技術(shù)編號(hào)：11891317
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有多陰極的沉積系統(tǒng)及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2014年3月31日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第61/973,210號(hào)的權(quán)益，通過引用將該美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的主題結(jié)合在此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明大體涉及一種沉積系統(tǒng)，且更具體地，涉及一種用于具有多陰極的沉積系統(tǒng)的系統(tǒng)。背景技術(shù)已知各種用于移除或建立半導(dǎo)體裝置的材料層的方法。在半導(dǎo)體工業(yè)中經(jīng)常使用物理氣相沉積(PVD)方法。就原理而言，此為等離子體放電法，其中在具有外加電場(chǎng)的兩個(gè)電極之間的工藝氣體中產(chǎn)生工藝氣體離子。隨后用電場(chǎng)進(jìn)一步使工藝氣體離子加...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。