技術(shù)特征：

1.一種低形成電壓的阻變存儲器，包括依次疊層設(shè)置在襯底上的惰性電極層、電阻轉(zhuǎn)變層和活性電極層，其特征在于，所述電阻轉(zhuǎn)變層和所述活性電極層之間還包括一含有缺陷的界面層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述富含缺陷的界面層是由具有所述惰性電極層、電阻轉(zhuǎn)變層和活性電極層的結(jié)構(gòu)在缺氧氣氛下退火制備形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述活性電極層的材料的氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成吉布斯自由能小于所述電阻轉(zhuǎn)變層的標(biāo)準(zhǔn)生成吉布斯自由能。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述活性電極層的材料選自Hf、Ti、Ta、Al中的任意一種；所述惰性電極層的材料選自Pt、Au、Pd中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，電阻轉(zhuǎn)變層采用二元金屬氧化物、三元金屬氧化物或多元金屬氧化物的單層氧化物存儲材料構(gòu)成，或者由二元金屬氧化物、三元金屬氧化物或多元金屬氧化物中任意一種經(jīng)過摻雜改性后形成的摻雜氧化物存儲材料構(gòu)成，或者由二元金屬氧化物、三元金屬氧化物或多元金屬氧化物組合而成的雙層或多層氧化物存儲材料構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻變存儲器，其特征在于，所述二元金屬氧化物選自Al₂O₃、TiO₂、NiO、ZrO₂、HfO₂中的任意一種，所述三元金屬氧化物選自SrZrO₃、SrTiO₃中的任意一種，所述多元金屬氧化物選自PrCaMnO₃、LaSrMnO₃中的任意一種。

7.一種如權(quán)利要求1-6任一所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、在襯底上依次制備惰性電極層、電阻轉(zhuǎn)變層和活性電極層；

B、將所述具有惰性電極層、電阻轉(zhuǎn)變層和活性電極層的結(jié)構(gòu)在缺氧氣氛中退火。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟B中，退火溫度為100℃～800℃，退火時間為5s～1h。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述缺氧氣氛選自真空、 氬氣、氮?dú)庵械娜我庖环N。