技術(shù)編號：12598914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。背景技術(shù)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(MOS晶體管)是構(gòu)成集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路的主要器件之一。自MOS晶體管發(fā)明以來，其幾何尺寸按照摩爾定律一直在不斷縮小，目前其特征尺寸已發(fā)展進(jìn)入深亞微米以下。在此尺度下，器件的幾何尺寸按比例縮小變得越來越困難。另外，在MOS晶體管器件及其電路制造領(lǐng)域，最具挑戰(zhàn)性的是傳統(tǒng)CMOS工藝在器件按比例縮小過程中，由于二氧化硅柵介質(zhì)層高度減小所帶來的從柵極向襯底的漏電流問題。為解決上述漏電問題，目前MO...
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