技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有：半導(dǎo)體襯底，其由GaAs形成；密接層，其在該半導(dǎo)體襯底之上由Pd或者包含Pd的合金而形成；阻擋層，其在該密接層之上由Co或者包含Co的合金而形成；以及金屬層，其在該阻擋層之上由Cu、Ag、或者Au而形成。

技術(shù)研發(fā)人員：西澤弘一郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201480077591
技術(shù)研發(fā)日：2014.09.17
技術(shù)公布日：2016.11.16