1.一種發(fā)光元件的制造方法，使包含發(fā)光層且由III族氮化物半導體構成的半導體層疊部，在以比從所述發(fā)光層發(fā)出的光的光學波長大且比該光的相干長度小的周期形成凸部的基板表面成長，其中，
沿著包含所述凸部的所述基板表面形成緩沖層，
在所述緩沖層上，使具有刻面且相互隔離的多個晶核內包至少一個所述凸部，且成長為900nm以下的高度，
使平坦化層在形成有所述多個晶核的緩沖層上成長。
2.如權利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，
所述多個晶核具有平坦的上表面。
3.如權利要求1或2所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，
所述緩沖層通過以AlN為靶的濺射形成。
4.一種發(fā)光元件，其通過權利要求1～3中任一項所述的發(fā)光元件的制造方法制造，
所述半導體層疊部包含所述緩沖層、所述多個晶核、所述平坦化層，
所述多個晶核的氧濃度比所述平坦化層的氧濃度高。