技術(shù)總結(jié)
提供具有提高的擦除速度的分離柵極閃速存儲(chǔ)器單元。擦除柵極和浮置柵極在半導(dǎo)體襯底上方橫向間隔開。浮置柵極具有：朝向擦除柵極增大的高度；與擦除柵極相鄰的凹形側(cè)壁表面；以及浮置柵極的凹形側(cè)壁表面與上表面的界面限定的尖端?？刂茤艠O和側(cè)壁間隔件布置在浮置柵極的上表面上方?？刂茤艠O橫向偏離浮置柵極的尖端，并且側(cè)壁間隔件橫向布置在控制柵極與尖端之間。還提供了用于制造分離柵極閃速存儲(chǔ)器單元的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：吳常明;劉世昌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510598705
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.18
技術(shù)公布日：2016.11.23