1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有高K介質(zhì)材料層以及位于高K介質(zhì)材料層上的偽柵材料層；
在刻蝕腔內(nèi)側(cè)壁表面形成第一硅氧氯層；
在形成第一硅氧氯層后，將半導(dǎo)體襯底置于刻蝕腔中；
在將半導(dǎo)體襯底置于刻蝕腔中后，刻蝕去除部分所述偽柵材料層，形成偽柵；
在形成偽柵后，在所述刻蝕腔的內(nèi)側(cè)壁表面以及偽柵的側(cè)壁表面形成第二硅氧氯層；
在形成第二硅氧氯層后，以所述偽柵為掩膜，刻蝕所述高K介質(zhì)材料層，在偽柵底部形成高K柵介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一硅氧氯層的厚度為2nm～20nm，第一硅氧氯層的材料為SixOyClz，其中x＝1，y＝1～3，z＝1～3。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第一硅氧氯層采用的源氣體為SiCl4和O2，SiCl4的流量為10～100SCCM，O2的流量為20～200SCCM，刻蝕腔中源功率為100～1000W，刻蝕腔中偏置電壓0～50V，刻蝕腔壓力為2～50mtorr。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二硅氧氯層的厚度為1～3nm，第二硅氧氯層材料為SixOyClz，其中x＝1，y＝1～3，z＝1～3。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第二硅氧氯層采用的源氣體為SiCl4和O2，SiCl4的流量為10～100SCCM，O2的流量為20～200SCCM，刻蝕腔中源功率為100～1000W，刻蝕腔中偏置電壓0～50V，刻蝕腔壓力為2～50mtorr。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述高K柵介 質(zhì)層的材料為HfO2、TiO2、HfZrO、HfSiNO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3或BaSrTiO。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕所述高K柵介質(zhì)層采用各向異性的干法刻蝕工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述各向異性的干法刻蝕工藝為等離子體刻蝕工藝，所述等離子體刻蝕工藝采用的刻蝕氣體為Cl2和BCl3，Cl2的流量為10～100sccm，BCl3的流量為10～100sccm，源功率為100～1000W，偏置電壓為50～200V,腔室壓力為2～30mtorr。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：去除所述偽柵側(cè)壁表面的第二硅氧氯層。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述第二硅氧氯層采用的工藝為濕法刻蝕。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，濕法刻蝕采用的刻蝕溶液為稀釋氫氟酸。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，稀釋氫氟酸中水和氫氟酸的體積比為100:1～500:1。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底表面以及偽柵側(cè)壁表面的介質(zhì)層；去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；在所述凹槽中填充金屬，形成金屬柵極。