1.一種半導體裝置，其特征在于，
所述半導體裝置具有電流在縱向上流動的PiN型的二極管的結(jié)構(gòu)，在耗盡層的外側(cè)的漂移區(qū)域內(nèi)配置有多個雜質(zhì)濃度比所述漂移區(qū)域高的載流子蓄積層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
從器件中央側(cè)朝向器件端部側(cè)配置載流子蓄積層，該載流子蓄積層的雜質(zhì)濃度從所述器件中央側(cè)朝向所述器件端部側(cè)階段性地升高。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述載流子蓄積層是長條狀的形狀，且相互平行地排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導體裝置，其特征在于，
在陽極擴散層與載流子蓄積層之間局部地存在結(jié)晶缺陷層。