1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底具有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述襯底表面具有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層內(nèi)具有暴露出部分第一有源區(qū)和第二有源區(qū)表面的第一開口，所述第一開口的底部表面具有柵介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層表面、以及第一開口的側(cè)壁和底部表面形成第一功函數(shù)膜；
對第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜進行功函數(shù)調(diào)節(jié)處理，使第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜轉(zhuǎn)變成第二功函數(shù)膜，所述第二功函數(shù)膜與第一功函數(shù)膜的功函數(shù)不同；
在所述功函數(shù)調(diào)節(jié)處理工藝之后，去除介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)膜和第二功函數(shù)膜，形成位于第一有源區(qū)的第二功函數(shù)層、以及位于第二有源區(qū)的第一功函數(shù)層；
在所述功函數(shù)調(diào)解處理工藝之后，在所述第一開口內(nèi)形成填充滿所述第一開口的柵極層。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述功函數(shù)調(diào)節(jié)處理工藝為離子注入工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的參數(shù)包括：劑量為1E15atoms/cm2～1E17atoms/cm2，能量為1Kev～3Kev。
4.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)膜的材料為P型功函數(shù)材料，對所述第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜進行離子注入的離子為N型功函數(shù)材料離子。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)膜的材料為TiN；N型功函數(shù)材料離子包括鋁離子、鈦離子中的一種或兩種。
6.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，對所述第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜進行離子注入的步驟包括：在第一功函數(shù)膜表面形成圖形化層，所述圖形化層暴露出第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜；以所述圖形化層為掩膜，對所述第一有源區(qū)的第一功函數(shù)膜進行離子注入。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層表面的 第一功函數(shù)膜和第二功函數(shù)膜在形成所述柵極層之前去除。
8.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極層和所述柵介質(zhì)層的形成步驟包括：在形成第一功函數(shù)膜之前，在所述介質(zhì)層表面以及第一開口的側(cè)壁和底部表面形成柵介質(zhì)膜；在所述功函數(shù)調(diào)解處理工藝之后，在所述第一開口內(nèi)以及介質(zhì)層上形成填充滿所述第一開口的柵極膜；平坦化所述柵極膜和柵介質(zhì)膜，直至暴露出所述介質(zhì)層表面為止，形成柵極層和柵介質(zhì)層。
9.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在去除介質(zhì)層表面的第一功函數(shù)膜和第二功函數(shù)膜之后，在所述第一功函數(shù)層和第二功函數(shù)層表面形成第三功函數(shù)膜；在形成柵極層之后去除介質(zhì)層上的第三功函數(shù)膜，在第一開口內(nèi)形成第三功函數(shù)層。
10.如權(quán)利要求9所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)膜的材料為P型功函數(shù)材料，所述第三功函數(shù)膜的材料為N型功函數(shù)材料；所述第一功函數(shù)膜的材料為N型功函數(shù)材料，所述第三功函數(shù)膜的材料為P型功函數(shù)材料。
11.如權(quán)利要求10所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一功函數(shù)膜的材料為TiN，所述第三功函數(shù)膜的材料為TiAl。
12.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述柵極層之前，在第一開口的側(cè)壁和底部表面以及介質(zhì)層上形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成填充滿所述第一開口的柵極層。
13.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一開口的形成步驟包括：在所述襯底的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)表面形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極層；在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；在形成所述源區(qū)和漏區(qū)之后，在所述襯底表面形成覆蓋所述偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層表面與所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平；去除所述偽柵極層，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成第一開口。
14.如權(quán)利要求13所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述源區(qū)和漏區(qū)的形成步驟包括：在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成應(yīng)力層；在所述應(yīng)力 層內(nèi)摻雜P型離子或N型離子，形成源區(qū)和漏區(qū)。
15.如權(quán)利要求13所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)還包括位于偽柵極層和襯底之間的柵介質(zhì)層；在去除所述偽柵極層之后，所述第一開口底部暴露出所述柵介質(zhì)層。
16.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述第一功函數(shù)膜之前，在所述柵介質(zhì)層表面形成隔離層；在所述隔離層表面形成第一功函數(shù)膜；所述隔離層的材料為氮化鈦。
17.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述襯底包括：基底、位于基底表面的第一鰭部和第二鰭部、以及位于所述基底表面且覆蓋部分第一鰭部和第二鰭部側(cè)壁的隔離層；所述第一鰭部形成第一有源區(qū)；所述第二鰭部形成第二有源區(qū)。
18.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)相鄰且平行排列，襯底的相鄰第一有源區(qū)和第二有源區(qū)之間具有隔離層相互隔離；所述第一開口橫跨所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)。
19.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在形成柵介質(zhì)層之前，在所述第一開口的底部表面形成柵氧層。
20.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材料為高k介質(zhì)材料；在形成所述第一功函數(shù)膜之前，在所述介質(zhì)層表面、以及第一開口的側(cè)壁和底部表面形成柵介質(zhì)層；在形成所述柵極層之后，去除所述介質(zhì)層表面的柵介質(zhì)層。