技術(shù)總結(jié)
一種快閃存儲器及其制作方法，在填充相鄰存儲晶體管的柵極堆疊結(jié)構(gòu)時，采用填充性能較差的填充工藝，以在相鄰存儲晶體管之間形成空氣隙。該空氣隙的介電常數(shù)小于二氧化硅介電層的介電常數(shù)，因而能降低讀、寫、擦除過程中產(chǎn)生的寄生電容，避免相鄰存儲晶體管之間相互干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：仇圣棻;孔繁生
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號碼：201510407954
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.13
技術(shù)公布日：2017.01.25