1.一種陶瓷結(jié)構(gòu)體，其是在陶瓷基體的表面或內(nèi)部具備電極的陶瓷結(jié)構(gòu)體，所述陶瓷基體是主成分為氧化鋁或稀土金屬氧化物的燒結(jié)體，其中，
所述陶瓷基體的熱膨脹系數(shù)在40～1200℃下為7.5～9.5ppm/K，
所述電極的主成分為金屬釕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述陶瓷基體與所述電極在40～1200℃下的熱膨脹系數(shù)的差的絕對值為1.0ppm/K以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述電極除包含金屬釕以外，還包含填料成分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述填料成分為從由氧化鋯、氮化鈦及構(gòu)成所述陶瓷基體的主成分物質(zhì)構(gòu)成的組中選擇的至少1種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述電極除包含金屬釕以外，還包含釕以外的金屬，或者還包含釕與其它金屬的合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述釕以外的金屬為鈦及鈮中的至少一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述釕與其它金屬的合金為釕鋁合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任一項所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體，其中，
所述電極在室溫下的電阻率為3.0×10-5Ωcm以下。
9.一種基板保持裝置用部件，其具備權(quán)利要求1～8中的任一項所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體。
10.一種陶瓷結(jié)構(gòu)體的制法，其通過以下方式得到陶瓷結(jié)構(gòu)體：
在第一基體的一面配置主成分為金屬釕的電極或電極前驅(qū)體，所述第一基體是主成分為氧化鋁或稀土金屬氧化物的成型體、預(yù)燒體或燒結(jié)體，
在該電極或電極前驅(qū)體上層疊第二基體，制成層疊體，所述第二基體是以與所述第一基體主成分相同的氧化物為主成分的成型體、預(yù)燒體或燒結(jié)體，
對該層疊體進行熱壓燒成，由此得到陶瓷結(jié)構(gòu)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陶瓷結(jié)構(gòu)體的制法，其中，
所述第一基體及所述第二基體的主成分為氧化鋁的情況下，將所述熱壓燒成的燒成溫度設(shè)定為1500℃以下，
所述第一基體及所述第二基體的主成分為稀土金屬氧化物的情況下，將所述熱壓燒成的燒成溫度設(shè)定為1600℃以下。