào)(以下稱(chēng)作專(zhuān)利文獻(xiàn)1)公開(kāi)了具有溝槽型的柵極電極的MOSFET。在溝槽內(nèi)的柵極電極的下側(cè)，形成有底部絕緣層。另外，在與底部絕緣層的下端部相接的位置形成有p型的浮置區(qū)域。浮置區(qū)域通過(guò)n型的漂移區(qū)域而與p型的本體區(qū)域...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。