技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括基板、被覆層、成核層、過渡層以及復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)。被覆層位于基板上。成核層位于基板與被覆層之間。過渡層位于成核層與被覆層之間，其中過渡層為AlxGaN層。復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)位于過渡層與被覆層之間。復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)包括第一復(fù)合緩沖層，其中第一復(fù)合緩沖層包括相互交疊的多個第一AlyGaN層以及多個第一GaN層，且x等于y。因此可避免由于氮化鋁的長時間磊晶而造成產(chǎn)能降低的問題，并減緩頂GaN層(即氮化物半導(dǎo)體層)與基板之間因晶格與熱膨脹系數(shù)不匹配所產(chǎn)生的應(yīng)力，從而克服前述兩者之間缺陷過多的缺點。

技術(shù)研發(fā)人員：胡智威;戴進吉;宣融
受保護的技術(shù)使用者：嘉晶電子股份有限公司
文檔號碼：201510309192
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.08
技術(shù)公布日：2016.12.07