1.本發(fā)明涉及一種使用化學(xué)沉積法生產(chǎn)超級儲能器的技術(shù)，它由托(1)、聚合物溶液(2)、極薄聚合物薄膜(3)、化學(xué)沉積金屬的溶液(4)、極薄金屬膜(5)構(gòu)成，其特征在于：化學(xué)沉積金屬的溶液(4)在極薄聚合物薄膜(3)上沉積出極薄金屬膜(5)(納米級或原子級厚度)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)沉積法生產(chǎn)超級儲能器的技術(shù)，其特征在于：涂上稀的聚合物溶液(2)，干燥，制成極薄的聚合物薄膜(3)(納米級或原子級厚度)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)沉積法生產(chǎn)超級儲能器的技術(shù)，其特征在于：用托(1)托著許多層薄膜的儲能片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)沉積法生產(chǎn)超級儲能器的技術(shù)，其特征在于：每層極薄金屬膜(5)頭尾相接，將總頭、總尾焊接上金屬接頭(7)，制成超級儲能片；再把超級儲能片采用橫折疊、縱卷疊，制成容易放(置)存的超級儲能器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)沉積法生產(chǎn)超級儲能器的技術(shù)，其特征在于：涂層式沉積通過控制沉積溶液(4)的總量，從而達(dá)到制造出極薄金屬膜(5)(納米級或原子級厚度)。