技術(shù)編號：11836150
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法和一種超結(jié)型功率管。背景技術(shù)在相關(guān)技術(shù)中，超結(jié)型場效應(yīng)晶體管(簡稱超結(jié)型功率管，主要包括N型襯底1、N型外延層2和多晶硅層3或離子注入?yún)^(qū)4)以其擊穿電壓高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中，其中，緩沖層(P型或N型)與超結(jié)型場效應(yīng)晶體管的耐壓特性息息相關(guān)，通常采用深槽外延工藝、傾斜注入工藝和多步外延工藝等方法來制備緩沖層，上述方法存在以下缺點(diǎn)：(1)如圖1所示，深槽外延工藝的工藝條件嚴(yán)苛，對進(jìn)行深槽刻蝕過程有較高的要...
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