1.一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，包含：
第一基板；
第一導(dǎo)電墊，設(shè)于該第一基板上；
導(dǎo)電柱接觸，該第一導(dǎo)電墊；以及
至少一第一緩沖層，設(shè)于該導(dǎo)電柱內(nèi)部，其中該導(dǎo)電柱包覆該第一緩沖層，該第一緩沖層的彈性系數(shù)和該導(dǎo)電柱的彈性系數(shù)不同；
第二基板；
第二導(dǎo)電墊，設(shè)于該第二基板上；以及
錫球，設(shè)置于該第二基板和該第一基板之間，其中該錫球和該導(dǎo)電柱電連結(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含第二緩沖層，設(shè)于該第一基板上，其中該第一導(dǎo)電墊覆蓋該第二緩沖層，該第二緩沖層的彈性系數(shù)和該第一導(dǎo)電墊的彈性系數(shù)不同。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第二緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含第三緩沖層，設(shè)于該第二基板上，其中該第二導(dǎo)電墊覆蓋該第三緩沖層，該第三緩沖層的彈性系數(shù)和該第二導(dǎo)電墊的彈性系數(shù)不同。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第三緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱包含第一部分和第二部分，該第二部分具有一截面，該截面包含一矩形或一梯形。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該梯形具有第一底部和第二底部，該第二底部較該第一底部接近該錫球。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一底部大于該第二底部。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一底部小于 該第二底部。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含保護(hù)層，覆蓋該第一導(dǎo)電墊，其中該保護(hù)層中包含一開口，該導(dǎo)電柱的該第一部分位于該開口中，并且該第一部分接觸該第一導(dǎo)電墊，該導(dǎo)電柱的該第二部分位于該開口之外。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含多個該第一緩沖層設(shè)置于該導(dǎo)電柱內(nèi)部。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一基板包含芯片、中介層、電路板或載板，該第二基板包含芯片、中介層、電路板或載板。
14.一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，包含：
第一基板；
第一導(dǎo)電墊，設(shè)于該第一基板上；以及
導(dǎo)電柱接觸，該第一導(dǎo)電墊，其中該導(dǎo)電柱包含一截頭錐形；
第二基板；
第二導(dǎo)電墊，設(shè)于該第二基板上；以及
錫球，設(shè)置于該第二基板上，其中該錫球和該導(dǎo)電柱電連結(jié)。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電柱包含第一部分和第二部分，該第二部分包含該截頭錐形，并且該第二部分具有一截面，該截面包含一梯形。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該截面具有第一底部和第二底部，該第二底部較該第一底部接近該錫球。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一底部大于該第二底部。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一底部小于該第二底部。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含保護(hù)層，覆蓋該第一導(dǎo)電墊，其中該保護(hù)層中包含一開口，該導(dǎo)電柱的該第一部分位于該開口中，并且該第一部分接觸該第一導(dǎo)電墊，該導(dǎo)電柱的該第二部分位于該開口之外。
20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含至少一第一緩 沖層設(shè)于該導(dǎo)電柱內(nèi)部，其中該導(dǎo)電柱包覆該第一緩沖層，該第一緩沖層的彈性系數(shù)和該導(dǎo)電柱的彈性系數(shù)不同。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。
22.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含一第二緩沖層設(shè)于該第一基板上，其中該第一導(dǎo)電墊覆蓋該第二緩沖層，其中該第二緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。
23.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，還包含一第三緩沖層設(shè)于該第二基板上，其中該第二導(dǎo)電墊覆蓋該第三緩沖層，其中該第三緩沖層包含聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯或聚苯并惡唑。