技術(shù)編號：11956324
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)近年來，氮化物發(fā)光二極管已廣泛地應(yīng)用于各領(lǐng)域。在氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，由于硅基板具備高導(dǎo)熱以及低成本等優(yōu)點(diǎn)，因此，以硅基板為基礎(chǔ)的大尺寸的氮化物半導(dǎo)體已成為氮化物發(fā)光二極管中的重要元件。然而，以氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體層為例，氮化鎵半導(dǎo)體層與硅基板之間的晶格差異為17％，且兩者之間的熱膨脹系數(shù)差異為54％。上述差異除了在冷卻期間會因熱應(yīng)力過大而造成薄膜破裂外，也會使氮化鎵半導(dǎo)體層在磊晶過程中產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)而造成薄膜龜裂并形成缺陷。因此...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。