技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種射頻三極管的制作方法及射頻三極管，其中，制作方法包括：在射頻三極管半成體的第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔，然后分別在場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅，并在多晶硅內(nèi)注入N型離子，此后對(duì)場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行光刻及刻蝕，然后再對(duì)第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行退火，此時(shí)就可以在P－基區(qū)中形成N+發(fā)射區(qū)，同時(shí)不影響P+基區(qū)。本發(fā)明將P+基區(qū)和P－基區(qū)的接觸孔的光刻及刻蝕合并到一起來完成，相對(duì)于常規(guī)做法，省去了一層光刻，對(duì)射頻三極管的制作流程進(jìn)行了優(yōu)化，減少了制作工藝的復(fù)雜程度，節(jié)約了制作成本。

技術(shù)研發(fā)人員：馬萬里
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510542968
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.28
技術(shù)公布日：2017.03.08