1.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
第一裸片；
電連接到所述第一裸片的多個導(dǎo)電墊，且所述多個導(dǎo)電墊中的每一者具有下部表面；
封裝本體，其囊封所述第一裸片及所述多個導(dǎo)電墊，且使所述多個導(dǎo)電墊中的每一者的所述下部表面從所述封裝本體的下部表面暴露；及
多個第一跡線，其安置于所述封裝本體的所述下部表面上，且連接到所述多個導(dǎo)電墊中的每一者的所述下部表面，其中所述多個第一跡線中的每一者的厚度小于100微米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述多個第一跡線包括至少一個傾斜的側(cè)壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括電連接到所述多個第一跡線的多個焊料球，且所述焊料球覆蓋所述多個第一跡線的所述至少一個傾斜的側(cè)壁。
4.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：
第一裸片；
電連接到所述第一裸片的多個導(dǎo)電墊，且所述多個導(dǎo)電墊中的每一者具有下部表面；
多個第一跡線，其連接到所述多個導(dǎo)電墊中的每一者的所述下部表面；及
封裝本體，其囊封所述第一裸片、所述多個導(dǎo)電墊及所述多個第一跡線，且使所述多個導(dǎo)電跡線中的每一者的所述下部表面從所述封裝本體的下部表面暴露。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括：
形成于所述多個第一跡線及所述封裝本體上的電介質(zhì)層，且通過所述電介質(zhì)層暴露所述多個第一跡線的部分；及
形成于所述電介質(zhì)層上且電連接到所述多個第一跡線的所述暴露部分的多個第二跡線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其進(jìn)一步包括安置于所述第一裸片旁邊且電連接到所述多個第一跡線的第二裸片，其中所述第二裸片電連接到所述第一裸片。
7.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包括：
提供載體；
將金屬箔安置于所述載體上；
在所述金屬箔上形成多個導(dǎo)電墊；
將第一裸片安置于所述金屬箔上，且將所述第一裸片電連接到所述導(dǎo)電墊；
囊封所述第一裸片及所述多個導(dǎo)電墊；
移除所述載體；及
移除所述金屬箔的部分，從而形成多個跡線，其中所述多個跡線連接到所述導(dǎo)電墊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述載體的熱膨脹系數(shù)CTE實質(zhì)上等于所述金屬箔的CTE。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述多個跡線為第一多個跡線，所述方法進(jìn)一步包括在所述第一裸片的所述囊封之前形成第二多個跡線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述多個跡線的所述形成之前在囊封材料上形成電介質(zhì)層。