1.一種操作腔室的方法，所述方法包括以下步驟：
調(diào)整陰極；
旋轉(zhuǎn)所述陰極下方的旋轉(zhuǎn)屏蔽件，以便經(jīng)由所述陰極下方的護(hù)罩及經(jīng)由所述旋轉(zhuǎn)屏蔽件的屏蔽孔暴露所述陰極；和
旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)基座，以便產(chǎn)生一材料以在所述旋轉(zhuǎn)基座之上形成載體，其中所述材料具有小于所述材料的厚度的1％的非均勻性限制且所述陰極在所述陰極與所述載體之間具有一角度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟：調(diào)整所述陰極的磁體與所述陰極下方的靶之間的磁體至靶間隔，以便改良所述材料的均勻性。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中調(diào)整所述陰極的步驟包括以下步驟：在多陰極腔室中調(diào)整陰極中的一者，所述陰極之間無交叉污染。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中調(diào)整所述陰極的步驟包括以下步驟：通過旋轉(zhuǎn)所述陰極的擺臂以便形成所述角度來調(diào)整所述陰極。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)屏蔽件的步驟包括以下步驟：旋轉(zhuǎn)所述旋轉(zhuǎn)屏蔽件以便經(jīng)由所述護(hù)罩暴露所述陰極，所述護(hù)罩具有比所述陰極的陰極長度更大的護(hù)罩長度。
6.一種腔室，所述腔室包括：
陰極；
護(hù)罩，所述護(hù)罩位于所述陰極下方；
旋轉(zhuǎn)屏蔽件，所述旋轉(zhuǎn)屏蔽件位于所述陰極下方，用于經(jīng)由所述護(hù)罩及經(jīng)由所述旋轉(zhuǎn)屏蔽件的屏蔽孔暴露所述陰極；和
旋轉(zhuǎn)基座，用于產(chǎn)生一材料以在所述旋轉(zhuǎn)基座之上形成載體，其中所述材料具有小于所述材料的厚度的1％的非均勻性限制，且所述陰極在所述陰極與所述載體之間具有一角度。
7.如權(quán)利要求6所述的腔室，進(jìn)一步包括：
靶，所述靶位于所述陰極下方；并且
其中：
所述陰極包括所述陰極的磁體與所述靶之間的磁體至靶間隔，以便改良所述材料的均勻性。
8.如權(quán)利要求6所述的腔室，其中所述陰極包括多陰極腔室中的陰極中的一者，所述陰極之間無交叉污染。
9.如權(quán)利要求6所述的腔室，其中所述陰極包括用于形成所述角度的擺臂。
10.如權(quán)利要求6所述的腔室，其中所述護(hù)罩包括比所述陰極的陰極長度更大的護(hù)罩長度。
11.一種形成載體的方法，所述方法包括以下步驟：
形成具有一材料的層，所述材料具有小于所述材料的厚度的1％的非均勻性限制。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述層的步驟包括以下步驟：用材料形成層堆疊，所述材料中的各者具有所述非均勻性限制。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述層的步驟包括以下步驟：使用具有物理氣相沉積的腔室形成所述層。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述層的步驟包括以下步驟：形成所述層用于存儲器裝置，所述存儲器裝置包括磁性隨機存取存儲器。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述層的步驟包括以下步驟：形成層堆疊，其中所述堆疊具有從7埃至150埃的厚度。