技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底和形成在襯底上方的浮置柵極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括形成在浮置柵極結(jié)構(gòu)上方的介電結(jié)構(gòu)和形成在介電結(jié)構(gòu)上方的控制柵極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括形成在控制柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的下部上方的第一間隔件；以及形成在控制柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的上部上方的上部間隔件。此外，控制柵極結(jié)構(gòu)的一部分與上部間隔件直接接觸。本發(fā)明實施例涉及具有多個間隔件的柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：盤家銘;莊強名;何珮綺;謝炳邦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510852443
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.27
技術(shù)公布日：2017.02.15