1.一種發(fā)光二極管元件，包含：
導(dǎo)電支持基板，包含：
第一表面；
相對于該第一表面的第二表面；
第一部件，形成一導(dǎo)電通道；
第二部件；以及
由該第一部件及該第二部件定義一環(huán)狀開口，由該第一表面延伸至該第二表面；以及
絕緣材料，填入該環(huán)狀開口；
發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)，包含：
具有第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及位于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層間的活性層的半導(dǎo)體疊層；以及
第一導(dǎo)電層，電連接該第一半導(dǎo)體層或該第二半導(dǎo)體層與該導(dǎo)電通道；以及
導(dǎo)電接合層，利用該導(dǎo)電接合層接合該發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)于該第一表面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含第一電極墊，位于該導(dǎo)電通道的該第二表面，以及與該第一電極墊相互分離的第二電極墊，位于該第二表面。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含多個穿過該第一半導(dǎo)體層及該活性層的通孔，各通孔中具有第二導(dǎo)電層，電連接該第二半導(dǎo)體層與該導(dǎo)電接合層，且其中該第一導(dǎo)電層電連接該第一半導(dǎo)體層與該導(dǎo)電通道。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中該第一導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層之間，以及該半導(dǎo)體疊層與該導(dǎo)電接合層之間具有絕緣層。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包含：
穿過該第一半導(dǎo)體層及該活性層的通孔，該第一導(dǎo)電層設(shè)置于該通孔中；以及
電極延伸層，位于該第二半導(dǎo)體層上，且連接該第一導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光二極管層疊結(jié)構(gòu)還包含絕 緣層，覆蓋該通孔的側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該導(dǎo)電通道與該支持基板為相同材料。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該支持基板的材料為磷化鎵(GaP)、硅(Si)、鉬(Mo)、銅(Cu)、金屬材料、金屬合金或金屬基印刷電路板(Metal Core PCB；MCPCB)。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)相對于該支持基板的表面具有波長轉(zhuǎn)換層。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中該第一半導(dǎo)體層上具有反射層。
11.一種發(fā)光元件制造方法，包含：
提供一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)，包含：第一半導(dǎo)體層、活性層以及第二半導(dǎo)體層于一成長基板上；
形成一第一接合層，在該發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)上；
提供一基板，該基板具有第一表面以及相對于該第一表面的第二表面，并蝕刻該基板的該第一表面至一深度以形成一環(huán)狀封閉溝槽；
在該環(huán)狀封閉溝槽內(nèi)填充一絕緣材料；
利用該第一接合層接合該發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)與該基板；
由該第二表面將該基板減薄至暴露出該絕緣材料，形成一第三表面；以及
在該第三表面形成一電極墊。