技術總結
一種晶體管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有柵極結構；在柵極結構兩側的基底內形成第一摻雜層；在柵極結構的側壁形成第一側墻；去除第一側墻兩側的第一摻雜層；在第一側墻兩側的基底內形成第二摻雜層，第二摻雜層的摻雜濃度高于第一摻雜層的摻雜濃度；在第一側墻側壁形成第二側墻；在第二側墻兩側的基底中形成源區(qū)或漏區(qū)。本發(fā)明通過設置第一摻雜層和第二摻雜層，且第二摻雜層的摻雜濃度高于第一摻雜層的摻雜濃度，增大了柵極結構和溝道之間的距離，增大了柵介質層與溝道載流子之間的距離，有效降低了熱載流子向柵介質層注入的可能，避免形成柵電極電流和基底電流，改善晶體管的性能，提高器件的可靠性。

技術研發(fā)人員：趙猛
受保護的技術使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號碼：201510904226
技術研發(fā)日：2015.12.09
技術公布日：2017.06.16