技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種埋藏溝道晶體管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成阱區(qū)；在阱區(qū)內(nèi)形成反型摻雜區(qū)，反型摻雜區(qū)中摻雜的類型與阱區(qū)中摻雜的類型相反，且反型摻雜區(qū)的深度小于阱區(qū)的深度；在所述反型摻雜區(qū)的上方的半導(dǎo)體襯底表面上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的柵電極，所述柵電極的中摻雜有雜質(zhì)離子，所述柵電極中摻雜的類型與阱區(qū)的類型相同；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)中摻雜類型與阱區(qū)中的雜質(zhì)離子類型相反，源區(qū)和漏區(qū)的深度小于阱區(qū)的深度且大于反型摻雜區(qū)的深度。本發(fā)明方法形成的晶體管防止了閃爍噪音的產(chǎn)生，提高了器件的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：邱慈云;克里夫·德勞利;辜良智;江宇雷;余達強
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.30
技術(shù)公布日：2017.07.07