技術(shù)總結(jié)
一種晶體管的形成方法，包括：提供具有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的襯底，襯底表面具有介質(zhì)層，介質(zhì)層內(nèi)具有暴露出部分第一有源區(qū)和第二有源區(qū)表面的第一開口，第一開口的底部表面具有柵介質(zhì)層；在介質(zhì)層表面、以及第一開口的側(cè)壁和底部表面形成第一功函數(shù)膜；對(duì)第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜進(jìn)行功函數(shù)調(diào)節(jié)處理，使第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜轉(zhuǎn)變成第二功函數(shù)膜；之后，去除介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)膜和第二功函數(shù)膜，形成位于第一有源區(qū)的第二功函數(shù)層、以及位于第二有源區(qū)的第一功函數(shù)層；在功函數(shù)調(diào)解處理工藝之后，在第一開口內(nèi)形成填充滿第一開口的柵極層。形成晶體管的過(guò)程簡(jiǎn)化，所形成的晶體管性能改善。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510381679
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.02
技術(shù)公布日：2017.01.11