本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件及其制造方法，更詳言之，是涉及一種具有高亮度的發(fā)光元件。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)為P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體所組成的光電元件，通過P-N接面上載流子的結(jié)合放出光線，加上具有體積小、低耗電量、壽命長(zhǎng)、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛地使用于光學(xué)顯示裝置、交通號(hào)志、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材等。現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)有水平式結(jié)構(gòu)以及垂直式結(jié)構(gòu)。在水平式結(jié)構(gòu)以及垂直式結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管中，芯片的正面(出光面)有電極遮蔽，使得出光受限制，因此發(fā)展出將芯片倒置，使得電極面向下而光線經(jīng)由藍(lán)寶石基板面射出的結(jié)構(gòu)，也就是倒裝式結(jié)構(gòu)。倒裝式結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管可通過電極或凸塊與封裝結(jié)構(gòu)中的散熱結(jié)構(gòu)直接接觸，除了提升散熱效果之外，也可省去打線、導(dǎo)線支架等制作工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光元件及其制造方法，尤其是關(guān)于一種具有高亮度的發(fā)光元件。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光元件，包含：一導(dǎo)電支持基板，包含一第一表面、一相對(duì)于第一表面的第二表面、一形成一導(dǎo)電通道的第一部件、一第二部件、一由第一部件及第二部件定義的環(huán)狀開口，環(huán)狀開口由第一表面延伸至第二表面、以及一填入環(huán)狀開口的絕緣材料；一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)，包含一具有一第一半導(dǎo)體層、一第二半導(dǎo)體層以及一位于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層間的活性層的半導(dǎo)體疊層、以及一第一導(dǎo)電層，電連接第一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層與導(dǎo)電通道；以及一導(dǎo)電接合層，利用導(dǎo)電接合層接合發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)于第一表面。

本發(fā)明提供一種發(fā)光元件制造方法，包含：提供一具有第一半導(dǎo)體層、 活性層以及第二半導(dǎo)體層于一成長(zhǎng)基板上的發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)；形成一第一接合層于發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)上；提供一具有一第一表面以及一相對(duì)于該第一表面的第二表面的基板，蝕刻該基板的第一表面至一深度以形成一環(huán)狀封閉溝槽；在環(huán)狀封閉溝槽內(nèi)填充一絕緣材料；利用接合第一接合層接合發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)與基板；由第二表面將基板減薄至暴露出絕緣材料，形成一第三表面；以及在第三表面形成一電極墊。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光元件截面結(jié)構(gòu)圖；

圖2A～圖2D、圖3A～圖3C以及圖4A～圖4D為本發(fā)明第一實(shí)施例的制造方法的示意圖；

圖5A～圖5C分別為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光元件的上視圖、沿AA’截面的結(jié)構(gòu)圖以及沿BB’截面的結(jié)構(gòu)圖；

圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光元件截面結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光元件截面結(jié)構(gòu)圖。

符號(hào)說明

1、2、3、4：發(fā)光元件

5、6、7、8：發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)

10、12：支持基板

100、200：第一導(dǎo)電通道

300：第二導(dǎo)電通道

101、102、102’：表面

120：環(huán)狀開口

120a：環(huán)狀封閉溝槽

60、601、602、603：絕緣層

14：成長(zhǎng)基板

18a、18b：電極墊

20：半導(dǎo)體疊層

22：第一半導(dǎo)體層

24：活性層

26：第二半導(dǎo)體層

30：金屬接觸層

32：開口

36：絕緣材料

38：通孔

40、40’：金屬導(dǎo)電層

401、402：第一、第二導(dǎo)電層

403：電極延伸層

46、46’：導(dǎo)電接合層

50：保護(hù)層

52：粗化結(jié)構(gòu)

308：暴露區(qū)

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例會(huì)被詳細(xì)地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會(huì)以相同的號(hào)碼在各附圖以及說明出現(xiàn)。

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光元件1截面結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，發(fā)光元件1具有一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5，以一導(dǎo)電接合層46’接合固定在一支持基板10上。發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5，例如為發(fā)光二極管疊層結(jié)構(gòu)或激光疊層結(jié)構(gòu)，包含一半導(dǎo)體疊層20，包含一第一半導(dǎo)體層22、一第二半導(dǎo)體層26以及一活性層24位于第一半導(dǎo)體層22與一第二半導(dǎo)體層26之間。第一半導(dǎo)體層22及第二半導(dǎo)體層26例如為可提供載流子的包覆層(cladding layer)或可局限載流子的限制層(confinement layer)，使電子、空穴于活性層24中結(jié)合以發(fā)光。第一半導(dǎo)體層22、活性層24、及第二半導(dǎo)體層26的材料包含一種以上的元素，此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構(gòu)成的半導(dǎo)體化合物，例如Al_xIn_yGa_(1-x-y)N或Al_xIn_yGa_(1-x-y)P，其中0≦x,y≦1；(x+y)≦1。依據(jù)活性層24的材料，半導(dǎo)體疊層20可發(fā)出波長(zhǎng)介于610nm及650nm之間的紅光、波長(zhǎng)介于530nm及570nm之間的綠光、波長(zhǎng)介于450nm及490nm之間的藍(lán)光，或是波長(zhǎng)小于400nm的近紫外光(near UV)或紫外光(UV)，包括波長(zhǎng)介于400nm及315nm之間的UVA，315nm及280nm之間的UVB，以及280nm以下的UVC。活性層24的結(jié)構(gòu)可為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、多重量子阱或量子點(diǎn)。 第一半導(dǎo)體層22與第二半導(dǎo)體層26電性相異，在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層22摻雜p型雜質(zhì)，為p型半導(dǎo)體層，而第二半導(dǎo)體層26摻雜n型雜質(zhì)，為n型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層22的表面具有一電流擴(kuò)散層(圖未示)、一金屬接觸層30以及一選擇性形成的反射層(圖未示)。一第一導(dǎo)電層401位于金屬接觸層30的表面，電連接第一半導(dǎo)體層22，并于垂直方向延伸至支持基板10。在半導(dǎo)體疊層20中具有多個(gè)通孔38，通孔38通過移除第一半導(dǎo)體層22與活性層24所形成，并使部分第二半導(dǎo)體層26暴露出來，多個(gè)第二導(dǎo)電層402設(shè)置于多個(gè)通孔38中，與通孔38底部所暴露出的第二半導(dǎo)體層26連接。通孔38及第二導(dǎo)電層402的數(shù)量與設(shè)置可依注入電流大小及電流分散目的而有不同設(shè)計(jì)方式。第二半導(dǎo)體層26相對(duì)于活性層24的表面可選擇性地形成一粗化結(jié)構(gòu)52，用以降低全反射以增進(jìn)出光效益。第一導(dǎo)電層401與第二導(dǎo)電層402優(yōu)選為金屬材料，包含但不限于金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)、上述材料的合金或其疊層組合。金屬接觸層30上具有絕緣層60，絕緣層60延伸并覆蓋多個(gè)通孔38內(nèi)的半導(dǎo)體疊層20側(cè)壁以及部分的通孔底部，并設(shè)置于第一導(dǎo)電層401和第二導(dǎo)電層402之間，以確保第一導(dǎo)電層401和第二導(dǎo)電層402間的絕緣性。

支持基板10具有一第一表面101以及一相對(duì)于第一表面101的第二表面102。支持基板10中具有一環(huán)狀開口120，由第一表面101延伸至第二表面102，環(huán)狀開口是指此開口由第一表面101或第二表面102俯視為一環(huán)狀。環(huán)狀可以是圓環(huán)或是其他形狀的環(huán)狀，例如方型環(huán)狀。由環(huán)狀開口120包圍的為支持基板10的一部分，由支持基板10的第一表面101或第二表面102向下蝕刻出環(huán)狀開口，保留環(huán)狀開孔120中間的支持基板10。環(huán)狀開口120內(nèi)填充了絕緣材料36，當(dāng)支持基板10為導(dǎo)電材料時(shí)，環(huán)狀開口120包圍的支持基板10可形成一導(dǎo)電通道100，而絕緣材料36可使導(dǎo)電通道100與支持基板10之間達(dá)到電性絕緣。支持基板10的導(dǎo)電材料包含但不限于磷化鎵(GaP)、硅(Si)、鉬(Mo)、銅(Cu)、其他金屬材料、金屬合金或金屬基印刷電路板(Metal Core PCB；MCPCB)。在支持基板10的第一表面101具有導(dǎo)電接合層46’，用以接合發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5，并使發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的第一導(dǎo)電層401、第二導(dǎo)電層402分別與導(dǎo)電通道100、支持基板10電連接。導(dǎo)電接合層46’優(yōu)選為金屬材料，包含但不限于銅、金、錫、其他金屬或金屬合金材料。支 持基板10的第二表面102設(shè)有第一電極墊18a與第二電極墊18b，用以與外部電源及/或電路元件進(jìn)行電連接，也可具有散熱功能。第一電極墊18a設(shè)置于導(dǎo)電通道100的第二表面102上，第二電極墊18b設(shè)置于環(huán)狀開口120以外的第二表面102上。當(dāng)支持基板10為導(dǎo)電材料且對(duì)發(fā)光元件1施以外部電壓時(shí)，位于第二表面102的第一電極墊18a可經(jīng)由導(dǎo)電通道100、第一導(dǎo)電層401以及金屬接觸層30與第一半導(dǎo)體層22形成導(dǎo)通；同樣地，第二電極墊18b可經(jīng)由支持基板10、導(dǎo)電接合層46’以及多個(gè)第二導(dǎo)電層402與第二半導(dǎo)體層26形成導(dǎo)通。環(huán)狀開口120中的絕緣材料36可確保第一電極墊18a與第二電極墊18b之間的電性絕緣。發(fā)光元件1另具有保護(hù)層50，覆蓋第二半導(dǎo)體層26表面及發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的側(cè)壁，可保護(hù)半導(dǎo)體疊層20以及發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5。

在本實(shí)施例中，通過多個(gè)通孔38及多個(gè)第二導(dǎo)電層402的設(shè)置，可使電流均勻分散；由于電極墊18a、18b都設(shè)置于支持基板10的第二表面102，除了使電極墊18a、18b與外部電子元件的接合制作工藝更加簡(jiǎn)便外，也有助于發(fā)光元件1的散熱。發(fā)光元件1的出光面(即第二半導(dǎo)體層26相對(duì)于支持基板10的表面)無任何電極結(jié)構(gòu)遮蔽，可增進(jìn)發(fā)光元件1的整體發(fā)光效率。

圖2A至圖2C、圖3A至圖3C以及圖4A至圖4D為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造方法。圖2A至圖2C為其中發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的制造方法。如圖2A所示，在一成長(zhǎng)基板14上以外延制作工藝形成一半導(dǎo)體疊層20，依序包含一第二半導(dǎo)體層26、一活性層24以及一第一半導(dǎo)體層22，也可在形成第二導(dǎo)體層26前形成一緩沖層(圖未示)于成長(zhǎng)基板14，用以降低后續(xù)外延制作工藝所形成的晶格缺陷。成長(zhǎng)基板14的材料包含但不限于藍(lán)寶石(sapphire)、氧化鎂鋁(MgAl₂O₄)、鋁酸鋰(LiAlO₂)、鎵酸鋰(LiGaO₂)、氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化鎂(MgO)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)或硅(Si)等。此外，成長(zhǎng)基板14欲進(jìn)行外延的表面可另具有圖案化結(jié)構(gòu)。接著，在第一半導(dǎo)體層22的表面進(jìn)行蝕刻，以移除部分的第一半導(dǎo)體層22及活性層24，暴露出第二半導(dǎo)體層26并形成多個(gè)通孔38。接下來，如圖2B所示，在第一半導(dǎo)體層22的表面形成電流擴(kuò)散層(圖未示)、金屬接觸層30及/或選擇性地形成反射層(圖未示)后，在金屬接觸層30上方以及多個(gè)通孔38的側(cè)壁形成絕緣層601。絕緣層601覆蓋多個(gè)通孔38中的半導(dǎo)體疊層20的側(cè)壁、通孔38內(nèi)的部分底部以及金屬接觸層30。部分的金屬接觸層30上方未被絕 緣層601覆蓋，形成開口32。接著，在開口32的正上方、多個(gè)通孔38內(nèi)以及絕緣層601上方以金屬鍍膜制作工藝形成一金屬層40’。接著，如圖2C所示，以黃光制作工藝移除開口32正上方以外的金屬層40’，形成導(dǎo)電層401、第二導(dǎo)電層402以及金屬導(dǎo)電層40。接著，如圖2D所示，在第一導(dǎo)電層401與第二導(dǎo)電層402之間再形成絕緣層構(gòu)成絕緣層602。金屬導(dǎo)電層40在后續(xù)制作工藝中將作為接合層使用，開口32中及其上方區(qū)域的金屬層為第一導(dǎo)電層401，多個(gè)通孔38內(nèi)的金屬層為第二導(dǎo)電層402。本實(shí)施例的制造方法中，第一導(dǎo)電層401、第二導(dǎo)電層402與金屬導(dǎo)電層40為同樣材料，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。例如，在另一實(shí)施例中，也可使用一金屬材料在開口32以及多個(gè)通孔38中形成第一導(dǎo)電層401及第二導(dǎo)電層402，此金屬材料可與第二半導(dǎo)體層26形成歐姆接觸，之后在第一導(dǎo)電層401、第二導(dǎo)電層402以及絕緣層601上方以另一金屬材料形成金屬導(dǎo)電層40。金屬導(dǎo)電層40在后續(xù)制作工藝中將作為接合層使用，因此材料可選擇與第一/第二導(dǎo)電層不同的金屬，包含但不限于金、其他金屬疊層或其它合金。

圖3A至圖3C為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例中支持基板10的制造方法。如圖3A所示，在一支持基板10的第一表面101以蝕刻制作工藝形成深度約200μm的環(huán)狀封閉溝槽120a，亦即，此溝槽由支持基板10的第一表面101俯視為一封閉環(huán)狀，此環(huán)狀可以是一圓環(huán)或其他形狀的環(huán)狀，且環(huán)狀封閉構(gòu)槽120a中間的支持基板10保留著未被蝕刻掉的支持基板10，在后續(xù)制作工藝中將用以形成導(dǎo)電通道100。接著，如圖3B所示，在第一表面101上及環(huán)狀封閉溝槽120a中形成絕緣材料36，使絕緣材料36填充至環(huán)狀封閉溝槽120a內(nèi)。在本實(shí)施例中，可利用旋轉(zhuǎn)涂布的方式在第一表面101上以及環(huán)狀封閉溝槽120a內(nèi)形成絕緣材料36。絕緣材料3036可為聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氮化硅(SiN_x)、旋涂玻璃(SOG)、四乙氧基硅烷(TEOS)、氟化鎂(MgF₂)或上述材料的組合。接著，如圖3C所示，保留環(huán)狀封閉溝槽120a對(duì)應(yīng)位置上的絕緣材料36，移除環(huán)狀封閉溝槽120a的環(huán)形之內(nèi)以及之外的絕緣材料36，并在移除絕緣材料36 后的支持基板10的第一表面101上形成一金屬接合層46。若沒有保留部分的支持基板10，而是在支持基板中形成圓形開口，并在圓形開口內(nèi)填入絕緣材料，此結(jié)構(gòu)在圓形開口中填充膠材時(shí)易產(chǎn)生氣泡，使得制作工藝難度增加，且若圓形開孔過大會(huì)有支撐性不足的問題。相較于上述作法，本實(shí)施例保留部分支持基板100以形成環(huán)狀封閉溝槽120a，環(huán)狀封閉溝槽120a的寬度比圓形開孔來得小，通過旋轉(zhuǎn)涂布在較窄的環(huán)狀溝槽120a內(nèi)填入絕緣材料，可達(dá)到優(yōu)選的覆蓋性，以避免在通孔內(nèi)形成絕緣材料時(shí)所產(chǎn)生的氣泡，而造成絕緣性不佳等問題。

圖4A至圖4D為依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例中，將發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5與支持基板10接合以形成發(fā)光元件1的制造方法。如圖4A所示，將發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5倒置，使其表面的金屬導(dǎo)電層40與第一導(dǎo)電層401作為接合層，并與支持基板10上的金屬接合層46作接合，在本實(shí)施例中，可采用晶片接合(Wafer Bonding)方式，例如為金屬-金屬接合(Metal-Metal Bonding)。在接合制作工藝中，需將第一導(dǎo)電層401與環(huán)狀封閉溝槽120a中的支持基板10對(duì)位，以達(dá)到電性導(dǎo)通。圖4B為本步驟中支持基板10與發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的對(duì)應(yīng)接合面的平面圖。接合后，絕緣層602與絕緣層36接觸，金屬導(dǎo)電層40與金屬接合層46接合形成導(dǎo)電接合層46’。接著，如圖4C所示，移除成長(zhǎng)基板14，例如利用激光剝離(Laser Lift-Off)制作工藝。接著，如圖4D所示，將半導(dǎo)體疊層20分離成多個(gè)發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5，此外，也可選擇性地在發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5相對(duì)于支持基板10的表面形成粗化結(jié)構(gòu)52，以及在發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的表面及側(cè)壁形成保護(hù)層50。接著，將支持基板10由相對(duì)于接合面的第二表面102’進(jìn)行薄化，例如采用研磨方式，使支持基板10的第二表面102’減薄至暴露出環(huán)狀封閉溝槽120a，以形成一第三表面102，暴露出的環(huán)狀封閉溝槽120a即形成了環(huán)狀開口120。并在導(dǎo)電通道100的第三表面102形成第一電極墊18a，以及在環(huán)狀封閉溝槽開口120外的支持基板10的第三表面102形成第二電極墊18b。最后，利用激光或鉆石刀等其他方式將各發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5所對(duì)應(yīng)的支持基板10切割開，以形成多個(gè)如圖1所示的發(fā)光元件1。在本實(shí)施例的制造方法中，也可選擇性地在發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的表面形成波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(圖未示)，例如為熒光粉或量子點(diǎn)材料。

在本實(shí)施例與其制作方法中，利用蝕刻出環(huán)狀封閉溝槽120a并保留中間支持基板10來形成導(dǎo)電通道100，無需額外填入金屬層作為導(dǎo)電通道，因 此簡(jiǎn)化了制作工藝。此外，在環(huán)狀封閉溝槽120a填入絕緣材料36，可增加絕緣材料的覆蓋性，確保導(dǎo)電通道100與支持基板10間的絕緣性。以導(dǎo)電材料作為支持基板，發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的電流可通過導(dǎo)電接合層46’、支持基板10以及導(dǎo)電通道100傳導(dǎo)至第一/第二電極墊18a/18b，與外部元件或電源作連結(jié)，發(fā)光元件1的出光面無任何電極遮蔽。電流在半導(dǎo)體疊層內(nèi)的散布，可通過多個(gè)通孔38及多個(gè)第二導(dǎo)電層402的設(shè)置來達(dá)成，因此降低發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)5的順向偏壓(forward voltage；Vf)，發(fā)光效率進(jìn)而提升。

圖5A為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光元件2的上視圖，圖5B及圖5C分別為沿AA’截面及BB’截面的結(jié)構(gòu)圖，上視是指由發(fā)光元件2的出光面觀之。如圖5A～圖5C所示，發(fā)光元件2具有一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)6，以一導(dǎo)電接合層46’接合固定在一支持基板10上。支持基板10為導(dǎo)電材料，具有一填有絕緣材料36的環(huán)狀開口120，以及位于環(huán)狀開口120中的導(dǎo)電通道100，導(dǎo)電通道100的第二表面102與環(huán)狀開口120外的支持基板10第二表面分別設(shè)有第二電極墊18b與第一電極墊18a。支持基板10的結(jié)構(gòu)與制作方法與本發(fā)明第一實(shí)施例相同，因此不再贅述。發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)6包含一半導(dǎo)體疊20，其中具有一暴露區(qū)308，暴露區(qū)308由移除部分第一半導(dǎo)體層22與活性層24，而暴露出部分第二半導(dǎo)體層26所形成。電極延伸層403設(shè)置于暴露區(qū)308內(nèi)的第二半導(dǎo)體層26上，絕緣層603填入暴露區(qū)308內(nèi)并覆蓋電極延伸層403與暴露區(qū)308內(nèi)的半導(dǎo)體疊層20側(cè)壁。通孔38位于暴露區(qū)308內(nèi)，在垂直方向上穿過絕緣層603并連通至電極延伸層403。與第一實(shí)施例相同，通孔38內(nèi)設(shè)有第二導(dǎo)電層402，與電極延伸層403相連接并可達(dá)到電性導(dǎo)通。通孔38內(nèi)的第二導(dǎo)電層402在垂直方向上延伸并連接至導(dǎo)電通道100，與第二電極墊18b電連接。第一半導(dǎo)體層22上同樣具有一電流擴(kuò)散層(圖未示)、一金屬接觸層30以及一反射層(圖未示)。導(dǎo)電接合層46’設(shè)置于金屬接觸層30上，與支持基板10接合。電流可由第一電極墊18a，經(jīng)過支持基板10與導(dǎo)電接合層46’傳遞至第一半導(dǎo)體層22，并通過電極延伸層403在半導(dǎo)體疊層20內(nèi)均勻分散，再由第二半導(dǎo)體層26經(jīng)過第二導(dǎo)電層402與導(dǎo)電通道100傳遞至第二電極墊18b。因此暴露區(qū)308及電極延伸層403的形狀與配置、通孔38與第二導(dǎo)電層402的設(shè)置，可依電流大小及分散目的有不同設(shè)計(jì)方式。發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)6與支持基板10的接合方法與第一實(shí)施例相同，因此不再贅述。

圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光元件3的截面結(jié)構(gòu)圖。如圖6所示，發(fā)光元件3具有一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)7，以一導(dǎo)電接合層46’接合固定在一支持基板12上。本實(shí)施例的發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)7的結(jié)構(gòu)與制作方法跟第一實(shí)施例相同，因此不再贅述。在本實(shí)施例中，支持基板12為非導(dǎo)電材料，包含但不限于氮化鋁(AlN)、鉆石、藍(lán)寶石(sapphire)、玻璃、陶瓷以及高分子復(fù)合材料(polymer matrix composite,PMC)等。支持基板12具有第一表面101與相對(duì)于第一表面101的第二表面102，一第一導(dǎo)電通道200與一第二導(dǎo)電通道300位于支持基板中，由第一表面101延伸至第二表面102并貫穿支持基板12。第一/第二導(dǎo)電通道200/300由在支持基板中12形成開口，并填入導(dǎo)電材料(例如金屬)所形成。導(dǎo)電接合層46’形成于發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)7與支持基板12之間，連接并覆蓋第二導(dǎo)電通道300，用以與發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)7接合，同樣地，如同在第一實(shí)施例的制作方法中所述，在接合時(shí)需將第一導(dǎo)電層401與第一導(dǎo)電通道200對(duì)位。第一電極墊18a及第二電極墊18b設(shè)置于第二表面102，分別與第一導(dǎo)電通道200及第二導(dǎo)電通道300連接。第一半導(dǎo)體層22可通過金屬接觸層30、第一導(dǎo)電層401以及第一導(dǎo)電通道200與第一電極墊18a形成電性導(dǎo)通；同樣地，第二半導(dǎo)體層26可通過多個(gè)第二導(dǎo)電層402、導(dǎo)電接合層46’以及第二導(dǎo)電通道300與第二電極墊18b形成電性導(dǎo)通。第一導(dǎo)電通道200與第二導(dǎo)電通道300的數(shù)量不限于單一個(gè)，可依導(dǎo)電或散熱目的設(shè)置多個(gè)。第一電極墊18a與第二電極墊18b的面積與配置，也可因封裝結(jié)構(gòu)、打線制作工藝或散熱目的而有不同設(shè)計(jì)方式，例如第一電極墊18a與第二電極墊18b的面積可為相等或不相等。

圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光元件4的截面圖。如圖7所示，發(fā)光元件4具有一發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)8，以一導(dǎo)電接合層46’接合固定在一支持基板12上。本實(shí)施例的發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)8的結(jié)構(gòu)與制作方法跟第二實(shí)施例相同，而支持基板12為非導(dǎo)電材料，其結(jié)構(gòu)與制作方法跟第三實(shí)施例相同，因此不再贅述。導(dǎo)電接合層46’設(shè)置于金屬接觸層30上，用以接合發(fā)光疊層結(jié)構(gòu)8與支持基板12，第二導(dǎo)電層402與第二導(dǎo)電通道300連接。如此一來，第一半導(dǎo)體層22通過金屬接觸層30、導(dǎo)電接合層46’以及第一導(dǎo)電通道200與第一電極墊18a電連接，第二半導(dǎo)體層26通過第二導(dǎo)電層402以及第二導(dǎo)電通道300與第二電極墊18b電連接。

上述實(shí)施例僅為例示性說明本申請(qǐng)案的原理及其功效，而非用于限制本 申請(qǐng)案。任何本申請(qǐng)案所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者均可在不違背本申請(qǐng)案的技術(shù)原理及精神的情況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本申請(qǐng)案的權(quán)利保護(hù)范圍如附上的權(quán)利要求所列。