技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法和超結(jié)型功率管，其中，超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，包括：在形成N型外延層的N型襯底上形成緩沖槽，所述緩沖槽的深度小于所述N型外延層的厚度，與所述緩沖槽接觸的所述N型外延層即構(gòu)成所述超結(jié)型功率管的導(dǎo)電溝道；在所述緩沖槽內(nèi)形成介質(zhì)層；在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成P型多晶硅層，以完成所述超結(jié)型功率管的緩沖層的制備，其中，所述介質(zhì)層的表層在所述P型多晶硅層和所述N型外延層的感應(yīng)作用下產(chǎn)生空穴載流子以保證所述導(dǎo)電溝道內(nèi)電荷平衡。通過本發(fā)明的技術(shù)方案，實現(xiàn)了超結(jié)型功率管的低成本的批量生產(chǎn)，同時保證了超結(jié)型功率管的耐高壓特性和器件可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：趙圣哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼：201510199763
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.23
技術(shù)公布日：2016.11.23