陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，本發(fā)明的陣列基板的制備方法，其包括如下步驟：在基底上方，依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜；通過構(gòu)圖工藝形成包括源漏金屬圖案的圖形；通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極，以及位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)的圖形。本發(fā)明的陣列基板是通過上述制備方法制備的。本發(fā)明的顯示裝置包括該陣列基板。
【專利說明】 陣列基板及其制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示畫質(zhì)的需求日益增長，高畫質(zhì)、高分辨率的平板顯示裝置的需求越來越普遍，也越來越得到顯示面板廠家的重視。
[0003]陣列基板是顯示裝置的重要組成部分，通常陣列基板上包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極等部分。在陣列基板的制備是采用構(gòu)圖工藝形成陣列基板上的各元件的。而構(gòu)圖工藝通常包括:曝光、顯影、刻蝕、剝離。其中，刻蝕工藝又包括濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕通常是實現(xiàn)金屬薄膜的圖案化的，干法刻蝕通常是用于金屬薄膜的圖案化的。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中提供一種陣列基板的制備方法，其包括:依次在基底上形成柵極1、柵極絕緣層、有源層2、像素電極3、源極4-1和漏極4-2，通常在形成柵極I的同時會形成柵線10，在形成源極4-1和漏極4-2的同時會形成數(shù)據(jù)線40。
[0005]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:在形成源極4-1、漏極4-2和數(shù)據(jù)線40之前基底上已經(jīng)形成柵極1、有源層2和像素電極3等圖案，故導(dǎo)致所形成的源漏金屬薄膜的表面不平滑，存在段差，因此很容易導(dǎo)致在通過濕法刻蝕形成源極4-1、漏極4-2以及數(shù)據(jù)線40等圖案發(fā)生斷裂，造成陣列基板不良。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板的制備方法中存在的上述問題，提供一種可以防止源漏金屬圖案斷裂導(dǎo)致陣列基板不良的陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示裝置。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，其包括如下步驟:
[0008]在基底上方，依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜；
[0009]通過構(gòu)圖工藝形成包括源漏金屬圖案的圖形；
[0010]通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極，以及位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)的圖形。
[0011]在濕法刻蝕形成源漏金屬圖案時，源漏金屬圖案由于工藝因素很容易造成斷裂，而修復(fù)結(jié)構(gòu)位于源漏金屬圖案下方是用于修復(fù)斷裂位置的。而在本發(fā)明中在形成像素電極的同時形成了位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)，在形成該修復(fù)結(jié)構(gòu)時，源漏金屬圖案已經(jīng)形成，也就是說此時源漏金屬圖案相當于修復(fù)結(jié)構(gòu)的掩膜板。此時所形成的源漏金屬圖案對位較為精確，該方法的適用性更強。
[0012]優(yōu)選的是，所述源漏金屬圖案至少包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線。
[0013]優(yōu)選的是，在形成所述源漏金屬圖案之前還包括:
[0014]在基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵金屬圖案的圖形；
[0015]在完成上述步驟的基底上，形成柵絕緣層；
[0016]在完成上述步驟的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形。
[0017]進一步優(yōu)選的是，在形成所述有源層的同時還形成有覆蓋在有源層上的歐姆接觸圖案。
[0018]進一步優(yōu)選的是，所在形成所述像素電極和修復(fù)結(jié)構(gòu)之后還包括:
[0019]通過干法刻蝕，去除所述有源層溝道區(qū)的歐姆接觸圖案，以形成歐姆接觸層。
[0020]更進一步優(yōu)選的是，在所述歐姆接觸層之后還包括:
[0021 ] 在基底上形成平坦化層；
[0022]在完成上述步驟的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。
[0023]進一步優(yōu)選的是，所述柵金屬圖案包括至少包括柵極、柵線以及柵金屬連接線。
[0024]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，該陣列基板是由上述制備方法制備的。
[0025]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的實施例1的陣列基板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]其中附圖標記為:1、柵極；10、柵線；2、有源層；3、像素電極；4_1、源極；4_2、漏極；40、數(shù)據(jù)線；5、修復(fù)結(jié)構(gòu)。

【具體實施方式】
[0029]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0030]一種陣列基板的制備方法，其包括如下步驟:
[0031]在基底上方，依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜；
[0032]通過構(gòu)圖工藝形成包括源漏金屬圖案的圖形；
[0033]通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極，以及位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)的圖形。
[0034]在形成像素電極的同時形成了位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)，在形成該修復(fù)結(jié)構(gòu)時，源漏金屬圖案已經(jīng)形成，也就是說此時源漏金屬圖案相當于修復(fù)結(jié)構(gòu)的掩膜板。此時所形成的源漏金屬圖案對位較為精確，該方法的適用性更強。。
[0035]其中，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0036]實施例1:
[0037]如圖2所示，本實施例提供一種陣列基板的制備方法具體包括如下步驟:
[0038]步驟一、在基底上形成柵金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括柵極1、柵線10以及柵金屬連接線的圖形。
[0039]在該步驟中，基底采用透明材料制成、且經(jīng)過預(yù)先清洗。具體的，首先，在基底上采用派射方式、熱蒸發(fā)方式、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n:簡稱 PECVD)方式、低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical VaporDeposit1n:簡稱 LPCVD)方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric Pressure ChemicalVapor Deposit1n:簡稱APCVD)方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積(Electron CyclotronResonance Chemical Vapor Deposit1n:簡稱 ECR-CVD)方式形成柵金屬薄膜。
[0040]然后，通過第一次構(gòu)圖工藝(成膜、曝光、顯影、濕法刻蝕或干法刻蝕)，形成包括柵極1、柵線10以及柵金屬連接線的圖形，其中，柵金屬薄膜采用金屬、金屬合金，如:鑰、鑰鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅等材料形成。
[0041]步驟二、采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積方式或濺射方式在完成上述步驟的基底上形成柵絕緣層。
[0042]步驟三、在完成上述步驟的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層2的圖形。
[0043]在該步驟中，具體的，首先，通過沉積方式在柵絕緣層上依次形成非晶硅(a-Si)薄膜和n+非晶硅(n+a-Si)薄膜，沉積方式包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式。
[0044]采用通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括有源層2的圖形和歐姆接觸圖案，即在η+非晶硅(n+a-Si)薄膜上形成一層光刻膠，對光刻膠進行曝光和顯影，然后對非晶硅(a-Si)薄膜和η+非晶硅(n+a-Si)薄膜進行干法刻蝕，以形成包括有源層2的圖形和歐姆接觸層。
[0045]步驟四、采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積方式或濺射方式在完成上述步驟的基底上，依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝(曝光、顯影、濕法刻蝕)形成源極4-1、漏極4-2以及數(shù)據(jù)線40的圖形；然后，再通過一次工藝(曝光、顯影、濕法刻蝕)形成像素電極3，以及位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)5的圖形；最后，對位于源極4-1和漏極4-2之間的有源層2的溝道位置的歐姆接觸圖案進行干法刻蝕，得到歐姆接觸層。
[0046]步驟五、采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積方式或濺射方式在完成上述步驟的基底上形成平坦化層。
[0047]步驟六、采用濺射方式、熱蒸發(fā)方式、等離子體增強化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積方式在完成上述步驟的基底上形成第二透明導(dǎo)電薄膜，并通過工藝(曝光、顯影、濕法刻蝕)形成包括公共電極的圖形。
[0048]至此陣列基板制備完成，在濕法刻蝕形成源漏金屬圖案時，源漏金屬圖案由于工藝因素很容易造成斷裂，而修復(fù)結(jié)構(gòu)5位于源漏金屬圖案下方是用于修復(fù)斷裂位置的。而在本實施例中在形成像素電極3的同時形成了位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)5，在形成該修復(fù)結(jié)構(gòu)5時，源漏金屬圖案已經(jīng)形成，也就是說此時源漏金屬圖案相當于修復(fù)結(jié)構(gòu)5的掩膜板。此時所形成的源漏金屬圖案對位較為精確，該方法的適用性強。
[0049]相應(yīng)的本實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板是通過上述制備方法制備的。
[0050]實施例2:
[0051]本實施例提供一種顯示裝置，包括實施例1中的陣列基板。
[0052]其中，顯示裝置可以為液晶顯示裝置或者電致發(fā)光顯示裝置，例如液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0053]本實施例中的顯示裝置具有較好的顯示質(zhì)量。
[0054]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基底上方，依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜； 通過構(gòu)圖工藝形成包括源漏金屬圖案的圖形； 通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極，以及位于源漏金屬圖案下方的修復(fù)結(jié)構(gòu)的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述源漏金屬圖案至少包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成所述源漏金屬圖案之前還包括: 在基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵金屬圖案的圖形； 在完成上述步驟的基底上，形成柵絕緣層； 在完成上述步驟的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成所述有源層的同時還形成有覆蓋在有源層上的歐姆接觸圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成所述像素電極和修復(fù)結(jié)構(gòu)之后還包括: 通過干法刻蝕，去除所述有源層溝道區(qū)的歐姆接觸圖案，以形成歐姆接觸層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述歐姆接觸層之后還包括: 在基底上形成平坦化層； 在完成上述步驟的基底上，通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述柵金屬圖案包括至少包括柵極、柵線以及柵金屬連接線。
8.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是通過權(quán)利要求1至7中任意一項所述的制備方法制備的。
9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/82GK104282624SQ201410601808
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】劉沖, 趙海生, 馬海濤, 肖紅璽, 彭志龍, 劉還平 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司