技術(shù)特征：

1.一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基板；

被覆層，位于所述基板上；

成核層，位于所述基板與所述被覆層之間；

過渡層，位于所述成核層與所述被覆層之間，其中所述過渡層為Al_xGaN層；以及

復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)，位于所述過渡層與所述被覆層之間，所述復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)包括第一復(fù)合緩沖層，其中所述第一復(fù)合緩沖層包括相互交疊的多個第一Al_yGaN層以及多個第一GaN層，且x等于y。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述成核層的厚度介于50納米至3000納米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述成核層包括氮化鋁層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述成核層包括碳化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述第一Al_yGaN層的厚度彼此相同，各所述第一GaN層的厚度彼此相同，且所述多個第一Al_yGaN層的層數(shù)等于所述多個第一GaN層的層數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復(fù)合緩沖結(jié)構(gòu)還包括第二復(fù)合緩沖層，位于所述第一復(fù)合緩沖層與所述過渡層之間，所述第二復(fù)合緩沖層包括相互交疊的多個第二Al_yGaN層以及多個第二GaN層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述第二Al_yGaN層的厚度彼此相同，各所述第二GaN層的厚度彼此相同，所述多個第二Al_yGaN層的層數(shù)等于所述多個第二GaN層的層數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一Al_yGaN層的厚度為a1，所述第一GaN層的厚度為b1，所述第二Al_yGaN層的厚度為a2，且所述第二GaN層的厚度為b2，其中a1、b1、a2以及b2滿足下列關(guān)系式：

a1/(a1+b1)<a2/(a2+b2)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，0<x<0.5。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

頂GaN層，位于所述第一復(fù)合緩沖層與所述被覆層之間，所述頂GaN層的厚度大于各所述第一GaN層的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述頂GaN層的厚度介于10納米至2500納米之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

阻障層，位于所述頂GaN層與所述被覆層之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻障層的厚度介于5納米至40納米之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述被覆層的厚度介于1納米至5納米之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的材料包括硅、氧化鋁或玻璃。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為圖案化基板。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述過渡層的厚度介于50納米至2000納米之間。