本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電柱，前述導(dǎo)電柱可以協(xié)助降低半導(dǎo)體元件因?yàn)闇囟茸兓斐刹牧蠈觿兟涞那樾巍?/p>

背景技術(shù)：

在現(xiàn)今的信息社會(huì)中，電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是朝向輕、薄、短、小的趨勢(shì)邁進(jìn)，因此發(fā)展出諸如堆疊式半導(dǎo)體元件封裝等有利于微型化的封裝技術(shù)。

堆疊式半導(dǎo)體元件封裝是利用垂直堆疊的方式將多個(gè)半導(dǎo)體元件封裝于同一封裝結(jié)構(gòu)中，如此可提升封裝密度以及減少封裝體于水平方向的尺寸，且可利用立體堆疊的方式縮短半導(dǎo)體元件之間的信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L(zhǎng)度，以提升半導(dǎo)體元件之間信號(hào)傳輸?shù)乃俣?，并可將不同功能的半?dǎo)體元件組合于同一封裝體中。

通常堆疊的各層半導(dǎo)體元件是利用導(dǎo)電元件互相電連接，然而堆疊的各個(gè)半導(dǎo)體元件之間所使用的材料可能不同，因此造成堆疊的各個(gè)半導(dǎo)體元件之間的熱膨脹系數(shù)不同，因此發(fā)生溫度變化時(shí)，會(huì)發(fā)生各層元件變形的方向和變形的程度不同因而產(chǎn)生應(yīng)力，而應(yīng)力就會(huì)由導(dǎo)電元件傳送至各層半導(dǎo)體元件，造成半導(dǎo)體元件上的材料層剝離或破壞的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)包含一第一基板，一第一導(dǎo)電墊設(shè)于第一基板上，一導(dǎo)電柱接觸第一導(dǎo)電墊以及至少一第一緩沖層設(shè)于導(dǎo)電柱內(nèi)部，其中導(dǎo)電柱包覆第一緩沖層，第一緩沖層的彈性系數(shù)和導(dǎo)電柱的彈性系數(shù)不同，一第二基板，一第二導(dǎo)電墊設(shè)于第二基板上以及一錫球設(shè)置于第二基板和第一基板之間，其中錫球和導(dǎo)電柱電連結(jié)。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)， 包含一第一基板，一第一導(dǎo)電墊設(shè)于第一基板上以及一導(dǎo)電柱接觸第一導(dǎo)電墊，其中導(dǎo)電柱包含一截頭錐形一第二基板一第二導(dǎo)電墊設(shè)于第二基板上以及一錫球設(shè)置于第二基板上，其中錫球和導(dǎo)電柱電連結(jié)。

附圖說(shuō)明

圖1至圖7為本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖；

圖8為本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖9和圖10為本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖；

圖11和圖12為本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖；

圖13為本發(fā)明的第七優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖14為本發(fā)明的第八優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖。

符號(hào)說(shuō)明

10 第一基板 12 金屬內(nèi)連線

14/44/114 緩沖層 16 導(dǎo)電墊

18/48 保護(hù)層 20/24/30/50/58/68 開(kāi)口

26 導(dǎo)電塊 22/28/56/66 光致抗蝕劑層

32 凹槽 34 導(dǎo)電蓋

36 導(dǎo)電柱 38/52 錫膏

40 第二基板 42 電路

46 第二導(dǎo)電墊 54 錫球

62 側(cè)壁 64 上表面

100/200/300/400 半導(dǎo)體元件的堆 361 第一部分

疊結(jié)構(gòu)

362 第二部分 363 梯形

365 第一底部 367 第二底部

500 半導(dǎo)體元件的堆

疊結(jié)構(gòu)

具體實(shí)施方式

圖1至圖7為根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法。如圖1所示，首先提供一第一基板10，第一基板10可以為芯片、中介層、電路板或載板，在第一基板10上設(shè)置有電路，舉例而言第一基板10可以為完成后段制作工藝具有金屬內(nèi)連線12的基板，之后在金屬內(nèi)連線12上選擇性地形成一緩沖層14，緩沖層14的形成方式可以例如為全面形成一緩沖材料層(圖未示)，然后再圖案化緩沖材料層為緩沖層14，接著形成一導(dǎo)電層(圖未示)順應(yīng)地覆蓋緩沖層14，接續(xù)再圖案化導(dǎo)電層為一第一導(dǎo)電墊16與金屬內(nèi)連線12相電連接，再形成一保護(hù)層18覆蓋第一導(dǎo)電墊16，保護(hù)層18具有一開(kāi)口20使得第一導(dǎo)電墊16由開(kāi)口20曝露出來(lái)。

如圖2所示，在保護(hù)層18上形成一防焊層(solder mask)，例如光致抗蝕劑層22，光致抗蝕劑層22具有一開(kāi)口24曝露出第一導(dǎo)電墊16和部分的保護(hù)層18，接著選擇性在第一導(dǎo)電墊16上形成一底層凸塊金屬化層(under bump metallization,UBM)(圖未示)以及一晶種層(圖未示)，之后以電鍍的方式形成一導(dǎo)電塊26于光致抗蝕劑層22的開(kāi)口24中和保護(hù)層18的開(kāi)口20中，可以通過(guò)調(diào)整光致抗蝕劑層22的開(kāi)口24的形狀來(lái)控制導(dǎo)電塊26的形狀，例如開(kāi)口24為立方體或截頭錐形，則在保護(hù)層18之上的導(dǎo)電塊26就會(huì)相對(duì)應(yīng)地形成立方體或截頭錐形，之后，移除光致抗蝕劑層22。

如圖3所示，形成一光致抗蝕劑層28，光致抗蝕劑層28具有一開(kāi)口30曝露出部分的導(dǎo)電塊26，接著利用濕式蝕刻移除部分的導(dǎo)電塊26以在導(dǎo)電塊26中形成一凹槽32，但濕式蝕刻移除導(dǎo)電塊26的程度在使第一導(dǎo)電墊16曝露出來(lái)之前就需停止，此時(shí)凹槽32的底部依然由導(dǎo)電塊26構(gòu)成。如圖4所示，在凹槽32中填入至少一緩沖層114，之后再以電鍍方式形成一導(dǎo)電蓋34完全覆蓋緩沖層114，導(dǎo)電蓋34和導(dǎo)電塊26共同構(gòu)成一個(gè)中空的導(dǎo)電柱36將緩沖層114包覆在其中。移除光致抗蝕劑層28后，如圖5所示，在導(dǎo)電柱36上選擇性形成一鎳層(圖未示)，再形成一錫膏38于鎳層上，錫膏38用來(lái)在后續(xù)的回焊(reflow)制作工藝中形成錫球。

如圖6所示，提供一第二基板40，在第二基板40可以為芯片、中介層、電路板或載板，在第二基板上設(shè)置有電路42，舉例而言第二基板40可以為一載板，之后在電路42上選擇性地形成一緩沖層44，緩沖層44的形成方式可以例如為全面形成一緩沖材料層(圖未示)，然后再圖案化緩沖材料層為緩沖層44，接著形成一導(dǎo)電層(圖未示)順應(yīng)地覆蓋緩沖層44，接續(xù)再圖案化導(dǎo)電層為一第二導(dǎo)電墊46與金屬內(nèi)連線42相電連接，再形成一保護(hù)層48覆蓋第二導(dǎo)電墊46，保護(hù)層48具有一開(kāi)口50使得第二導(dǎo)電墊46由開(kāi)口50曝露出來(lái)，最后在第二導(dǎo)電墊46上形成一錫膏52。第二基板40上的第二導(dǎo)電墊46和緩沖層44的制作和在第一基板10上的導(dǎo)電柱36、緩沖層14/114、第一導(dǎo)電墊16的制作為獨(dú)立進(jìn)行，也就是說(shuō)在第一基板10上制作元件的時(shí)點(diǎn)和在第二基板40上制作元件的時(shí)點(diǎn)互不影響，只要在回焊制作工藝之前將第一基板10上的錫膏38和第二基板40上的錫膏52完成即可。

如圖7所示，進(jìn)行回焊制作工藝，將第一基板10和第二基板40上的錫膏38/52接觸并且回焊后形成一錫球54，至此，本發(fā)明的一半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100業(yè)已完成。

圖1、圖4至圖6、圖9和圖10為根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法，第二優(yōu)選實(shí)施例中的制作方法，同樣可以形成如圖7中所示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)。如圖1所示，提供一第一基板10，在第一基板10上選擇性地形成緩沖層14，之后形成第一導(dǎo)電墊16、保護(hù)層18和開(kāi)口20，其制作過(guò)程已在前文敘述，在此不再贅述。如圖9所示，形成一防焊層，例如光致抗蝕劑層56，光致抗蝕劑層56具有一開(kāi)口58曝露出第一導(dǎo)電墊16和部分的保護(hù)層18，之后以電鍍的方式形成一底層凸塊金屬化層(UBM)(圖未示)、一晶種層(圖未示)以及一導(dǎo)電塊26于光致抗蝕劑層56的開(kāi)口58中和保護(hù)層18的開(kāi)口20中。如圖10所示，在開(kāi)口58中填入緩沖層114，使得緩沖層114形成在導(dǎo)電塊26上，緩沖層114的形成方式可以為全面形成一緩沖材料層(圖未示)覆蓋光致抗蝕劑層56和導(dǎo)電塊26，之后圖案化緩沖材料層為緩沖層114，此外在圖案化緩沖材料層時(shí)，也可以形成多個(gè)小塊的緩沖層(圖未示)在導(dǎo)電塊26上。接著移除光致抗蝕劑層56，然后利用電鍍方式形成一導(dǎo)電蓋(圖未示)于緩沖層114上，詳細(xì)來(lái)說(shuō)導(dǎo)電蓋覆蓋緩沖層114的側(cè)壁62和上表面64，并且導(dǎo)電蓋成ㄇ字形由側(cè)壁62延伸到導(dǎo)電塊26，此時(shí)即形成如圖4中所示的導(dǎo)電柱36，并且中空的導(dǎo)電柱36 將緩沖層114完全包覆其中。接著如圖5所示，在導(dǎo)電柱36上選擇性形成一鎳層(圖未示)，再形成一錫膏38于鎳層上，錫膏38用來(lái)在后續(xù)的回焊(reflow)制作工藝中形成錫球。如圖6所示，提供一第二基板40，如同前文所述在其上形成第二導(dǎo)電墊46、緩沖層44、保護(hù)層48和錫膏52。最后如圖7所示，進(jìn)行回焊制作工藝，將第一基板10和第二基板40上的錫膏38/52接觸并且回焊后形成一錫球54，至此完成半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100。

圖7繪示的是根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖7，一半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100包含一第一基板10，第一基板10可以為芯片、中介層、電路板或載板，在第一基板10上設(shè)置有電路，舉例而言第一基板10可以為完成后段制作工藝具有金屬內(nèi)連線12的基板，一第一導(dǎo)電墊16設(shè)于第一基板10上，第一導(dǎo)電墊16電連接金屬內(nèi)連線12，一緩沖14層選擇性地設(shè)置第一基板10上，并且位于第一導(dǎo)電墊16和金屬內(nèi)連線12之間，也就是說(shuō)金屬內(nèi)連線12和第一導(dǎo)電墊16共同將緩沖層14完全包覆，根據(jù)不同的需求，在金屬內(nèi)連線12和第一導(dǎo)電墊16之間也可以不設(shè)置緩沖層14。緩沖層14的彈性系數(shù)和第一導(dǎo)電墊16的彈性系數(shù)不同，優(yōu)選地緩沖層14的彈性系數(shù)大于第一導(dǎo)電墊16的彈性系數(shù)，此外緩沖層14也可視情況需要調(diào)整其數(shù)量，也就是說(shuō)緩沖層14可以為多個(gè)彼此不相接觸的方式分布于金屬內(nèi)連線12表面，并且其形狀不限定，舉例而言，緩沖層14的截面可以為圓形、矩形和梯形等。一保護(hù)層18覆蓋第一導(dǎo)電墊16，保護(hù)層18具有一開(kāi)口20使得第一導(dǎo)電墊18由開(kāi)口20曝露出來(lái)，保護(hù)層18包含氧化硅、氮化硅等絕緣材料。一導(dǎo)電柱36接觸并電連接第一導(dǎo)電墊16，導(dǎo)電柱36分為第一部分361和第二部分362，第一部分361位于保護(hù)層18的開(kāi)口20中，第二部分362位于保護(hù)層18的開(kāi)口20之外，在圖7中以虛線將導(dǎo)電柱36的第一部分361和第二部分362劃分開(kāi)來(lái)，以協(xié)助清楚分辨第一部分361和第二部分362的位置。一緩沖層114設(shè)于導(dǎo)電柱36內(nèi)部，其中導(dǎo)電柱36完全包覆緩沖層114，此外緩沖層114的彈性系數(shù)和導(dǎo)電柱36的彈性系數(shù)不同，優(yōu)選地緩沖層114的彈性系數(shù)大于導(dǎo)電柱36的彈性系數(shù)，導(dǎo)電柱36可以為一立方體或是其它的形狀，導(dǎo)電柱36的材料包含銅或是其它的金屬或合金，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，導(dǎo)電柱36優(yōu)選只用銅制成。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖7，半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100還包含一第二基板40，第 二基板40可以為芯片、中介層、電路板或載板，在第二基板40上設(shè)置有電路42，一第二導(dǎo)電墊46設(shè)于第二基板40上，第二導(dǎo)電墊46電連接電路42，一緩沖層44選擇性地設(shè)置在第二基板40上，詳細(xì)來(lái)說(shuō)緩沖層44位于第二導(dǎo)電墊46和電路42之間，也就是說(shuō)電路42和第二導(dǎo)電墊46共同將緩沖層44完全包覆，緩沖層44的彈性系數(shù)和第二導(dǎo)電墊46的彈性系數(shù)不同，此外緩沖層44也可視情況需要調(diào)整其數(shù)量，也就是說(shuō)緩沖層44可以為多個(gè)彼此不相接觸的方式分布于金屬內(nèi)連線42表面，并且其形狀不限定，舉例而言，緩沖層44的截面可以為圓形、矩形和梯形等。一錫球54設(shè)置于第一基板10和第二基板40之間，其中錫球54和導(dǎo)電柱36電連結(jié)，詳細(xì)來(lái)說(shuō)錫球54位于導(dǎo)電柱36和第二導(dǎo)電墊46之間，在導(dǎo)電柱36和錫球54之間可以選擇性地設(shè)置有一鎳層(圖未示)。此外，錫球54中不含有任何緩沖層或是其它異于錫球54本身的材料，由于錫球本身在高溫為液體狀，在常溫則為比較軟的材質(zhì)且容易潛變，相較其他導(dǎo)電材料更容易通過(guò)變形來(lái)吸收應(yīng)力，因此在本發(fā)明中，錫球不需加緩沖層，然而于其它的情況下，在錫球內(nèi)也是可以加緩沖層。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，緩沖層14/44/114可以為高分子聚合物，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobuten)或聚苯并惡唑(polybenzoxazole)、塑膠或橡膠等，緩沖層14/44/114也可以為導(dǎo)電材料形成的塊狀結(jié)構(gòu)或?qū)щ姴牧闲纬傻亩嗫?、蜂巢狀或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。此外，錫球54的材料為錫混合銀和銅，并且視情況可以選擇性地加入鉛。此外，錫球54中不含有任何緩沖層或是其它相異于錫球54的材料。值得注意的是：導(dǎo)電柱36的第二部分362具有一截面，截面包含如圖7所示的矩形，也就是說(shuō)導(dǎo)電柱36為一立方體，或者如圖14所示的導(dǎo)電柱36，其第二部分362的截面可包含一梯形363，在圖14中以虛線將導(dǎo)電柱36的第一部分361和第二部分362劃分開(kāi)來(lái)，以協(xié)助清楚分辨第一部分361和第二部分362的位置。梯形363優(yōu)選為一等腰梯形，也就是說(shuō)導(dǎo)電柱36為一截頭錐形，梯形363包含一第一底部365和一第二底部367，第二底部367較第一底部365接近錫球54，第一底部365可以大于第二底部367，也可以如圖13中所示的第一底部365小于第二底部367。請(qǐng)?jiān)俣葏㈤唸D7，緩沖層14/44/114也可視情況需要調(diào)整其數(shù)量，也就是說(shuō)緩沖層14/44/114可以為多個(gè)，并且其形狀不限定，舉例而言，緩沖層14/44/114的截面可以為圓形、矩形和梯形等，但優(yōu)選地緩沖層114和導(dǎo)電柱36的形狀相同。

圖8繪示的是根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中具有相同功能的元件將使用相同符號(hào)。圖8中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)和圖7中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的差異在于：在圖8中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)200，其導(dǎo)電柱36中設(shè)置有多個(gè)緩沖層114，并且各個(gè)緩沖層114之間互不接觸，此外在圖8中第一導(dǎo)電墊16和金屬內(nèi)連線12之間沒(méi)有緩沖層，第二導(dǎo)電墊46和電路42之間也沒(méi)有緩沖層。圖7和圖8中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100/200其最主要的特點(diǎn)在于導(dǎo)電柱36中一定設(shè)有緩沖層114，再搭配選擇性設(shè)置在第一導(dǎo)電墊14和第二導(dǎo)電墊42下的緩沖層14/42，利用緩沖層14/42/114吸收第一基板10和第二基板40在溫度改變時(shí)造成的變形拉扯所產(chǎn)生的應(yīng)力，如此可以有效降低第一基板10和第二基板40上的材料層剝落的現(xiàn)象。

圖11和圖12為根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法，其中具有相同功能的元件將使用相同符號(hào)。如圖11所示，提供一第一基板10，在第一基板10上形成第一導(dǎo)電墊16、保護(hù)層18和開(kāi)口20，第一導(dǎo)電墊16、保護(hù)層18和開(kāi)口20的制作過(guò)程大致和圖1中的步驟相同在此不再贅述。接著在保護(hù)層18上形成一光致抗蝕劑層66，光致抗蝕劑層66具有一開(kāi)口68曝露出第一導(dǎo)電墊16和部分的保護(hù)層18，開(kāi)口68為一梯形，接著選擇性在第一導(dǎo)電墊16上形成一晶種層(圖未示)，之后以電鍍的方式形成一導(dǎo)電柱36于光致抗蝕劑層66的開(kāi)口68和保護(hù)層18的開(kāi)口20中，之后移除光致抗蝕劑66，然后在導(dǎo)電柱68上形成一錫膏(圖未示)。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖11，在第五優(yōu)選實(shí)施例中，另外提供一第二基板40，第二基板40上設(shè)有第二導(dǎo)電墊46、保護(hù)層48和錫膏52，其制作方式如同前文圖6所述，但相異之處在于圖11中的第二導(dǎo)電墊46和電路42之間沒(méi)有緩沖層。如圖12所示，進(jìn)行回焊制作工藝，將第一基板10和第二基板上40的錫膏接觸并且回焊后形成一錫球54，至此，本發(fā)明的一半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)300業(yè)已完成。

圖12繪示的是根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，圖13繪示的是根據(jù)本發(fā)明的第七優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中具有相同功能的元件將使用相同符號(hào)。圖12中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)300和圖7中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100的差異在于：圖12的導(dǎo)電柱36中、第一基板10和第二基板40上都沒(méi)有設(shè)置緩沖層。除此 之外，圖12中的導(dǎo)電柱36分為第一部分361和第二部分362，在保護(hù)層18的開(kāi)口20外的第二部分362為截頭錐形，其中第二部分362具有一截面，截面包含一梯形363，梯形優(yōu)選為一等腰梯形，梯形363包含一第一底部365和一第二底部367，第二底部367較第一底部365接近錫球54，第一底部365可以大于第二底部367，也可以如圖13中所示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)400，其第一底部365小于第二底部367，其余元件的材料和位置都和圖7中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)100大致相同，在此不再贅述。在圖12和圖13中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)特別利用導(dǎo)電柱的截頭錐形的特性，分散第一基板和第二基板在溫度改變時(shí)造成的變形拉扯所產(chǎn)生的應(yīng)力，如此可以有效降低第一基板和第二基板上的材料層剝落的現(xiàn)象。

圖14繪示的是根據(jù)本發(fā)明的第八優(yōu)選實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)，其中具有相同功能的元件將使用相同符號(hào)。圖14中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)500和圖12中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)300的差異在于：圖14中的導(dǎo)電柱36內(nèi)設(shè)有緩沖層114，第一導(dǎo)電墊16和金屬內(nèi)連線12間設(shè)有緩沖層14以及第二導(dǎo)電墊46和電路42間都設(shè)有緩沖層44。在圖14中的半導(dǎo)體元件的堆疊結(jié)構(gòu)500不但利用導(dǎo)電柱36的截頭錐形的特性，分散第一基板10和第二基板40在溫度改變時(shí)造成的變形拉扯所產(chǎn)生的應(yīng)力，還加上以緩沖層14/44/114吸收溫度改變時(shí)生成的應(yīng)力，如此可以更有效降低第一基板10和第二基板40上的材料層剝落的現(xiàn)象。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。