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用于制備用于微組裝的GaN及相關(guān)材料的系統(tǒng)及方法與流程

文檔序號(hào):11531367閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
所揭示技術(shù)大體來(lái)說(shuō)涉及一種用于微組裝GaN材料及裝置以形成使用小LED與高功率、高電壓及/或高頻率晶體管及二極管的陣列的顯示器及照明組件的方法及系統(tǒng)。GaN材料及裝置可通過(guò)外延而形成在藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、氮化鋁或硅襯底上。所述所揭示技術(shù)提供用于制備用于微組裝的至少部分地形成在那些同質(zhì)襯底中的數(shù)者上的GaN材料及裝置的系統(tǒng)及方法。

技術(shù)研發(fā)人員:克里斯托弗·鮑爾;馬修·邁托
受保護(hù)的技術(shù)使用者:艾克斯瑟樂(lè)普林特有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2015.06.18
技術(shù)公布日:2017.08.18
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