本申請要求于2014年5月15日提交的標(biāo)題為“具有高密度點觸點的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode with High Density Point-Contacts)”的第61/996,747號美國臨時專利申請的優(yōu)先權(quán)。前述申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開整體涉及一種氮化鎵倒裝芯片發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

近來，由于與傳統(tǒng)光源相比具有與LED相關(guān)聯(lián)的眾多優(yōu)點，諸如，例如，高發(fā)光效率、長使用壽命等，用于固態(tài)照明的發(fā)光二極管(LED)的開發(fā)已迅速增加。然而，與傳統(tǒng)光源相比，針對普通照明的LED應(yīng)用一般需要較高亮度和/或較高電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)。倒裝芯片LED(FCLED)對于高功率固體照明也逐漸變得普及。然而，F(xiàn)CLED的性能(例如，光學(xué)性能、電氣性能等)可改善。

附圖說明

參考附圖對本公開的非限制性和非窮舉性實施方式進(jìn)行描述，除非另外指出，否則在各個視圖中類似的附圖標(biāo)號指代類似部分。

圖1示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式示例性裝置的側(cè)視圖；

圖2示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖3示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的另一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4A示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4B示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖4A所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的替代剖視圖；

圖5A示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖5B示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖5A所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的替代剖視圖；

圖6A示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖6B示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖6A所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的替代剖視圖；

圖7A示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造裝置的過程相關(guān)聯(lián)的示例性裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖7B示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖7A所示的裝置結(jié)構(gòu)的替代剖視圖；

圖8示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖2所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的立體圖；

圖9示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖4A和4B所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的立體圖；

圖10示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、圖6A和6B所示的中間裝置結(jié)構(gòu)的立體圖；

圖11示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的示例性裝置的立體圖；

圖12示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的示例性系統(tǒng)；

圖13示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的多個光發(fā)射圖像；

圖14示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的另一示例性裝置的側(cè)視圖；

圖15示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造另一裝置的過程相關(guān)聯(lián)的示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖16示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造其它裝置的過程相關(guān)聯(lián)的另一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖17示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造其它裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖18示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造其它裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖19示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造其它裝置的過程相關(guān)聯(lián)的又一示例性中間裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖20示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與用于制造其它裝置的過程相關(guān)聯(lián)的示例性裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖21示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的其它裝置的表面；

圖22A示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的與正向電壓相關(guān)聯(lián)的圖表；

圖22B示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、與光輸出功率(LOP)和電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)相關(guān)聯(lián)的圖形；

圖23示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、光電流(L-I)曲線與標(biāo)準(zhǔn)化WPE的比較的圖形；以及

圖24示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式的、用于制造裝置的示例性方法的流程圖。

具體實施方式

參考附圖來描述本公開的各個方面或特征，附圖中類似附圖標(biāo)記用于指代類似的元件。在本說明書中，闡述了大量具體細(xì)節(jié)，以提供對本公開的透徹理解。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本公開的某些方面可在不具有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實施，或利用其它方法、部件、材料等來實施。在其它情況下，眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出以有利于描述本公開。

近來，由于與傳統(tǒng)光源相比具有與發(fā)光二極管相關(guān)聯(lián)的眾多優(yōu)點，諸如，例如高發(fā)光效率、長使用壽命等，用于固態(tài)照明的發(fā)光二極管的開發(fā)已迅速增加。然而，與傳統(tǒng)光源相比，針對普通照明的發(fā)光二極管應(yīng)用一般需要的較高亮度和/或較高電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)。倒裝芯片發(fā)光二極管對于高功率固體照明也變得逐漸普及。例如，倒裝芯片發(fā)光二極管的底部表面的處金屬觸點(例如，p型金屬觸點)可改善散布在該倒裝芯片發(fā)光二極管的p型層上的電流，和/或可向下反射向上傳播的光以用于更佳提取。然而，倒裝芯片發(fā)光二極管的性能(例如，光學(xué)性能、電氣性能等)可受以下方面的不利影響：倒裝芯片發(fā)光二極管的大塊襯底中的光捕獲，與倒裝芯片發(fā)光二極管的觸點(例如，n型觸點)相關(guān)聯(lián)的電流集聚效應(yīng)，和/或高電流注入下的效率下降。

為了這些和/或相關(guān)目的，本文所描述的各個實施方式提供了一種用于改善型氮化鎵倒裝芯片發(fā)光二極管(FCLED)的結(jié)構(gòu)和/或制造方法(例如，生產(chǎn)方法)。在一個示例中，氮化鎵FCLED可為點接觸FCLD(PC-FCLED)。氮化鎵FCLED可包括高密度和/或均勻分布的n型點觸點(例如，蝕刻孔)。因此，氮化鎵FCLED可與改善的光學(xué)性能和/或改善的電氣性能相關(guān)聯(lián)。例如，與具有常規(guī)觸點的常規(guī)FCLED相比，氮化鎵FCLED可與增大的光輸出功率(例如，低輸入功率下的增大光輸出功率)、增大的光提取、增大的均勻載體分布和/或增大WPE相關(guān)聯(lián)。此外，與氮化鎵FCLED相關(guān)聯(lián)的正向電壓可低于具有常規(guī)觸點的常規(guī)FCLED的正向電壓。

在一個實施方式中，提供了一種方法，該方法包括：在襯底上形成氮化鎵層，其中氮化鎵層包括第一組的凹陷結(jié)構(gòu)和第二組的凹陷結(jié)構(gòu)；形成與氮化鎵層相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層；形成與導(dǎo)電層相關(guān)聯(lián)的第一導(dǎo)電觸點和與第一組的凹陷結(jié)構(gòu)和第二組的凹陷結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第二導(dǎo)電觸點組；在第一導(dǎo)電觸點、第二導(dǎo)電觸點組和/或氮化鎵層上沉積鈍化層；在鈍化層上形成第一接觸層(例如，第一導(dǎo)電層)，該第一接觸層與第一導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)；以及在鈍化層上形成第二接觸層組(例如，第二導(dǎo)電層組)，該第二接觸層組與第二導(dǎo)電觸點組相關(guān)聯(lián)。

在另一實施方式中，裝置包括氮化鎵層、鈍化層、第一導(dǎo)電層(例如，第一接觸層)以及第二導(dǎo)電層組(例如，第二接觸層組)。氮化鎵層形成于襯底上，該氮化鎵層包括與第一結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第一多個凹陷部和與第二結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第二多個凹陷部，其中第一多個凹陷部和第二多個凹陷部與第一導(dǎo)電材料相關(guān)聯(lián)。第一導(dǎo)電層形成于鈍化層上并且對應(yīng)于第二導(dǎo)電材料。第二導(dǎo)電層組形成于鈍化層上并且對應(yīng)于第一導(dǎo)電材料。在一方面，第二導(dǎo)電材料可形成于氮化鎵層上。在另一方面，鈍化層可形成于第一導(dǎo)電材料、第二導(dǎo)電材料和氮化鎵層上。

在又一實施方式中，裝置包括氮化鎵層、第一導(dǎo)電材料、第二導(dǎo)電材料、鈍化層、第一接觸層和第二接觸層組。氮化鎵層形成于襯底上，該氮化鎵層包括與第一結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第一多個凹陷部和與第二結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第二多個凹陷部，其中第一多個凹陷部和第二多個凹陷部與第一導(dǎo)電材料相關(guān)聯(lián)。第二導(dǎo)電材料形成于氮化鎵層上。鈍化層形成于第一導(dǎo)電材料、第二導(dǎo)電材料和氮化鎵層上。第一接觸層形成于鈍化層上并且與第二導(dǎo)電材料相關(guān)聯(lián)。第二接觸層組形成于鈍化層上并且與第一導(dǎo)電層相關(guān)聯(lián)。

在又一實施方式中，系統(tǒng)包括發(fā)光二極管和襯底(例如，裝置)。發(fā)光二極管包括形成于襯底上的氮化鎵層、形成于氮化鎵層上的鈍化層、形成于鈍化層的一部分(與形成于氮化鎵層中的凹陷部組相對應(yīng))上的第一導(dǎo)電層、以及形成于鈍化層的另一部分上的第二導(dǎo)電層。發(fā)光二極管結(jié)合至襯底(例如，裝置)。

在又一實施方式中，裝置包括氮化鎵層、鈍化層、第二導(dǎo)電材料、第一導(dǎo)電層(例如，第一接觸層)以及第二導(dǎo)電層(例如，第二接觸層)。氮化鎵層形成于襯底上，該氮化鎵層包括與第一導(dǎo)電材料組相關(guān)聯(lián)的多個凹陷結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電材料形成于氮化鎵層上。鈍化層形成于第一導(dǎo)電材料、第二導(dǎo)電材料和氮化鎵層上。第一導(dǎo)電層形成于鈍化層上并且對應(yīng)于第一導(dǎo)電材料組。第二導(dǎo)電層組形成于鈍化層上并且對應(yīng)于第二導(dǎo)電材料。

在又一實施方式中，提供了一種方法，該方法包括：在襯底上形成氮化鎵層，該氮化鎵層包括凹陷結(jié)構(gòu)組；在氮化鎵層上形成導(dǎo)電觸點以及與凹陷結(jié)構(gòu)組相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電觸點組；將鈍化層沉積于導(dǎo)電觸點和導(dǎo)電觸點組上；在鈍化層上形成與導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)的第一導(dǎo)電層；以及在鈍化層上形成與導(dǎo)電觸點組相關(guān)聯(lián)的第二導(dǎo)電層組。

本說明書各處提及“一個實施方式”或“實施方式”是指結(jié)合該實施方式所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性包括于至少一個實施方式中。因此，在本說明書中各處出現(xiàn)的短語“在一個實施方式中”或“在實施方式中”并非必須全部指代相同實施方式。此外，具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一個或多個實施方式中以任何合適的方式組合。

在某種程度上，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和其它類似詞語用于具體實施方式或所附權(quán)利要求中，此類術(shù)語旨在以類似于作為開放式過渡詞的術(shù)語“包括”的方式為包含性的，而不排除任何附加或其它元件。此外，術(shù)語“或”旨在表示包含性的“或”，而不是排他性的“或”。即，除非另外指明，或根據(jù)上下文很清楚，否則“X采用A或B”旨在表示自然包括的排列中的任一者。即，如果X采用A；X采用B；或X采用A和B兩者，那么“X采用A或B”滿足前述例子中的任一者。此外，如在本申請和附屬權(quán)利要求中所使用的冠詞“一個”通常應(yīng)解釋為表示“一個或多個”，除非另外指明或根據(jù)上下文很清楚地指示為單數(shù)形式。

另外，詞語“示例性”和/或“說明性”在本文用于表示用作示例、例子或說明。為避免疑義，本文所公開的主題不受限于此類示例。此外，在本文中描述為“示例性”和/或“說明性”的任何方面或設(shè)計不必理解為相比于其它方面或設(shè)計為優(yōu)選的或有利的，并且不表示排除具有當(dāng)前公開的益處的本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已知的等同示例性結(jié)構(gòu)和技術(shù)。

常規(guī)發(fā)光二極管(例如，倒裝芯片發(fā)光二極管等)具有與效率、性能(例如，光學(xué)性能、電氣性能等)等相關(guān)的一些缺點。另一方面，本文所公開的各種實施方式提供了一種改善的發(fā)光二極管(例如，改善的倒裝芯片發(fā)光二極管)。就此而言，并且現(xiàn)參考附圖，圖1示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式所制造的示例性裝置100的側(cè)視圖。在一個示例中，裝置100可為氮化鎵倒裝芯片發(fā)光二極管(LED)。在另一示例中，裝置100可為點接觸倒裝芯片LED(PC-FCLED)。與常規(guī)FCLED相比，裝置100可同時提供高亮度和低電壓(例如，較低操作電壓)。此外，與常規(guī)FCLED相比，裝置100可與較高效率、較低制造成本和/或較長使用壽命相關(guān)聯(lián)。裝置100可用于各種照明應(yīng)用，例如但不限于顯示器照明、LED燈泡(例如，高亮度LED燈泡等)、LED子彈(例如，低功率LED子彈)、其它照明應(yīng)用，等等。

裝置100可包括襯底102、氮化鎵層104和鈍化層106。在一方面，氮化鎵層104可包括p型氮化鎵層和n型氮化鎵層。氮化鎵層104可形成于襯底102上。在一個示例中，襯底102可為藍(lán)寶石襯底。在另一示例中，襯底102可為硅襯底。在又一示例中，襯底102可為碳化硅襯底。在又一示例中，襯底102可為氮化鎵襯底。然而，應(yīng)當(dāng)理解，襯底102可為不同類型的襯底。此外，鈍化層106可形成于氮化鎵層104上。在一個示例中，鈍化層106可為氧化物層(例如，二氧化硅層)。在另一示例中，鈍化層106可為氮化物層。在又一示例中，鈍化層106可為聚合物層。在另一示例中，鈍化層106可為聚酰亞胺層。裝置100還可包括第一導(dǎo)電層組108a-b(例如，第一導(dǎo)電層108a和另一第一導(dǎo)電層108b，作為第一接觸層組108a-b等)和第二導(dǎo)電層110(例如，第二接觸層110)。第一導(dǎo)電層組108a-b和/或第二導(dǎo)電層110可形成于鈍化層106上。此外，第二導(dǎo)電層110可在第一導(dǎo)電層108a和另一第一導(dǎo)電層108b之間實現(xiàn)。在一種實施例中，熒光膜可施加至襯底102的表面(例如，襯底102的與氮化鎵層104不相關(guān)聯(lián)的表面)。

在一方面，氮化鎵層104可與第一多個凹陷部112和第二多個凹陷部114相關(guān)聯(lián)，其中第一多個凹陷部112與第一結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)，第二多個凹陷部114與第二結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。例如，第一多個凹陷部112可為第一多個凹陷結(jié)構(gòu)，以及第二多個凹陷部114可為第二多個凹陷結(jié)構(gòu)。此外或替代地，鈍化層106可與第一多個凹陷部112和第二多個凹陷部114相關(guān)聯(lián)。第一多個凹陷部112和/或第二多個凹陷部114可與第一導(dǎo)電材料(例如，n型電極)相關(guān)聯(lián)。第一導(dǎo)電層組108a-b可對應(yīng)于第一導(dǎo)電材料。此外或替代地，第二導(dǎo)電層110可對應(yīng)于第二導(dǎo)電材料(例如，p型電極)。在一個實施例中，第二多個凹陷部114可包括比第一多個凹陷部112大的表面面積。在另一實施例中，第二多個凹陷部114可包括比第一多個凹陷部112小的表面積。在又一實施例中，裝置100可在沒有第二多個凹陷部114的情況下實現(xiàn)(例如，該裝置可僅包括第一多個凹陷部112)。在某些實施例中，第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110可結(jié)合至另一襯底(例如，另一裝置)。例如，第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110可焊接至另一襯底(例如，另一裝置)。在一個示例中，結(jié)合至第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110的其它襯底(例如，其它裝置)可為集成芯片。

圖2至圖7圖示地示出了用于制造裝置100(例如，氮化鎵FCLED、PC-FCLED等)的示例性過程。為簡明起見，省略了在本文所描述的其它實施方式中所采用的類似元件的重復(fù)描述。參考圖2，示出了中間裝置結(jié)構(gòu)200的剖視圖，中間裝置結(jié)構(gòu)200包括襯底102和氮化鎵層104。在一個示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)200可與臺面和/或n型觸點定義相關(guān)聯(lián)。氮化鎵層104可與氮化鎵(GaN)外延晶片相關(guān)聯(lián)。此外，氮化鎵層104可經(jīng)由化學(xué)氣相沉淀而形成于襯底102上。在一個示例中，氮化鎵層104可為經(jīng)由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)而形成于(例如，生長于)襯底102上的GaN外延層(例如，藍(lán)色LED GaN外延層)。氮化鎵層104可為例如n型氮化鎵層。在非限制性示例中，氮化鎵層104可包括450nm的峰值發(fā)射波長。然而，應(yīng)當(dāng)理解，氮化鎵層104可包括不同峰值發(fā)射波長。在另一非限制性示例中，氮化鎵層104可為1×1mm²的LED臺面結(jié)構(gòu)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，氮化鎵層104可包括不同尺寸和/或結(jié)構(gòu)。

在一方面，氮化鎵層104可包括一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202。此外，在實施例中，氮化鎵層104可包括一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可為一個或多個點接觸孔。一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204可為一個或多個電極條帶孔。在非限制示例中，第一凹陷結(jié)構(gòu)202可為11×11μm²的點接觸孔。然而，應(yīng)當(dāng)理解，第一凹陷結(jié)構(gòu)202可包括不同尺寸。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204可通過光刻法進(jìn)行圖案化。例如，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204可基于通過光刻法所形成的圖案而形成。此外，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204可經(jīng)由電感耦合等離子體(ICP)蝕刻進(jìn)行蝕刻。

一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可促進(jìn)點觸點(例如，蝕刻孔)的形成。在一個示例中，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202中的每個之間的間距可為恒定的(例如，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可均勻分布于中間裝置結(jié)構(gòu)200的表面上)。此外，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可在中間裝置結(jié)構(gòu)600的表面上形成觸點陣列，和/或可提供最小化橫向電流散布距離。例如，一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204可形成于第一凹陷結(jié)構(gòu)202的第一觸點陣列與第一凹陷結(jié)構(gòu)202的第二觸點陣列之間。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可覆蓋與中間裝置結(jié)構(gòu)200相關(guān)聯(lián)的5％-15％的表面積。在實施例中，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可各自為尺寸小于或等于30μm×30μm(例如，開口602可各自為10μm×10μm的正方形開口等)的正方形形狀。然而，應(yīng)當(dāng)理解，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可各自包括不同形狀(例如，圓形形狀、六邊形形狀、另一形狀等)。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204的深度可基于襯底102上氮化鎵層104的外延結(jié)構(gòu)而不同。在非限制性示例中，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204的蝕刻深度可在0.4nm至2.5μm的范圍之間。

現(xiàn)參考圖3，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)300的剖視圖，中間裝置結(jié)構(gòu)300包括襯底102、氮化鎵層104和導(dǎo)電層302。中間裝置結(jié)構(gòu)300可為在中間裝置結(jié)構(gòu)200之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。導(dǎo)電層302可經(jīng)由電子束蒸鍍而形成于氮化鎵層104上。此外，導(dǎo)電層302可為導(dǎo)電氧化物層(例如，氧化銦錫層等)。在另一示例中，導(dǎo)電層302可為金屬層(例如，鎳、金、銀、另一種合金等)。在非限制性示例中，導(dǎo)電層302可包括115nm的厚度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電層302可包括不同厚度。導(dǎo)電層302可沉積于氮化鎵層104的p型氮化鎵表面上。在實施例中，中間裝置結(jié)構(gòu)300可在限定溫度下在大氣環(huán)境壓力下經(jīng)歷退火過程和/或經(jīng)歷限定時間量的退火過程。在非限制性示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)300可在600℃下在大氣環(huán)境壓力下經(jīng)歷5分鐘的退火過程。然而，應(yīng)當(dāng)理解，用于與中間裝置結(jié)構(gòu)300相關(guān)聯(lián)的退火過程的溫度和/或時間可改變。

現(xiàn)參考圖4A，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)400的剖視圖，中間裝置結(jié)構(gòu)400包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402(例如，導(dǎo)電層402)和導(dǎo)電觸點404(例如，導(dǎo)電層404)。在一方面，導(dǎo)電觸點402(例如，導(dǎo)電層402)可與導(dǎo)電觸點組402(例如，導(dǎo)電層組402)相關(guān)聯(lián)。此外或替代地，導(dǎo)電觸點404(例如，導(dǎo)電層404)可與導(dǎo)電觸點組404(例如，導(dǎo)電層組404)相關(guān)聯(lián)。中間裝置結(jié)構(gòu)400可為在中間裝置結(jié)構(gòu)300之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。導(dǎo)電觸點402和/或?qū)щ娪|點404可通過蒸鍍一個或多個導(dǎo)電層(例如，與導(dǎo)電層302相關(guān)聯(lián)的一個或多個導(dǎo)電觸點，與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電觸點組等)而形成。在非限制性示例中，導(dǎo)電觸點402和/或?qū)щ娪|點404可通過蒸鍍鉻層、鋁層、鈦層和/或金層而形成。導(dǎo)電觸點402可為p型導(dǎo)電觸點。例如，導(dǎo)電觸點402可為反射p型金屬觸點。導(dǎo)電觸點404可為n型導(dǎo)電觸點。例如，導(dǎo)電觸點404可為n型觸點(例如，n型電極)。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204中的每個可與導(dǎo)電觸點404相關(guān)聯(lián)。在一方面，導(dǎo)電觸點404可促進(jìn)與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的第一組導(dǎo)電觸點和與一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的第二組導(dǎo)電觸點的形成。

參考圖4B，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)400的替代剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)400包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302和導(dǎo)電觸點402。中間裝置結(jié)構(gòu)400可為在中間裝置結(jié)構(gòu)300之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。如通過圖4B所示的中間裝置結(jié)構(gòu)400的替代剖視圖所示，導(dǎo)電觸點402可對應(yīng)于氮化鎵層104的整個寬度。

現(xiàn)參考圖5A，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)500的剖視圖，中間裝置結(jié)構(gòu)500包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和鈍化層106。中間裝置結(jié)構(gòu)500可為在中間裝置結(jié)構(gòu)400之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。鈍化層106可沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。例如，鈍化層106可經(jīng)由等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)而沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。在另一示例中，鈍化層106可經(jīng)由旋涂而沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。在又一示例中，鈍化層106可經(jīng)由噴涂而沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。鈍化層106可沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上(例如，經(jīng)由PEVCD，經(jīng)由旋涂，經(jīng)由噴涂等)以促進(jìn)導(dǎo)電觸點402和導(dǎo)電觸點404的鈍化和絕緣(例如，p電極和n電極的鈍化和絕緣以防止電氣短路)。在一方面，鈍化層106可至少沉積于與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的第一組導(dǎo)電觸點(例如，導(dǎo)電觸點402)和與一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的第二組導(dǎo)電觸點(例如，導(dǎo)電觸點404)上。在非限制性示例中，鈍化層106可包括500nm的厚度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，鈍化層106可包括不同厚度。

參考圖5B，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)500的替代剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)500包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402和鈍化層106。中間裝置結(jié)構(gòu)500可為在中間裝置結(jié)構(gòu)400之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。如通過圖5B所示的中間裝置結(jié)構(gòu)500的替代剖視圖所示，鈍化層106可對應(yīng)于至少導(dǎo)電觸點402的整個寬度。

現(xiàn)參考圖6A，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)600的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)600包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和鈍化層106。中間裝置結(jié)構(gòu)600可為在中間裝置結(jié)構(gòu)500之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。一個或多個開口602可形成于鈍化層106中。例如，與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202中的每個相關(guān)聯(lián)的開口602可形成于鈍化層106中。此外，與一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的至少一個開口602可形成于鈍化層106中。一個或多個開口602可經(jīng)由濕法蝕刻技術(shù)而形成于鈍化層106中。例如，一個或多個開口602可經(jīng)由緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)濕法蝕刻而形成于鈍化層106中。替代地，一個或多個開口602可經(jīng)由干法蝕刻技術(shù)而形成于鈍化層106中。在另一示例中，一個或多個開口602可經(jīng)由光刻過程而形成于鈍化層106中。開口602可為點觸點(例如，導(dǎo)電觸點)。在一方面，開口602可為分布于氮化鎵層104(例如，n型GaN層)上的n型點觸點。利用開口602，可提供具有改善的電流散布、改善的光提取和改善的光輸出功率(LOP)的氮化鎵FCLED。此外，可經(jīng)由開口602實現(xiàn)具有縮短的橫向電流散布距離的氮化鎵FCLED。此外，還可經(jīng)由開口602實現(xiàn)效率下降的抑制(例如，由開口602提供的均勻載體分布)。因此，可減小總的串聯(lián)電阻和正向電壓，而不會不利地影響氮化鎵FCLED的發(fā)光部分。

參考圖6B，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)600的替代剖視圖，中間裝置結(jié)構(gòu)600包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、鈍化層106以及一個或多個開口602。中間裝置結(jié)構(gòu)600可為在中間裝置結(jié)構(gòu)500之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。另外，開口604可形成于鈍化層106中。開口604可經(jīng)由濕法蝕刻技術(shù)形成于鈍化層106中。例如，開口604可經(jīng)由BOE濕法蝕刻形成于鈍化層106中。替代地，開口604可經(jīng)由干法蝕刻技術(shù)形成于鈍化層106中。在另一示例中，開口604可經(jīng)由光刻過程形成于鈍化層106中。

現(xiàn)參考圖7A，示出的是裝置結(jié)構(gòu)700的剖視圖，其中，裝置結(jié)構(gòu)700包括襯底102、氮化鎵層104、鈍化層106、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404、鈍化層106、一個或多個開口602、第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。裝置結(jié)構(gòu)700可為在中間裝置結(jié)構(gòu)600之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。此外，裝置結(jié)構(gòu)700可為裝置100的剖視圖。第一導(dǎo)電層組108a-b可形成于鈍化層106上。此外，第一導(dǎo)電層組108a-b可與一個或多個開口602相關(guān)聯(lián)，其中，一個或多個開口602與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)。例如，第一導(dǎo)電層組108a-b可覆蓋用于第一組導(dǎo)電觸點(例如，導(dǎo)電觸點402)中的每個的開口602和/或用于第二組導(dǎo)電觸點(例如，導(dǎo)電觸點404)中的每個的開口602，其中，該第一組導(dǎo)電觸點與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)，該第二組導(dǎo)電觸點與一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)。在一個示例中，第一導(dǎo)電層組108a-b可為n型凸起層組。在一方面，第一導(dǎo)電層組108a-b可物理地和電氣地連接至一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和/或一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204內(nèi)的導(dǎo)電觸點402和導(dǎo)電觸點404(例如，經(jīng)由一個或多個開口602)。第二導(dǎo)電層110也可形成于鈍化層106上。鈍化層106的一部分可形成于第二導(dǎo)電層110和導(dǎo)電觸點404之間(例如，與一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的第二組導(dǎo)電觸點)。在圖7A所示的裝置結(jié)構(gòu)700的剖視圖中，第二導(dǎo)電層110未物理或電氣連接至導(dǎo)電觸點404。例如，鈍化層106可形成于第二導(dǎo)電層110和導(dǎo)電觸點404之間(例如，以防止電氣短路)。在一個示例中，第二導(dǎo)電層110可為p凸起層。在一方面，第一導(dǎo)電層組108a-b可包括與導(dǎo)電觸點404的材料相對應(yīng)的材料。此外，第二導(dǎo)電層110可包括與導(dǎo)電觸點402的材料相對應(yīng)的材料(例如，p型導(dǎo)電層)。在另一方面，第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110可通過蒸鍍一個或多個導(dǎo)電層而形成(例如，以促進(jìn)每個n型點觸點的連接)。例如，第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110可通過蒸鍍第一鈦層、鋁層、第二鈦層和/或金層而形成。

參考圖7B，示出的是裝置結(jié)構(gòu)700的替代剖視圖，其中，裝置結(jié)構(gòu)700包括襯底102、氮化鎵層104、鈍化層106、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404、鈍化層106、開口604、第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。中間裝置結(jié)構(gòu)700可為在中間裝置結(jié)構(gòu)600之后形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置100的過程中)。第一導(dǎo)電層組108a-b可形成于鈍化層106上。在圖7B所示的裝置結(jié)構(gòu)700的替代剖視圖中，第一導(dǎo)電層組108a-b未物理或電氣連接至導(dǎo)電觸點402。例如，鈍化層106可形成于第一導(dǎo)電層組108a-b與導(dǎo)電觸點402之間(例如，以防止電氣短路)。第二導(dǎo)電層110可形成于鈍化層106上，和/或可與開口604相關(guān)聯(lián)。在圖7B所示的裝置結(jié)構(gòu)700的替代剖視圖中，第二導(dǎo)電層110可物理地和電氣地連接至導(dǎo)電觸點402。

在某些實施例中，中間裝置結(jié)構(gòu)700可經(jīng)歷進(jìn)一步處理。例如，中間裝置結(jié)構(gòu)700的襯底102可經(jīng)歷打磨和/或拋光以減小襯底102的厚度(例如，減小至100μm)。在另一示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)700可倒裝于包括鋁互連件和/或焊料凸塊(例如，球形銦凸塊)的基板上(例如，硅基板)。在又一示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)700可經(jīng)由倒裝芯片粘結(jié)劑而經(jīng)歷熱壓結(jié)合以促進(jìn)倒裝芯片過程的完成。

現(xiàn)參考圖8，示出的是包括襯底102和氮化鎵層104的中間裝置結(jié)構(gòu)200的立體圖。如圖8所示，氮化鎵層104包括一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202和一個或多個第二凹陷結(jié)構(gòu)204。在一方面，第一凹陷結(jié)構(gòu)202可與包括一組第一凹陷結(jié)構(gòu)202(例如，以直線對準(zhǔn)的一組第一凹陷結(jié)構(gòu)202)的第一列802和包括另一組第一凹陷結(jié)構(gòu)202(例如，以直線對準(zhǔn)的另一組第一凹陷結(jié)構(gòu)202)的第二列804相關(guān)聯(lián)。在另一方面，第二凹陷結(jié)構(gòu)202可與包括第二凹陷結(jié)構(gòu)202(例如，以直線對準(zhǔn)的第二凹陷結(jié)構(gòu)202)的單個列806相關(guān)聯(lián)。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可與正方形形狀的凹陷結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)，以及一個或多個凹陷結(jié)構(gòu)204可與矩形形狀的凹陷結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。

現(xiàn)參考圖9，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)400的立體圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)400包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電觸點402和導(dǎo)電觸點404。如圖9所示，導(dǎo)電觸點402可圍繞與第一凹陷結(jié)構(gòu)202和第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電觸點404的多個部分。例如，導(dǎo)電觸點402可形成于氮化鎵層104的不與第一凹陷結(jié)構(gòu)202和第二凹陷結(jié)構(gòu)204相關(guān)聯(lián)的一些部分上。

現(xiàn)參考圖10，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)600的立體圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)600包括襯底102、氮化鎵層104、鈍化層106、開口602和開口604。如圖10所示，開口602可與導(dǎo)電觸點404相關(guān)聯(lián)，并且開口604可與導(dǎo)電觸點402相關(guān)聯(lián)。例如，開口602和/或開口604可實現(xiàn)為導(dǎo)電觸點和/或可與導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)。在一方面，開口602可與包括第一組開口602(例如，以直線對準(zhǔn)的一組開口602)的第一列1002、包括第二組開口602(例如，以直線對準(zhǔn)的另一組開口602)的第二列1004、包括第三組開口602(例如，以直線對準(zhǔn)的另一組開口602)的第三列1006和包括第四組開口602(例如，以直線對準(zhǔn)的另一組開口602)的第四列1008相關(guān)聯(lián)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，開口602可與不同數(shù)量的列相關(guān)聯(lián)。在另一方面，開口604可與包括一組開口604(例如，以直線對準(zhǔn)的一組開口604)的單個列1010相關(guān)聯(lián)。在又一方面，開口602可從開口604偏移(例如，一行開口602可從開口604偏移)。

開口602可實現(xiàn)為點觸點(例如，蝕刻孔)。在一個示例中，開口602中的每個之間的間距可為恒定的(例如，開口602可均勻分布于中間裝置結(jié)構(gòu)600的表面上)。此外，開口602可在中間裝置結(jié)構(gòu)600的表面上形成觸點陣列，和/或可提供最小化橫向電流散布距離。例如，開口604可形成于開口602的第一觸點陣列(例如，與導(dǎo)電層108a相關(guān)聯(lián)的第一觸點陣列)和開口602的第二觸點陣列(例如，與另一導(dǎo)電層108b相關(guān)聯(lián)的第二觸點陣列)之間。與中間裝置結(jié)構(gòu)600相關(guān)聯(lián)的有效光發(fā)射面積可大于或等于85％。例如，開口602可覆蓋與中間裝置結(jié)構(gòu)600相關(guān)聯(lián)的5％-15％的表面面積。在實施例中，開口602可分別為正方形形狀，其尺寸小于或等于30μm×30μm(例如，開口602可分別為10μm×10μm的正方形開口等)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，開口602可各自包括不同形狀(例如，圓形形狀、六邊形形狀、另一形狀等)。開口602的深度可基于襯底102上氮化鎵層104的外延結(jié)構(gòu)而變化。在非限制性示例中，開口602和/或開口604的蝕刻深度可在0.4nm至2.5μm的范圍之間。

現(xiàn)參考圖11，示出的是裝置100的立體圖，裝置100包括襯底102、氮化鎵層104、鈍化層106、第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。如圖11所示，開口602可由第一導(dǎo)電層108a-b覆蓋，以及開口604可由第二導(dǎo)電層110覆蓋。此外，第二導(dǎo)電層110可由第一導(dǎo)電層108a和另一第一導(dǎo)電層108b隔開。在一方面，第一導(dǎo)電層108a、另一第一導(dǎo)電層108b和第二導(dǎo)電層110可各自包括矩形形狀。相比于具有常規(guī)觸點的常規(guī)FCLED，裝置100可與較高LOP和WPE相關(guān)聯(lián)。相比于具有常規(guī)觸點的常規(guī)FCLED，裝置100還可與較低正向電壓相關(guān)聯(lián)。此外，可制造裝置100，同時使制造過程的時間和成本最小化。

現(xiàn)參考圖12，根據(jù)各個實施方式示出了系統(tǒng)1200。系統(tǒng)1200可與板上芯片(COB)表面安裝過程相關(guān)聯(lián)。系統(tǒng)1200包括裝置100和裝置1202。例如，裝置100可為LED裝置(例如，F(xiàn)CLED裝置、PC-FCLED裝置等)，該LED裝置包括形成于襯底102上的氮化鎵層104、形成于氮化鎵層104上的鈍化層106、形成于鈍化層106的一部分上的第一導(dǎo)電層組108a-b，和形成于鈍化層106的另一部分上的第二導(dǎo)電層110。第一導(dǎo)電層組108a-b可對應(yīng)于形成于氮化鎵層104中的凹陷部組(例如，第一組凹陷部和/或第二組凹陷部)。凹陷部組可與第一導(dǎo)電材料(例如，n型電極)相關(guān)聯(lián)。第二導(dǎo)電層110可對應(yīng)于第二導(dǎo)電材料(例如，p型電極)。裝置1202可為基板，該基板可結(jié)合至第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。例如，裝置1202可經(jīng)由倒裝芯片粘結(jié)劑而結(jié)合至第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。在另一示例中，裝置1202可經(jīng)由熱壓粘結(jié)而結(jié)合至第一導(dǎo)電層組108a-b和第二導(dǎo)電層110。在一方面，裝置1202的第一導(dǎo)電層1204a可經(jīng)由焊料凸塊1206(例如，一個或多個n型凸塊)結(jié)合至另一第一導(dǎo)電層108b，裝置1202的第二導(dǎo)電層1204b可經(jīng)由焊料凸塊1208(例如，一個或多個p型凸塊)結(jié)合至第二導(dǎo)電層110，以及裝置1202的第三導(dǎo)電層1204c可經(jīng)由焊料凸塊1206(例如，一個或多個n型凸塊)結(jié)合至第一導(dǎo)電層108a。每個焊料凸塊106可以為例如銦焊料凸塊。在一個示例中，裝置1202可為硅襯底(例如，硅裝置)。在另一示例中，裝置1202可為集成芯片(例如，互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體芯片等)。在又一示例中，裝置1202可與印刷電路板相關(guān)聯(lián)。在又一示例中，裝置1202可與陶瓷襯底相關(guān)聯(lián)。在某些實施例中，裝置100還可包括藍(lán)寶石前表面(例如，在襯底102的不與氮化鎵層104相關(guān)聯(lián)的表面上)。在另一實施例中，裝置100可包括氮化鎵層104而不具有藍(lán)寶石襯底102。

圖13示出了如本文所公開的與FCLED相關(guān)聯(lián)的光發(fā)射圖像。圖13包括在10mA下捕獲的與FCLED的第一實施方式相關(guān)聯(lián)的第一光發(fā)射圖像1302、在10mA下捕獲的與FCLED的第二實施方式相關(guān)聯(lián)的第二光發(fā)射圖像1304、在10mA下捕獲的與FCLED的第三實施方式相關(guān)聯(lián)的第三光發(fā)射圖像1306、以及在10mA下捕獲的與FCLED的第四實施方式相關(guān)聯(lián)的第四光發(fā)射圖像1308。圖13還包括在10mA下捕獲的與基準(zhǔn)FCLED相關(guān)聯(lián)的第五光發(fā)射圖像1310，以及包括于第四光發(fā)射圖像1308中的點接觸孔(例如，n型點接觸孔)的放大視圖1312?；鶞?zhǔn)FCLED可為具有常規(guī)觸點的常規(guī)FCLED。包括于第一光發(fā)射圖像1302中的點接觸孔(例如，至少點接觸孔1314)包括100μm節(jié)距，包括于第二光發(fā)射圖像1304中的點接觸孔(例如，至少點接觸孔1316)包括67μm節(jié)距，包括于第三光發(fā)射圖像1306中的點接觸孔(例如，至少點接觸孔1318)包括50μm節(jié)距，以及包括于第四光發(fā)射圖像1308中的點接觸孔(例如，至少點接觸孔1320)包括40μm節(jié)距。因此，第一光發(fā)射圖像1302、第二光發(fā)射圖像1304、第三光發(fā)射圖像1306和第四光發(fā)射圖像1308之間的點接觸孔的密度可變化。包括于第一光發(fā)射圖像1302、第二光發(fā)射圖像1304、第三光發(fā)射圖像1306和第四光發(fā)射圖像1308中的點接觸孔可包括相同尺寸。

在一方面，包括于第一光發(fā)射圖像1302、第二光發(fā)射圖像1304、第三光發(fā)射圖像1306和第四光發(fā)射圖像1308中的點接觸孔可對應(yīng)于開口602。如圖13中的放大視圖1312所示，光發(fā)射在與點接觸孔相關(guān)聯(lián)的附近區(qū)域更密集。這是由于相對于平坦氮化鎵表面，由點接觸孔的深邊緣賦予的增強(qiáng)光提取。此外，電極條帶(例如，n型電極條帶)的陣列存在于第一光發(fā)射圖像1302、第二光發(fā)射圖像1304、第三光發(fā)射圖像1306和第四光發(fā)射圖像1308中。例如，第一光發(fā)射圖像1302包括電極條帶1322的陣列，第二光發(fā)射圖像1304包括電極條帶1324的陣列，第三光發(fā)射圖像1306包括電極條帶1326的陣列，以及第四光發(fā)射圖像1308包括電極條帶1328的陣列。電極條帶1322的陣列、電極條帶1324的陣列、電極條帶1326的陣列以及電極條帶1328的陣列可對應(yīng)于開口604。電極條帶的陣列(例如，電極條帶1322的陣列等)可用于增強(qiáng)一個或多個區(qū)域中的電流散布，該一個或多個區(qū)域由于p型凸起層(例如，第二導(dǎo)電層110)的覆蓋而不可通過點接觸孔(例如，點接觸孔1314等)接入。

圖14示出了根據(jù)本文所描述的一個或多個實施方式所制造的示例性裝置1400的側(cè)視圖。在一個示例中，裝置1400可為氮化鎵FCLED。在另一示例中，襯底1400可為PC-FCLED。相比于常規(guī)FCLED，裝置1400可同時提供高亮度和低電壓(例如，較低操作電壓)。此外，相比于常規(guī)FCLED，裝置1400可與較高效率、較低制造成本和/或較長使用壽命相關(guān)聯(lián)。裝置1400可用于各種照明應(yīng)用，諸如但不限于顯示器照明、LED燈泡(例如，高亮度LED燈泡等)、LED子彈(例如，低功率LED子彈)、其它照明應(yīng)用等。

裝置1400可包括襯底102、氮化鎵層104和鈍化層106。氮化鎵層104可形成于襯底102上。在一個示例中，襯底102可為藍(lán)寶石襯底。在另一示例中，襯底102可為硅襯底。在又一示例中，襯底102可為碳化硅襯底。在又一示例中，襯底102可為氮化鎵襯底。然而，應(yīng)當(dāng)理解，襯底102可為不同類型的襯底。此外，鈍化層106可形成于氮化鎵層104上。在一個示例中，鈍化層106可為氧化物層(例如，二氧化硅層)。在另一示例中，鈍化層106可為氮化物層。在又一示例中，鈍化層106可為聚合物層。在另一示例中，鈍化層106可為聚酰亞胺層。裝置1400還可包括第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b(例如，第二導(dǎo)電層110a和另一第二導(dǎo)電層110b)。第一導(dǎo)電層108和/或第二導(dǎo)電層組110a-b可形成于鈍化層106上。此外，第一導(dǎo)電層108可在第二導(dǎo)電層110a和另一第二導(dǎo)電層110b之間實現(xiàn)。在實施例中，熒光膜可施加至襯底102的表面(例如，襯底102的不與氮化鎵層104相關(guān)聯(lián)的表面)。

在一方面，氮化鎵層104可與多個凹陷部112相關(guān)聯(lián)，多個凹陷部112與第一結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)。例如，多個凹陷部112可為多個凹陷結(jié)構(gòu)。此外或替代地，鈍化層106可與多個凹陷部112相關(guān)聯(lián)。多個凹陷部112可與第一導(dǎo)電材料相關(guān)聯(lián)。第一導(dǎo)電層108可對應(yīng)于第一導(dǎo)電材料(例如，n型電極)。此外，第二導(dǎo)電層組110a-b可對應(yīng)于第二導(dǎo)電材料(例如，p型電極)。在某些實施例中，第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b可結(jié)合至另一襯底(例如，另一裝置)。例如，第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b可焊接至另一襯底(例如，另一裝置)。在一個示例中，結(jié)合至第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b的其它襯底(例如，其它裝置)可為集成芯片。

圖15至圖20圖示地示出了用于制造裝置1400(例如，氮化鎵FCLED、PC-FCLED等)的示例性過程。為簡明起見，省略了在本文所描述的其它實施方式中所采用的類似元件的重復(fù)描述。參考圖15，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)1500的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)1500包括襯底102和氮化鎵層104。在一個示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)1500可與n型觸點定義相關(guān)聯(lián)。氮化鎵層104可與GaN外延晶片相關(guān)聯(lián)。此外，氮化鎵層104可經(jīng)由化學(xué)氣相沉淀而形成于襯底102上。在一個示例中，氮化鎵層104可為經(jīng)由MOCVD形成于(例如，生長于)襯底102上的GaN外延層(例如，藍(lán)色LED GaN外延層)。氮化鎵層104可以為例如n型氮化鎵層。在非限制性示例中，氮化鎵層104可包括450nm的峰值發(fā)射波長。然而，應(yīng)當(dāng)理解，氮化鎵層104可包括不同峰值發(fā)射波長。在另一非限制性示例中，氮化鎵層104可為1×1mm²的LED臺面結(jié)構(gòu)。然而，應(yīng)當(dāng)理解，氮化鎵層104可包括不同尺寸和/或結(jié)構(gòu)。

在一方面，氮化鎵層104可包括一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可為一個或多個點接觸孔。在非限制示例中，第一凹陷結(jié)構(gòu)202可為11×11μm²的點接觸孔。然而，應(yīng)當(dāng)理解，第一凹陷結(jié)構(gòu)202可包括不同尺寸。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可通過光刻法進(jìn)行圖案化。例如，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可基于通過光刻法所形成的圖案而形成。此外，一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202可經(jīng)由ICP蝕刻進(jìn)行蝕刻。

現(xiàn)參考圖16，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)1600的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)1600包括襯底102、氮化鎵層104和導(dǎo)電層302。中間裝置結(jié)構(gòu)1600可為在中間裝置結(jié)構(gòu)1500之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置1400的過程中)。導(dǎo)電層302可經(jīng)由電子束蒸鍍形成于氮化鎵層104上。此外，導(dǎo)電層302可為導(dǎo)電氧化物層(例如，氧化銦錫層等)。在另一示例中，導(dǎo)電層302可為金屬層(例如，鎳、金、銀、另一種合金等)。在非限制性示例中，導(dǎo)電層302可包括115nm的厚度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電層302可包括不同厚度。導(dǎo)電層302可沉積于氮化鎵層104的p型氮化鎵表面上。在實施例中，中間裝置結(jié)構(gòu)300可在限定溫度下在大氣環(huán)境壓力下經(jīng)歷退火過程和/或經(jīng)歷限定時間量的退火過程。在非限制性示例中，中間裝置結(jié)構(gòu)1600可在600℃下在大氣環(huán)境壓力下經(jīng)歷5分鐘的退火過程。然而，應(yīng)當(dāng)理解，用于與中間裝置結(jié)構(gòu)1600相關(guān)聯(lián)的退火過程的溫度和/或時間可變化。

現(xiàn)參考圖17，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)1700的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)1700包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402(例如，導(dǎo)電層402)和導(dǎo)電觸點404(例如，導(dǎo)電層404)。在一方面，導(dǎo)電觸點402(例如，導(dǎo)電層402)可與一組導(dǎo)電觸點402(例如，一組導(dǎo)電層402)相關(guān)聯(lián)。此外或替代地，導(dǎo)電觸點404(例如，導(dǎo)電層404)可與一組導(dǎo)電觸點404(例如，一組導(dǎo)電層404)相關(guān)聯(lián)。中間裝置結(jié)構(gòu)1700可為在中間裝置結(jié)構(gòu)1600之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置1400的過程中)。導(dǎo)電觸點402和/或?qū)щ娪|點404可通過蒸鍍一個或多個導(dǎo)電層而形成(例如，與導(dǎo)電層302相關(guān)聯(lián)的一個或多個導(dǎo)電層，與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的一組導(dǎo)電觸點等)。例如，導(dǎo)電觸點402和/或?qū)щ娪|點404可通過蒸鍍鉻層、鋁層、鈦層和/或金層而形成。導(dǎo)電觸點402可為p型導(dǎo)電觸點。例如，導(dǎo)電觸點402可為反射p型金屬觸點。導(dǎo)電觸點404可為n型導(dǎo)電觸點。例如，導(dǎo)電觸點404可為n型觸點(例如，n型電極)。一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202中的每個可與導(dǎo)電觸點404相關(guān)聯(lián)。在一方面，導(dǎo)電觸點404可促進(jìn)與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的第一組導(dǎo)電觸點的形成。

現(xiàn)參考圖18，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)1800的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)1800包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和鈍化層106。中間裝置結(jié)構(gòu)1800可為在中間裝置結(jié)構(gòu)1700之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置1400的過程中)。鈍化層106可沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。例如，鈍化層106可經(jīng)由PECVD沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。在另一示例中，鈍化層106可經(jīng)由旋涂沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。在又一示例中，鈍化層106可經(jīng)由噴涂沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上。鈍化層106可沉積于導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404和氮化鎵層104上(例如，經(jīng)由PEVCD，經(jīng)由旋涂，經(jīng)由噴涂等)，以促進(jìn)導(dǎo)電觸點402和導(dǎo)電觸點404的鈍化和絕緣(例如，p電極和n電極的鈍化和絕緣)。在一方面，鈍化層106可至少沉積于與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電觸點404(例如，第一組導(dǎo)電觸點)上。在非限制性示例中，鈍化層106可包括500nm的厚度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，鈍化層106可包括不同厚度。

現(xiàn)參考圖19，示出的是中間裝置結(jié)構(gòu)1900的剖視圖，其中，中間裝置結(jié)構(gòu)1900包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點404和鈍化層106。中間裝置結(jié)構(gòu)1900可為在中間裝置結(jié)構(gòu)1800之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置1400的過程中)。一個或多個開口602可形成于鈍化層106中。例如，與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202中的每個相關(guān)聯(lián)的開口602(例如，導(dǎo)電觸點404)可形成于鈍化層106中。此外，可形成與導(dǎo)電觸點402相關(guān)聯(lián)的一個或多個開口602。一個或多個開口602可經(jīng)由濕法蝕刻技術(shù)形成于鈍化層106中。例如，一個或多個開口602可經(jīng)由BOE濕法蝕刻形成于鈍化層106中。替代地，一個或多個開口602可經(jīng)由干法蝕刻技術(shù)而形成于鈍化層106中。在一方面，與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202中的每個相關(guān)聯(lián)的開口602可為分布于氮化鎵層104(例如，n型GaN層)上的n型點觸點。利用開口602，可提供具有改善的電流散布、改善的光提取和改善的LOP的氮化鎵FCLED。此外，可經(jīng)由開口602實現(xiàn)具有縮短的橫向電流散布距離的氮化鎵FCLED。此外，還可經(jīng)由開口602實現(xiàn)效率下降的抑制(例如，由開口602所提供的均勻載體分布)。因此，可減小整體串聯(lián)電阻和正向電壓，而不會不利地影響氮化鎵FCLED的發(fā)光部分。

現(xiàn)參考圖20，示出的是裝置結(jié)構(gòu)2000的剖視圖，裝置結(jié)構(gòu)2000包括襯底102、氮化鎵層104、導(dǎo)電層302、導(dǎo)電觸點402、導(dǎo)電觸點404、鈍化層106、一個或多個開口602、第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b。裝置結(jié)構(gòu)2000可為在中間裝置結(jié)構(gòu)1900之后所形成的下一結(jié)構(gòu)(例如，在用于制造裝置1400的過程中)。此外，裝置結(jié)構(gòu)2000可為裝置1400的剖視圖。第一導(dǎo)電層108可形成于鈍化層106上。此外，第一導(dǎo)電層108可與一個或多個開口602相關(guān)聯(lián)，該一個或多個開口602與導(dǎo)電觸點404相關(guān)。例如，第一導(dǎo)電層108可覆蓋用于與一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202相關(guān)聯(lián)的第一組導(dǎo)電觸點中的每個的開口602。在一個示例中，第一導(dǎo)電層108可為n型凸起層。在一方面，第一導(dǎo)電層108可物理地和電氣地連接至一個或多個第一凹陷結(jié)構(gòu)202內(nèi)的導(dǎo)電觸點404(例如，經(jīng)由一個或多個開口602)。第二導(dǎo)電層組110a-b也可形成于鈍化層106上。此外，第二導(dǎo)電層組110a-b可與開口602相關(guān)聯(lián)，該開口602與導(dǎo)電觸點402相關(guān)聯(lián)。在一個示例中，第二導(dǎo)電層組110a-b可為p型凸起層。在一方面，第一導(dǎo)電層108可包括與導(dǎo)電觸點404的材料對應(yīng)的材料。此外，第二導(dǎo)電層組110a-b可包括與導(dǎo)電觸點402的材料對應(yīng)的材料。在另一方面，第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b可通過蒸鍍一個或多個導(dǎo)電層而形成(例如，以促進(jìn)每個n型點觸點的連接)。例如，第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b可通過蒸鍍第一鈦層、鋁層、第二鈦層和/或金層而形成。

在某些實施方式中，裝置結(jié)構(gòu)2000可經(jīng)歷進(jìn)一步處理。例如，中間裝置結(jié)構(gòu)700的襯底102可經(jīng)歷打磨和/或拋光以減小襯底102的厚度(例如，減小至100μm)。在另一示例中，裝置結(jié)構(gòu)2000可倒裝于包括鋁互連件和/或焊料凸塊(例如，球形銦凸塊)的基板上(例如，硅基板)。在又一示例中，裝置結(jié)構(gòu)2000可經(jīng)由倒裝芯片粘結(jié)劑而經(jīng)歷熱壓結(jié)合以促進(jìn)倒裝芯片過程的完成。

參考圖21，示出的是裝置1400的表面2100。裝置1400的表面2100包括第一導(dǎo)電層108和第二導(dǎo)電層組110a-b。裝置1400的表面2100還包括第二導(dǎo)電層組110c-d。第一導(dǎo)電層108可為單個n型電極。第一導(dǎo)電層108可覆蓋開口602中的每個(例如，第一導(dǎo)電層108可覆蓋裝置1400的點觸點中的每個)。第二導(dǎo)電層組110a-d可為四個p型電極(例如，表面2100的四個角部附近)。開口602可形成觸點陣列(例如，十字形觸點陣列)。

圖22-23提供了證明如本文所公開的裝置(例如，裝置100、裝置1400等)的優(yōu)異特性的實驗數(shù)據(jù)。為簡明起見，省略了本文所描述的其它實施方式中所采用的類似元件的重復(fù)描述。圖22A提供了與在350mA下所測量的用于基準(zhǔn)FCLED和多個PC-FCLED A-D的正向電壓相關(guān)聯(lián)的圖形2200。PC-FCLED A對應(yīng)于第一光發(fā)射圖像1202，PC-FCLED B對應(yīng)于第二光發(fā)射圖像1204，PC-FCLED C對應(yīng)于第三光發(fā)射圖像1206，PC-FCLED D對應(yīng)于第一光發(fā)射圖像1202，并且基準(zhǔn)FCLED對應(yīng)于第五光發(fā)射圖像1210。如圖22A所示，PC-FCLED B-D包括低于基準(zhǔn)FCLED的正向電壓。PC-FCLED B雖然具有略小于基準(zhǔn)FCLED的總n型觸點面積，但是表現(xiàn)出低于基準(zhǔn)FCLED的正向電壓。如圖22A進(jìn)一步所示，正向電壓隨著點觸點的數(shù)量增加而進(jìn)一步降低。特別地，PC-FCLED D的正向電壓在350mA下低至3.07V，其比基準(zhǔn)FCLED低0.16V。因此，減小電極的尺寸以形成高密度點觸點(例如，將大電極分解成高密度點觸點)可通過縮短橫向電流散布距離而減小串行電阻。由于與PC-FCLED A相關(guān)聯(lián)的減小的n型觸點面積，PC-FCLED A具有最高正向電壓。

圖22B提供了與在350mA下所測量的用于基準(zhǔn)FCLED和多個PC-FCLED A-D的光輸出功率(LOP)和電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)相關(guān)聯(lián)的圖形2202。如圖22B所示，PC-FCLED A-D中的每個與高于基準(zhǔn)FCLED的LOP和WPE相關(guān)聯(lián)。例如，PC-FCLED D的LOP在350mA下為72mW，這與基準(zhǔn)FCLED相比高出18％的光輸出功率。當(dāng)與相同電流水平下的基準(zhǔn)FCLED相比時，PC-FCLED D的WPE增加了24％。LOP和WPE的增加可歸因于例如經(jīng)由大量n型點觸點孔改善的光提取，經(jīng)由高密度n型點觸點分布在PC-FCLED上的更均勻載體，和/或縮短的橫向電流散布距離。

圖23提供了示出PC-FCLED D和基準(zhǔn)FCLED的光電流(L-I)曲線和標(biāo)準(zhǔn)化WPE的比較結(jié)果的圖形2300。圖23的圖形2300所示的PC-FCLED D和基準(zhǔn)FCLED的L-I曲線通過脈沖電流輸入進(jìn)行測量以使熱生成最小化。如圖23所示，雖然基準(zhǔn)FCLED的LOP在1.8A飽和，但是PC-FCLED D的LOP可在278mW的LOP峰值之前增大至2.4A之上。因此，PC-FCLED D可實現(xiàn)比基準(zhǔn)FCLED的最大LOP高43％的LOP。對標(biāo)準(zhǔn)化的WPE進(jìn)行比較，PC-FCLED D表現(xiàn)出較低效率下降。如圖23進(jìn)一步所示，基準(zhǔn)FCLED從100mA至2A與75％的WPE降級相關(guān)聯(lián)，而PC-FCLED D從100mA至2A與64％的WPE降級相關(guān)聯(lián)。該效率下降減少可歸因于均勻載體分布，這可有效地抑制有源區(qū)域中的局部俄歇復(fù)合和/或載體過流。因此，PC-FCLED A-D可提供對各種功率應(yīng)用的改善，諸如，例如照明應(yīng)用、功率應(yīng)用(例如，超高功率應(yīng)用等)。

圖24示出了根據(jù)本公開的某些方面的方法。雖然出于簡化說明的目的，該方法被示出和描述為一系列動作，但是應(yīng)當(dāng)理解和體會，本公開不受限于這些動作的次序，因為一些動作可以不同次序發(fā)生和/或可與本文所示和所描述的那些其它動作同時發(fā)生。例如，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解和體會，該方法可替代地表示為諸如狀態(tài)圖中的一系列相關(guān)狀態(tài)或事件。此外，可能不需要所有所示動作來實現(xiàn)根據(jù)本公開的某些方面的方法。此外，還應(yīng)理解，下文和整個本公開所公開的方法能夠存儲于制品上以便于將此類方法傳送和傳輸至計算機(jī)。

現(xiàn)轉(zhuǎn)向圖24，示出的是根據(jù)本文所描述的方面和實施方式的用于制造裝置(例如，氮化鎵FCLED、PC-FCLED等)的示例性方法2400的高水平流程圖。在2402處，氮化鎵層形成于襯底上，其中氮化鎵層包括第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)。例如，氮化鎵層(例如，氮化鎵層104)可為生長于襯底上的GaN外延層。襯底可以為例如藍(lán)寶石襯底。在一方面，氮化鎵層可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(例如，MOCVD等)形成。在某些實施例中，方法2400還可包括基于通過光刻法形成的圖案而在氮化鎵層上形成第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)。此外，方法2400可包括經(jīng)由電感耦合等離子體蝕刻來蝕刻第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)。

在2404處，形成與氮化鎵層相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層。例如，導(dǎo)電層(例如，導(dǎo)電層302)可經(jīng)由電子束蒸鍍形成于氮化鎵層上。在一個示例中，導(dǎo)電層可為導(dǎo)電氧化物層(例如，氧化銦錫層等)。在一方面，方法2400還可包括在大氣環(huán)境壓力下退火。

在2406處，形成與導(dǎo)電層相關(guān)聯(lián)的第一導(dǎo)電觸點。此外，形成與第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的第二導(dǎo)電觸點組。例如，第一導(dǎo)電層(例如，第一導(dǎo)電觸點)和第二導(dǎo)電層(例如，第二導(dǎo)電觸點組)可通過蒸鍍與導(dǎo)電層(例如，與氮化鎵層相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層)相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層組而形成。第二導(dǎo)電觸點組(例如，第二導(dǎo)電層)可形成于第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)中的每一個中。因此，第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)中的每個可與第二導(dǎo)電觸點組(例如，第二導(dǎo)電層)相關(guān)聯(lián)。此外，第一導(dǎo)電觸點(例如，第一導(dǎo)電層)可形成于導(dǎo)電層的不與第一組凹陷結(jié)構(gòu)和第二組凹陷結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的一個或多個部分上。

在2408處，鈍化層沉積于第一導(dǎo)電觸點和第二導(dǎo)電觸點組上。此外，鈍化層(例如，鈍化層106)可沉積于氮化鎵層上。例如，氧化物層(例如，二氧化硅層)、氮化物層、聚合物層、聚酰亞胺層和另一類型的鈍化層可沉積于導(dǎo)電層和/或氮化鎵層上。在一方面，鈍化層可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積(例如，PECVD等)而沉積于導(dǎo)電層和/或氮化鎵層上。在一方面，鈍化層可經(jīng)由旋涂而沉積于導(dǎo)電層和/或氮化鎵層上。在又一方面，鈍化層可經(jīng)由噴涂而沉積于導(dǎo)電層和/或氮化鎵層上。

在2410處，形成與第一導(dǎo)電觸點和/或第二組導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)的開口組。例如，開口組可經(jīng)由濕法蝕刻技術(shù)(例如，經(jīng)由緩沖氧化物蝕刻劑濕法蝕刻)而形成。在另一示例中，開口組可經(jīng)由干法蝕刻技術(shù)而形成。在又一示例中，開口組可經(jīng)由光刻過程而形成。

在2412處，至少在鈍化層上形成第一接觸層。第一接觸層(例如，第二導(dǎo)電層110)與第一導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)。例如，第一接觸層可形成為覆蓋鈍化層的至少一部分和第一導(dǎo)電觸點的至少一部分(例如，與第一導(dǎo)電觸點相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電觸點組)。

在2414處，至少在鈍化層上形成第二接觸層組。第二接觸層組(例如，第一導(dǎo)電層108a-b)與第二導(dǎo)電觸點組相關(guān)聯(lián)。例如，第一接觸層可形成為覆蓋第二導(dǎo)電觸點組和鈍化層的至少一部分。在一個示例中，第一接觸層可形成于第二接觸層組的一個接觸層與另一接觸層之間。

上文已描述的內(nèi)容包括本發(fā)明的示例。當(dāng)然，不可能出于描述本發(fā)明的目的而描述每個可想象的部件或方法的組合，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，本發(fā)明的許多其它組合和排列是可能的。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的所有此類替代形式、修改和變型。此外，在一定程度上，術(shù)語“包括(includes)”和“包括(involves)”用于具體實施方式或權(quán)利要求中，此類術(shù)語旨在以類似于術(shù)語“包括(comprise)”在用作權(quán)利要求書中的過渡詞時所解釋的方式為包容性的。

本說明書各處對“一個實施方式”或“實施方式”的參考是指結(jié)合該實施方式所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括于至少一個實施方式中。因此，在本說明書中各處出現(xiàn)的短語“在一個實施方式中”或“在實施方式中”不必全部涉及相同實施方式。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可在一個或多個實施方式中以任何合適的方式組合。

詞語“示例性”和/或“說明性”在本文用于表示用作示例、例子或說明。為避免疑義，本文所公開的主題不由此類示例限定。此外，本文描述為“示例性”和/或“說明性”的任何方面或設(shè)計不必理解為相比于其它方面或設(shè)計為優(yōu)選的或有利的，并且不表示排除本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已知的等同示例性結(jié)構(gòu)和技術(shù)。在一定程度上，術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和其它類似詞語用于具體實施方式或權(quán)利要求中，此類術(shù)語旨在以類似于作為開放式過渡詞的術(shù)語“包括”的方式為包容性的，而不排除任何附加或其它元件。