1.一種超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，包括：
在形成N型外延層的N型襯底上形成緩沖槽，所述緩沖槽的深度小于所述N型外延層的厚度，與所述緩沖槽接觸的所述N型外延層即構(gòu)成所述超結(jié)型功率管的導電溝道；
在所述緩沖槽內(nèi)形成介質(zhì)層；
在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成P型多晶硅層，以完成所述超結(jié)型功率管的緩沖層的制備，
其中，所述介質(zhì)層的表層在所述P型多晶硅層和所述N型外延層的感應(yīng)作用下產(chǎn)生空穴載流子以保證所述導電溝道內(nèi)電荷平衡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成P型多晶硅層，包括以下具體步驟：
采用化學氣相淀積工藝在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成一層多晶硅層；
對所述一層多晶硅層進行P型注入處理，并進行退火處理以形成一層P型多晶硅基層；
根據(jù)所述緩沖槽的槽深進行至少一次P型多晶硅基層的制備，以形成所述P型多晶硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成P型多晶硅層，包括以下具體步驟：
采用化學氣相淀積工藝在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成一層多晶硅層；
對所述一層多晶硅層進行P型注入處理；
根據(jù)所述緩沖槽的槽深進行至少一次P型多晶硅基層的制備，以形成所述P型多晶硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在形成所述介質(zhì)層的所述緩沖槽內(nèi)形成P型多晶硅層，包括以下 具體步驟：
判斷所述P型多晶硅層的厚度是否大于或等于指定厚度；
在判定所述P型多晶硅層的厚度大于或等于指定厚度時，去除所述掩膜層；
對所述P型多晶硅層進行退火處理，以實現(xiàn)所述空穴載流子的激活。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在所述緩沖槽內(nèi)形成介質(zhì)層，包括以下具體步驟：
采用化學氣相淀積工藝在所述緩沖槽的側(cè)壁和底壁形成所述介質(zhì)層，其中，所述介質(zhì)層為氧化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在所述緩沖槽內(nèi)形成介質(zhì)層，包括以下具體步驟：
采用熱氧化工藝在所述緩沖槽的側(cè)壁和底壁形成所述介質(zhì)層，其中，所述介質(zhì)層為氧化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，在形成N型外延層的N型襯底上形成緩沖槽前，包括以下具體步驟：
通過外延生長工藝在所述N型襯底上形成所述N型外延層；
在所述N型外延層上形成圖形化的掩膜層；
通過圖形化的所述掩膜層對所述N型外延層進行刻蝕處理，以形成所述緩沖槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，去除所述掩膜層，包括以下具體步驟：
采用化學機械平坦化工藝對所述掩膜層進行平坦化處理，以去除所述掩膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法，其特征在于，去除所述掩膜層，包括以下具體步驟：
采用刻蝕工藝對所述形成所述掩膜層進行處理，以去除所述掩膜層。
10.一種超結(jié)型功率管，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9中任一項所述的超結(jié)型功率管的緩沖層的制備方法制備而成。