本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種射頻三極管的制作方法及射頻三極管。

背景技術(shù)：

在射頻三極管的制作工藝中，發(fā)射區(qū)的制作是一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，常規(guī)做法是，首先在介質(zhì)層上進(jìn)行光刻及刻蝕，做出發(fā)射區(qū)的接觸孔，孔內(nèi)生長(zhǎng)多晶硅，利用多晶硅里面的N型雜質(zhì)向P－基區(qū)內(nèi)擴(kuò)散，從而在P－基區(qū)內(nèi)形成發(fā)射區(qū)，然后繼續(xù)進(jìn)行光刻及刻蝕，制作出P+基區(qū)的接觸孔。此種制作工藝的流程較為復(fù)雜，增大了射頻三極管的制造成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了對(duì)射頻三極管的制作流程進(jìn)行優(yōu)化，減少制作工藝的復(fù)雜程度，本發(fā)明提供了一種射頻三極管的制作方法及射頻三極管。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種射頻三極管的制作方法，制作方法包括：

制作射頻三極管半成體，所述射頻三極管半成體包括N+襯底、位于所述N+襯底一側(cè)的N－外延層、位于所述N－外延層上的場(chǎng)氧化層及第一氧化層、位于所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)、以及位于所述第一氧化層上的第二氧化層，其中，所述P－基區(qū)內(nèi)注入有第一離子，所述P+基區(qū)內(nèi)注入有第二離子；

在所述第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔；

分別在場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅；

在所述多晶硅內(nèi)注入N型離子；

對(duì)所述場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行光刻及刻蝕；

對(duì)所述第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行退火，使得所述多晶硅內(nèi)的N型離子通過(guò)所述第二接觸孔進(jìn)入所述P－基區(qū)，形成N+發(fā)射區(qū)；

分別在所述第一接觸孔內(nèi)及多晶硅表面制作金屬層。

可選的，所述制作射頻三極管半成體，具體包括：在N－外延層上的兩端分別制作場(chǎng)氧化層，在N－外延層上除所述場(chǎng)氧化層的剩余部分制作第一氧化層，其中，所述N－外延層位于N+襯底的一側(cè)上；在所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)光刻間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)，并在所述P－基區(qū)內(nèi)注入第一離子，在所述P+基區(qū)內(nèi)注入第二離子；在所述第一氧化層上制作第二氧化層。

可選的，所述在所述N－外延層上的兩端分別制作場(chǎng)氧化層，在N－外延層上除所述場(chǎng)氧化層的剩余部分制作第一氧化層，具體包括：在所述N－外延層上依次制作第三氧化層及氮化硅層；刻蝕氮化硅層的兩端，并在刻蝕掉氮化硅層的區(qū)域上制作場(chǎng)氧化層；去除第三氧化層；在所述N－外延層上制作第一氧化層。

可選的，所述多晶硅的制作溫度為500～1000℃，所述多晶硅的厚度為0.1～0.5um。

可選的，所述N型離子為砷離子，所述N型離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述N型離子的注入能量為30～120KEV。

可選的，所述退火的溫度為1000～1200℃，所述退火的時(shí)間為20～120s。

可選的，所述第一離子為氟化硼或硼離子，所述第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個(gè)/cm²，所述第一離子的注入能量為30～120KEV，所述第二離子為硼離子，所述第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述第二離子的注入能量為30～120KEV。

依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明還提供了一種射頻三極管，所述射頻三極管由上述的射頻三極管的制作方法制備，所述射頻三極管包括:

射頻三極管半成體，所述射頻三極管半成體包括N+襯底、位于所述N+襯底一側(cè)的N－外延層、位于所述N－外延層上的場(chǎng)氧化層及第一氧化層、位于 所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)、以及位于所述第一氧化層上的第二氧化層，其中，所述P－基區(qū)內(nèi)注入有第一離子，所述P+基區(qū)內(nèi)注入有第二離子；

位于所述第二氧化層上的連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔；

位于所述第二接觸孔內(nèi)的多晶硅，其中，所述多晶硅內(nèi)注入有N型離子，且所述N型離子擴(kuò)散至所述P－基區(qū)內(nèi)形成N+發(fā)射區(qū)；

位于所述第一接觸孔及所述多晶硅表面的金屬層。

可選的，所述多晶硅的厚度為0.1～0.5um。

可選的，所述N型離子為砷離子，所述N型離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述N型離子的注入能量為30～120KEV。

可選的，所述第一離子為氟化硼或硼離子，所述第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個(gè)/cm²，所述第一離子的注入能量為30～120KEV，所述第二離子為硼離子，所述第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述第二離子的注入能量為30～120KEV。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明在射頻三極管半成體的第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔，然后分別在場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅，并在多晶硅內(nèi)注入N型離子，此后對(duì)場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行光刻及刻蝕，然后再對(duì)第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行退火，此時(shí)就可以在P－基區(qū)中形成N+發(fā)射區(qū)，同時(shí)不影響P+基區(qū)。本發(fā)明將P+基區(qū)和P－基區(qū)的接觸孔的光刻及刻蝕合并到一起來(lái)完成，相對(duì)于常規(guī)做法，省去了一層光刻，對(duì)射頻三極管的制作流程進(jìn)行了優(yōu)化，減少了制作工藝的復(fù)雜程度，節(jié)約了制作成本。

附圖說(shuō)明

圖1表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的步驟流程圖；

圖2表示圖1中步驟101的具體步驟流程圖；

圖3表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之一；

圖4表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之二

圖5表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之三

圖6表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之四

圖7表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之五

圖8表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之六

圖9表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之七

圖10表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之八

圖11表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之九；

圖12表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之十；

圖13表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之十一；

圖14表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之十二；

圖15表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之十三；以及

圖16表示本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的實(shí)現(xiàn)示意圖之十四。

其中圖中：

1、N+襯底；2、N－外延層；3、第三氧化層；4、氮化硅層；5、場(chǎng)氧化層；6、第一氧化層；7、光刻膠；8、P－基區(qū)；9、P+基區(qū)；10、第二氧化層；11、第一接觸孔；12、第二接觸孔；13、多晶硅；14、N型離子；15、N+發(fā)射區(qū)；16、金屬層。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反，提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開(kāi)，并且能夠?qū)⒈竟_(kāi)的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

如圖1所示，為本發(fā)明的實(shí)施例中射頻三極管的制作方法的步驟流程圖，該制作方法包括：

步驟101，制作射頻三極管半成體。

在本步驟中，首先制作射頻三極管半成體。如圖10所示，射頻三極管半成 體包括N+襯底1、位于N+襯底1一側(cè)的N－外延層2、位于N－外延層2上的場(chǎng)氧化層5及第一氧化層6、位于第一氧化層6覆蓋的N－外延層2內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)8及P+基區(qū)9、以及位于第一氧化層6上的第二氧化層10，其中，P－基區(qū)8內(nèi)注入有第一離子，P+基區(qū)9內(nèi)注入有第二離子。

步驟102，在第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔。

在本步驟中，如圖11所示，在射頻三極管半成體的第二氧化層10上制作連通P+基區(qū)9的第一接觸孔11和連通P－基區(qū)8的第二接觸孔12。

步驟103，分別在場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅。

在本步驟中，如圖12所示，分別在場(chǎng)氧化層5表面、第二氧化層10表面、第一接觸孔11及第二接觸孔12內(nèi)淀積多晶硅13?？蛇x的，多晶硅的類型可以為不摻雜的多晶硅。

步驟104，在多晶硅內(nèi)注入N型離子。

在本步驟中，如圖13所示，在多晶硅13內(nèi)注入N型離子14，具體的，N型離子14可以為砷離子。

步驟105，對(duì)場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行光刻及刻蝕。

在本步驟中，如圖14所示，對(duì)場(chǎng)氧化層5表面、第二氧化層10表面及第一接觸孔11內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行光刻及刻蝕，并保留第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13。

步驟106，對(duì)第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行退火，使得多晶硅內(nèi)的N型離子通過(guò)第二接觸孔進(jìn)入P－基區(qū)，形成N+發(fā)射區(qū)。

在本步驟中，如圖15所示，對(duì)第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行退火，具體的，可以對(duì)第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行快速熱退火，以使多晶硅13內(nèi)的N型離子通過(guò)第二接觸孔12進(jìn)入P－基區(qū)8，并形成N+發(fā)射區(qū)15。

步驟107，分別在第一接觸孔內(nèi)及多晶硅表面制作金屬層。

在本步驟中，如圖16所示，分別在第一接觸孔11內(nèi)及多晶硅13表面制作金屬層16，以完成射頻三極管的制作。

至此，在經(jīng)過(guò)上述步驟后，完成射頻三極管的制作。

本實(shí)施例在射頻三極管半成體的第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔，然后分別在場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅，并在多晶硅內(nèi)注入N型離子，此后對(duì)場(chǎng)氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行光刻及刻蝕，然后再對(duì)第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進(jìn)行退火，此時(shí)就可以在P－基區(qū)中形成N+發(fā)射區(qū)，同時(shí)不影響P+基區(qū)。本實(shí)施例將P+基區(qū)和P－基區(qū)的接觸孔的光刻及刻蝕合并到一起來(lái)完成，相對(duì)于常規(guī)做法，省去了一層光刻，對(duì)射頻三極管的制作流程進(jìn)行了優(yōu)化，減少了制作工藝的復(fù)雜程度，節(jié)約了制作成本。

如圖2所示，為圖1中步驟101的具體步驟流程圖，步驟101主要包括如下分步驟：

步驟1011，在N－外延層上依次制作第三氧化層及氮化硅層。

在本步驟中，如圖3所示，在N－外延層2上依次制作第三氧化層3及氮化硅層4。具體的，N－外延層2位于N+襯底1的一側(cè)上。具體的，第三氧化層3的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.01～0.05um；氮化硅層4的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.10～0.30um。

步驟1012，刻蝕氮化硅層的兩端，并在刻蝕掉氮化硅層的區(qū)域上制作場(chǎng)氧化層。

在本步驟中，如圖4及圖5所示，圖4示意為對(duì)氮化硅層4進(jìn)行光刻及刻蝕，將需要生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層5區(qū)域的表面的氮化硅層4刻蝕掉。具體的，在本實(shí)施例中，為將位于第三氧化層3上的兩端的氮化硅層4刻蝕掉，刻蝕的流程可以為：涂膠、曝光、顯影及干法刻蝕。圖5示意為在刻蝕掉氮化硅層4的區(qū)域上制作場(chǎng)氧化層5，具體的，場(chǎng)氧化層5可以在高溫管中生長(zhǎng)，且場(chǎng)氧化層5的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.3～1.0um。

步驟1013，去除第三氧化層。

在本步驟中，如圖6所示，將N－外延層2上的第三氧化層去除掉。具體的，可以先使用濃磷酸剝除第三氧化層上的剩余氮化硅層，然后再用氫氟酸去除第三氧化層。

步驟1014，在N－外延層上制作第一氧化層。

在本步驟中，如圖7所示，在N－外延層2上制作第一氧化層6，具體的，第一氧化層6的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.01～0.05um。

步驟1015，在第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)光刻間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)，并在P－基區(qū)內(nèi)注入第一離子，在P+基區(qū)內(nèi)注入第二離子。

在本步驟中，如圖8及圖9所示，在第一氧化層6覆蓋的N－外延層2內(nèi)光刻間隔分布的P－基區(qū)8及P+基區(qū)9的過(guò)程中，可以先在N－外延層2內(nèi)光刻P－基區(qū)8，然后再在P－基區(qū)8的基礎(chǔ)上制作P+基區(qū)9。

具體的，如圖8所示，在N－外延層2內(nèi)光刻P－基區(qū)8，并且為了更方便的光刻P－基區(qū)8及避免在P－基區(qū)8內(nèi)注入第一離子時(shí)，第一離子被注入到其他的區(qū)域，可以在不需要光刻P－基區(qū)的N－外延層2的上方及場(chǎng)氧化層5的上方覆蓋光刻膠7。具體的，第一離子為氟化硼或硼離子，第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個(gè)/cm²，第一離子的注入能量為30～120KEV。

如圖9所示，在P－基區(qū)8的基礎(chǔ)上制作P+基區(qū)9時(shí)，可以先在不需要光刻P+基區(qū)的N－外延層2上的第一氧化層6上覆蓋光刻膠7，然后再在光刻膠7的間隙內(nèi)光刻P+基區(qū)9，最后形成間隔分布的P－基區(qū)8及P+基區(qū)9。具體的，注入到P+基區(qū)9內(nèi)的第二離子為硼離子，第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，第二離子的注入能量為30～120KEV。

步驟1016，在第一氧化層上制作第二氧化層。

在本步驟中，如圖10所示，在第一氧化層6上制作第二氧化層10，具體的，第二氧化層10的生長(zhǎng)溫度為500～1000℃，厚度為0.1～0.5um。

至此，在經(jīng)過(guò)上述步驟后，完成射頻三極管半成體的制作。

下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行舉例說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例中的射頻三極管的制作方法，如圖3所示，首先在位于N+襯底1上的N－外延層2上依次制作第三氧化層3和氮化硅層4，具體的，第三氧化層3的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.01～0.05um；氮化硅層4的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.10～0.30um。

進(jìn)一步的，如圖4所示，對(duì)氮化硅層4進(jìn)行光刻及刻蝕，將需要生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層5的區(qū)域表面的氮化硅層4刻蝕掉。具體的，可以刻蝕掉氮化硅層4的兩端，刻蝕的流程為：涂膠、曝光、顯影及干法刻蝕。

進(jìn)一步的，如圖5所示，在刻蝕掉氮化硅層的區(qū)域制作場(chǎng)氧化層5。具體的，可以在高溫爐管中生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層5，且場(chǎng)氧化層5的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.3～1.0um。

進(jìn)一步的，如圖6所示，去除N－外延層2上的第三氧化層3。具體的，可以先使用濃磷酸剝除第三氧化層3上的剩余氮化硅層4，然后再用氫氟酸去除第三氧化層3。

進(jìn)一步的，如圖7所示，在N－外延層2上制作第一氧化層6。具體的，第一氧化層6的生長(zhǎng)溫度為800～1000℃，厚度為0.01～0.05um。

進(jìn)一步的，如圖8所示，在N－外延層2內(nèi)光刻P－基區(qū)8。此外，為了更方便的光刻P－基區(qū)8及避免在P－基區(qū)8內(nèi)注入第一離子時(shí)，第一離子被注入到其他的區(qū)域，可以在不需要光刻P－基區(qū)的N－外延層2的上方及場(chǎng)氧化層5的上方覆蓋光刻膠7。具體的，第一離子為氟化硼或硼離子，第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個(gè)/cm²，第一離子的注入能量為30～120KEV。

進(jìn)一步的，如圖9所示，在P－基區(qū)8的基礎(chǔ)上制作P+基區(qū)9。此時(shí)，可以先在不需要光刻P+基區(qū)的N－外延層2上的第一氧化層6上覆蓋光刻膠7，然后再在光刻膠7的間隙內(nèi)光刻P+基區(qū)9，最后形成間隔分布的P－基區(qū)8及P+基區(qū)9。具體的，注入到P+基區(qū)9內(nèi)的第二離子為硼離子，第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，第二離子的注入能量為30～120KEV。

進(jìn)一步的，如圖10所示，在第一氧化層6上制作第二氧化層10。具體的，第二氧化層10的生長(zhǎng)溫度為500～1000℃，厚度為0.1～0.5um。

進(jìn)一步的，如圖11所示，在第二氧化層10上制作連通P+基區(qū)9的第一接觸孔11和連通P－基區(qū)8的第二接觸孔12。具體的，光刻及刻蝕第一接觸孔11和第二接觸孔12的流程為：涂膠、曝光、顯影及干法刻蝕。本步驟與常規(guī)做法的區(qū)別是，本步驟將P－基區(qū)8及P+基區(qū)9的表面的接觸孔都刻蝕開(kāi)，而不是僅僅只刻蝕掉P－基區(qū)8的表面的接觸孔。

進(jìn)一步的，如圖12所示，分別在場(chǎng)氧化層5表面、第二氧化層10表面、第一接觸孔11及第二接觸孔12內(nèi)淀積多晶硅13。具體的，多晶硅的類型可以為不摻雜的多晶硅，多晶硅的制作溫度為500～1000℃，厚度為0.1～0.5um。

進(jìn)一步的，如圖13所示，在多晶硅13內(nèi)注入N型離子14。具體的，N型 離子14可以為砷離子，且N型離子的注入劑量可以為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，N型離子的注入能量為30～120KEV。本步驟與常規(guī)做法的區(qū)別是，本步驟直接在多晶硅13內(nèi)注入N型離子14，而不是在多晶硅刻蝕以后再注入離子。

進(jìn)一步的，如圖14所示，對(duì)場(chǎng)氧化層5表面、第二氧化層10表面及第一接觸孔11內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行光刻及刻蝕，并保留第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13。

進(jìn)一步的，如圖15所示，對(duì)第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行退火。具體的，可以對(duì)第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13進(jìn)行快速熱退火，以使多晶硅13內(nèi)的N型離子14通過(guò)第二接觸孔12進(jìn)入P－基區(qū)8，并形成N+發(fā)射區(qū)15。在此，退火的溫度為1000～1200℃，退火的時(shí)間為20～120s。本步驟與常規(guī)做法的區(qū)別是，本步驟直接做退火處理，而不是要先進(jìn)行N型離子的注入，然后再進(jìn)行快速熱退火。

進(jìn)一步的，如圖16所示，分別在第一接觸孔11內(nèi)及多晶硅13表面制作金屬層16，以完成射頻三極管的制作。

本發(fā)明主要是將P－基區(qū)的接觸孔、P+基區(qū)的接觸孔的光刻、刻蝕，合并到一起來(lái)完成，后續(xù)制作多晶硅、在多晶硅中注入N型離子，然后并不馬上進(jìn)行快速熱退火，而是先做多晶硅的光刻與刻蝕(只將N+發(fā)射區(qū)表面的多晶硅保留下來(lái))，然后再進(jìn)行快速熱退火，此時(shí)就可以在P－基區(qū)中形成N+發(fā)射區(qū)，同時(shí)不影響到P+基區(qū)。本發(fā)明相對(duì)于常規(guī)做法，省去了一層光刻，對(duì)射頻三極管的制作流程進(jìn)行了優(yōu)化，減少了制作工藝的復(fù)雜程度，節(jié)約了制作成本。

如圖16所示，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種射頻三極管，該射頻三極管由上述的射頻三極管的制作方法制作，該射頻三極管包括：

射頻三極管半成體，所述射頻三極管半成體包括N+襯底1、位于所述N+襯底1一側(cè)的N－外延層2、位于所述N－外延層2上的場(chǎng)氧化層5及第一氧化層6、位于所述第一氧化層6覆蓋的N－外延層2內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)8及P+基區(qū)9、以及位于所述第一氧化層6上的第二氧化層10，其中，所述P－基區(qū)8內(nèi)注入有第一離子，所述P+基區(qū)9內(nèi)注入有第二離子；

位于所述第二氧化層10上的連通P+基區(qū)9的第一接觸孔11和連通P－基區(qū)8的第二接觸孔12；

位于所述第二接觸孔12內(nèi)的多晶硅13，其中，所述多晶硅13內(nèi)注入有N 型離子，且所述N型離子擴(kuò)散至所述P－基區(qū)8內(nèi)形成N+發(fā)射區(qū)15；

位于所述第一接觸孔11及所述多晶硅13表面的金屬層16。

可選的，所述多晶硅13的厚度為0.1～0.5um。

可選的，所述N型離子為砷離子，所述N型離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述N型離子的注入能量為30～120KEV。

可選的，所述第一離子為氟化硼或硼離子，所述第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個(gè)/cm²，所述第一離子的注入能量為30～120KEV，所述第二離子為硼離子，所述第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個(gè)/cm²，所述第二離子的注入能量為30～120KEV。

需要說(shuō)明的是，該射頻三極管是應(yīng)用上述射頻三極管的制作方法制作而成的，上述射頻三極管的制作方法的實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)方式適用于該射頻三極管，也能達(dá)到相同的技術(shù)效果。

以上所述的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述的原理前提下還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。