技術(shù)總結(jié)
一種NAND閃存存儲(chǔ)單元、NAND閃存及其形成方法。所述NAND閃存存儲(chǔ)單元包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一鰭部；所述第一鰭部至少包括從下到上層疊的第一隔離層、第一疊層結(jié)構(gòu)、第二隔離層和第二疊層結(jié)構(gòu)；所述第一疊層結(jié)構(gòu)包括第一源層、第一溝道層和第一漏層；所述第二疊層結(jié)構(gòu)包括第二源層、第二溝道層和第二漏層。所述NAND閃存存儲(chǔ)單元具有很好的工藝尺寸持續(xù)縮小能力，并且所述NAND閃存存儲(chǔ)單元能夠從器件結(jié)構(gòu)上解決存儲(chǔ)單元讀取干擾的問題。同時(shí)，所述NAND閃存的形成方法簡(jiǎn)單，工藝成本降低。

技術(shù)研發(fā)人員：黃新運(yùn);肖磊;劉紅霞;徐烈偉;沈磊;劉崎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510882991
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.03
技術(shù)公布日：2017.06.13