技術總結
碳化硅半導體裝置包括晶體管區(qū)域、二極管區(qū)域、柵極布線區(qū)域、以及柵極焊盤區(qū)域。柵極焊盤區(qū)域和柵極布線區(qū)域分別配置為被與晶體管區(qū)域相鄰的二極管區(qū)域和與終端區(qū)域相鄰的二極管區(qū)域夾著，柵極焊盤區(qū)域和柵極布線區(qū)域的柵極電極形成在絕緣膜上，絕緣膜形成在外延層上。由此，能夠在不使柵極絕緣膜的品質(zhì)下降的情況下抑制切換以及雪崩擊穿時柵極區(qū)域中的絕緣膜的絕緣擊穿。

技術研發(fā)人員：堀川信之;楠本修;林將志;內(nèi)田正雄
受保護的技術使用者：松下知識產(chǎn)權經(jīng)營株式會社
文檔號碼：201580026596
技術研發(fā)日：2015.05.21
技術公布日：2017.02.22