技術(shù)特征：

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有柵極結(jié)構(gòu)；

在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)形成第一摻雜層；

在柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成第一側(cè)墻；

去除所述第一側(cè)墻兩側(cè)的第一摻雜層；

在第一側(cè)墻兩側(cè)的基底內(nèi)形成第二摻雜層，所述第二摻雜層的摻雜濃度高于所述第一摻雜層的摻雜濃度；

在第一側(cè)墻側(cè)壁形成第二側(cè)墻；

在所述第二側(cè)墻兩側(cè)的基底中形成源區(qū)或漏區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一摻雜層的步驟中，所述第一摻雜層的厚度在2納米到10納米范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一摻雜層的步驟包括：對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底進(jìn)行第一離子注入以形成第一摻雜層。

4.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，進(jìn)行第一離子注入的步驟中，所述離子注入能量在1.5KeV到3.0KeV范圍內(nèi)，注入劑量在5E12atoms/cm²到8E13atoms/cm²范圍內(nèi)，傾斜角度在0°到15°范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二摻雜層的步驟中，所述第二摻雜層的厚度在10納米到40納米范圍內(nèi)。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二摻雜層的步驟包括：通過(guò)對(duì)第一側(cè)墻兩側(cè)的基底進(jìn)行第二離子注入以形成第二摻雜層。

7.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成第二摻雜層的步驟中，所述離子注入能量在3KeV到30KeV范圍內(nèi)，注入劑量在1E14atoms/cm²到1E15atoms/cm²范圍內(nèi)，傾斜角度在7°到35°范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第二摻雜層的步驟包括：通過(guò)原位摻雜的方式形成所述第二摻雜層。

9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，通過(guò)原位摻雜的方式形成所 述第二摻雜層的步驟中，所述摻雜濃度在1E19atoms/cm³到5E20atoms/cm³范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二摻雜層的步驟之后，在形成第二側(cè)墻的步驟之前，所述形成方法還包括：對(duì)所述第一摻雜層和所述第二摻雜層進(jìn)行退火處理。

11.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一側(cè)墻兩側(cè)的第一摻雜層的步驟包括：去除第一側(cè)墻兩側(cè)部分厚度的基底，去除基底的厚度在0.06微米到0.2微米范圍內(nèi)。

12.一種晶體管，其特征在于，包括：

基底以及位于基底上的柵極結(jié)構(gòu)；

覆蓋柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一側(cè)墻；

位于第一側(cè)墻下方基底內(nèi)的第一摻雜層；

覆蓋第一側(cè)墻側(cè)壁的第二側(cè)墻；

位于第二側(cè)墻下方的第二摻雜層，所述第二摻雜層的摻雜濃度高于所述第一摻雜層的摻雜濃度；

位于第二摻雜層兩側(cè)基底中的源區(qū)或者漏區(qū)。

13.如權(quán)利要求12所述的晶體管，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度在2納米到10納米范圍內(nèi)。

14.如權(quán)利要求12所述的晶體管，其特征在于，所述第一摻雜層的摻雜濃度在5E17atoms/cm³到8E18atoms/cm³范圍內(nèi)。

15.如權(quán)利要求12所述的晶體管，其特征在于，所述第二摻雜層的厚度在10納米到40納米范圍內(nèi)。

16.如權(quán)利要求12所述的晶體管，其特征在于，所述第二摻雜層的摻雜濃度在1E19atoms/cm³到5E20atoms/cm³范圍內(nèi)。