1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
半導(dǎo)體襯底，其由GaAs形成；
密接層，其在所述半導(dǎo)體襯底之上由Pd或者包含Pd的合金而形成；
阻擋層，其在所述密接層之上由Co或者包含Co的合金而形成；以及
金屬層，其在所述阻擋層之上由Cu、Ag、或者Au而形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述密接層是局部由Pd-Ga-As形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述密接層是整體由Pd-Ga-As形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在所述密接層與所述阻擋層之間具有包含Co和Pd的合金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述密接層的層厚大于或等于1nm而小于或等于30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述密接層由Pd-P形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述阻擋層由Co-P或者Co-W-P而形成。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
在由GaAs形成的半導(dǎo)體襯底之上利用Pd或者包含Pd的合金而形成密接層的工序；
在所述密接層之上由Co或者包含Co的合金而形成阻擋層的工序；以及
熱處理工序，使所述半導(dǎo)體襯底、所述密接層以及所述阻擋層升溫至25℃～250℃，在所述密接層形成Pd-Ga-As，在所述密接層與所述阻擋層之間形成包含Co和Pd的合金層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述熱處理工序之前，具有在所述阻擋層之上由Cu、Ag、或者Au而形成金屬層的工序。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
在由GaAs形成的半導(dǎo)體襯底之上利用Pd或者包含Pd的合金而形成密接層的工序；
對(duì)所述半導(dǎo)體襯底實(shí)施無(wú)電解鍍敷，在所述密接層之上由Co-P或者Co-W-P而形成阻擋層的工序；以及
在所述阻擋層之上由Cu、Ag、或者Au而形成金屬層的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述金屬層為在下層具有Au、在上層具有Cu的2層構(gòu)造。