技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其包含一第一基板和一第二基板，一第一導(dǎo)電墊設(shè)于第一基板上，一導(dǎo)電柱接觸第一導(dǎo)電墊以及至少一第一緩沖層設(shè)于導(dǎo)電柱內(nèi)部，其中導(dǎo)電柱包覆第一緩沖層，第一緩沖層的彈性系數(shù)和導(dǎo)電柱的彈性系數(shù)不同，一第二導(dǎo)電墊設(shè)于第二基板上，一錫球設(shè)置于第二基板和第一基板之間，其中錫球和導(dǎo)電柱電連結(jié)，此外導(dǎo)電柱可以選擇性地包含截頭錐形。

技術(shù)研發(fā)人員：郭柏辰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
文檔號碼：201510216467
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.30
技術(shù)公布日：2016.12.07