技術特征：

1.一種射頻三極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

制作射頻三極管半成體，所述射頻三極管半成體包括N+襯底、位于所述N+襯底一側的N－外延層、位于所述N－外延層上的場氧化層及第一氧化層、位于所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)、以及位于所述第一氧化層上的第二氧化層，其中，所述P－基區(qū)內(nèi)注入有第一離子，所述P+基區(qū)內(nèi)注入有第二離子；

在所述第二氧化層上制作連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔；

分別在場氧化層表面、第二氧化層表面、第一接觸孔及第二接觸孔內(nèi)淀積多晶硅；

在所述多晶硅內(nèi)注入N型離子；

對所述場氧化層表面、第二氧化層表面及第一接觸孔內(nèi)的多晶硅進行光刻及刻蝕；

對所述第二接觸孔內(nèi)的多晶硅進行退火，使得所述多晶硅內(nèi)的N型離子通過所述第二接觸孔進入所述P－基區(qū)，形成N+發(fā)射區(qū)；

分別在所述第一接觸孔內(nèi)及多晶硅表面制作金屬層。

2.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作射頻三極管半成體，具體包括：

在N－外延層上的兩端分別制作場氧化層，在N－外延層上除所述場氧化層的剩余部分制作第一氧化層，其中，所述N－外延層位于N+襯底的一側上；

在所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)光刻間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)，并在所述P－基區(qū)內(nèi)注入第一離子，在所述P+基區(qū)內(nèi)注入第二離子；

在所述第一氧化層上制作第二氧化層。

3.根據(jù)權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N－外延層上的兩端分別制作場氧化層，在N－外延層上除所述場氧化層的剩余部分制作第一氧化層，具體包括：

在所述N－外延層上依次制作第三氧化層及氮化硅層；

刻蝕氮化硅層的兩端，并在刻蝕掉氮化硅層的區(qū)域上制作場氧化層；

去除第三氧化層；

在所述N－外延層上制作第一氧化層。

4.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多晶硅的制作溫度為500～1000℃，所述多晶硅的厚度為0.1～0.5um。

5.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N型離子為砷離子，所述N型離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個/cm²，所述N型離子的注入能量為30～120KEV。

6.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述退火的溫度為1000～1200℃，所述退火的時間為20～120s。

7.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一離子為氟化硼或硼離子，所述第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個/cm²，所述第一離子的注入能量為30～120KEV，所述第二離子為硼離子，所述第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個/cm²，所述第二離子的注入能量為30～120KEV。

8.一種射頻三極管，其特征在于，所述射頻三極管由權利要求1～7所述的射頻三極管的制作方法制備，所述射頻三極管包括:

射頻三極管半成體，所述射頻三極管半成體包括N+襯底、位于所述N+襯底一側的N－外延層、位于所述N－外延層上的場氧化層及第一氧化層、位于所述第一氧化層覆蓋的N－外延層內(nèi)間隔分布的P－基區(qū)及P+基區(qū)、以及位于所述第一氧化層上的第二氧化層，其中，所述P－基區(qū)內(nèi)注入有第一離子，所述P+基區(qū)內(nèi)注入有第二離子；

位于所述第二氧化層上的連通P+基區(qū)的第一接觸孔和連通P－基區(qū)的第二接觸孔；

位于所述第二接觸孔內(nèi)的多晶硅，其中，所述多晶硅內(nèi)注入有N型離子，且所述N型離子擴散至所述P－基區(qū)內(nèi)形成N+發(fā)射區(qū)；

位于所述第一接觸孔及所述多晶硅表面的金屬層。

9.根據(jù)權利要求8所述的射頻三極管，其特征在于，所述多晶硅的厚度為0.1～0.5um。

10.根據(jù)權利要求8所述的射頻三極管，其特征在于，所述N型離子為砷 離子，所述N型離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個/cm²，所述N型離子的注入能量為30～120KEV。

11.根據(jù)權利要求8所述的射頻三極管，其特征在于，所述第一離子為氟化硼或硼離子，所述第一離子的注入劑量為(1×10¹³～5×10¹⁴)個/cm²，所述第一離子的注入能量為30～120KEV，所述第二離子為硼離子，所述第二離子的注入劑量為(1×10¹⁵～5×10¹⁶)個/cm²，所述第二離子的注入能量為30～120KEV。