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半導(dǎo)體封裝及其制造方法與流程

文檔序號(hào):11836480閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝及其制造方法。所述半導(dǎo)體封裝包含第一裸片、多個(gè)導(dǎo)電墊、封裝本體及多個(gè)第一跡線。所述多個(gè)導(dǎo)電墊電連接到所述第一裸片,且所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的每一者具有下部表面。所述封裝本體囊封所述第一裸片及所述多個(gè)導(dǎo)電墊,且使所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的每一者的所述下部表面從所述封裝本體的下部表面暴露。所述多個(gè)第一跡線安置于所述封裝本體的所述下部表面上,且連接到所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的每一者的所述下部表面。所述多個(gè)第一跡線中的每一者的厚度小于100μm。

技術(shù)研發(fā)人員:博恩·卡爾·艾皮特;凱·斯特凡·艾斯格;陳慈佑;蘇洹漳
受保護(hù)的技術(shù)使用者:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
文檔號(hào)碼:201510145814
技術(shù)研發(fā)日:2015.03.31
技術(shù)公布日:2016.11.23

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