1.一種確定半導(dǎo)體器件失效位置的方法，包括：
步驟S1：對所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行失效位置分析，以找到目標(biāo)位置；
步驟S2：在所述目標(biāo)位置所在的平面上、在所述目標(biāo)位置的周圍制作若干第一標(biāo)識(shí)，以標(biāo)記所述目標(biāo)位置；
步驟S3：以所述第一標(biāo)識(shí)為標(biāo)記對所述目標(biāo)位置進(jìn)行定位，并在所述半導(dǎo)體器件中制備包含所述目標(biāo)位置的切片樣品，露出所述切片樣品的底部，并且在露出的所述底部上制作第二標(biāo)識(shí)，以在失效分析中定位所述目標(biāo)位置；
步驟S4：將包含所述目標(biāo)位置和所述第二標(biāo)識(shí)的切片樣品從所述半導(dǎo)體器件中分離，以得到獨(dú)立的切片樣品；
步驟S5：根據(jù)所述第二標(biāo)識(shí)的位置確定所述目標(biāo)位置，并對所述目標(biāo)位置進(jìn)行TEM分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述第二標(biāo)識(shí)位于所述目標(biāo)位置的正下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在進(jìn)行TEM分析時(shí)，先找到所述切片樣品底部的所述第二標(biāo)識(shí)，然后再向上移動(dòng)對準(zhǔn)所述切片樣品的正上部，以定位所述目標(biāo)位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中通過剝層后，選用數(shù)地址或定量點(diǎn)的方式確定所述目標(biāo)位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中還進(jìn)一步包括在確定所述目標(biāo)位置之后進(jìn)行聚焦離子束分析的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一標(biāo)識(shí)至少包括三個(gè)，即分別位于所述目標(biāo)位置的左側(cè)、右側(cè)和在所述目標(biāo)位置的上側(cè)或/和下側(cè)的第一標(biāo)識(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一標(biāo)識(shí)與所述目標(biāo)位置的距離為5-10um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一標(biāo)識(shí)為長度3-5um，深度為0.5-1.5um的凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述第二標(biāo)識(shí)選用長度1-2um的凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一標(biāo)識(shí)和/或所述 第二標(biāo)識(shí)采用100pA的離子束制備。