薄膜晶體管的制備方法和陣列基板的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管的制備方法和陣列基板的制備方法，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機分辨率的限制，提高陣列基板的開口率。上述薄膜晶體管的制備方法中：該薄膜晶體管中的第一電極層和第二電極層的制備步驟包括：在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；在第二金屬層上涂覆光刻膠形成第二光刻膠層；對第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；對第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及第二電極層與第一電極層之間的溝道；剝離剩余的第二光刻膠層。
【專利說明】
薄膜晶體管的制備方法和陣列基板的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種薄膜晶體管的制備方法和陣列基板的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中，薄膜晶體管液晶顯示器(他化 1111X1-8118181:01- 11^111(1 0781^1 018^187,是液晶顯不器的主流產(chǎn)品。
[0003]液晶顯示器主要包括:陣列基板和彩膜基板，以及設(shè)置于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層。而液晶顯示器中的陣列基板主要包括:柵極線、數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管，其中薄膜晶體管主要包括:襯底基板、源極和漏極，在結(jié)構(gòu)上，形成的源極和漏極之間存在溝槽。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，在制備薄膜晶體管的源極、漏極時，一般是將源極和漏極由一次掩模板曝光工藝形成，受曝光機分辨率的影響，源極和漏極之間的溝道不能做的太窄，這就會限制陣列基板的開口率，影響顯示面板的顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制備方法和陣列基板的制備方法，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機分辨率的限制，提高陣列基板的開口率。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制備方法，該薄膜晶體管中的第一電極層和第二電極層的制備步驟包括:
[0008]在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；
[0009]在所述第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；
[0010]采用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層；
[0011]在所述襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；
[0012]在所述第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層；
[0013]對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；
[0014]對所述第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及所述第二電極層與所述第一電極層之間的溝道；
[0015]剝離剩余的所述第二光刻膠層。
[0016]本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法，將薄膜晶體管的源極和漏極分兩次工藝制備，即采用兩個掩模板經(jīng)兩次光刻工藝形成，源極和漏極之間的溝道通過刻蝕工藝形成，使得薄膜晶體管的源極和漏極之間的溝道不再受曝光機的分辨率限制，可以將溝道做的窄些。
[0017]所以，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機分辨率的限制，提高陣列基板的開口率。
[0018]在一些可選的實施方式中，在所述步驟:采用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層和所述步驟:在所述襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層之間還包括:形成只覆蓋在所述第一電極層上的保護層。保護層的設(shè)置有助于第二電極形成后，保證第一電極層的完整形成。
[0019]在一些可選的實施方式中，所述形成只覆蓋在所述第一電極層上的保護層具體包括:
[0020]在所述襯底基板上形成刻蝕阻擋層；
[0021]在所述刻蝕阻擋層上涂覆光刻膠，形成第三光刻膠層；
[0022]對所述第三光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在所述第一電極層區(qū)域以外的第三光刻膠層；
[0023]對所述刻蝕阻擋層進行刻蝕，形成所述保護層；
[0024]剝離剩余的所述第三光刻膠層。
[0025]在一些可選的實施方式中，在所述步驟:剝離剩余的所述第二光刻膠層之后還包括:
[0026]刻蝕去除所述保護層。
[0027]在一些可選的實施方式中，所述米用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層具體包括:
[0028]對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第一電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第一光刻膠層；
[0029]對所述第一金屬層進行刻蝕，形成所述第一電極層；
[0030]剝離剩余的所述第一光刻膠層。
[0031]在一些可選的實施方式中，所述第一電極層為源極層，所述第二電極層為漏極層。
[0032]在一些可選的實施方式中，所述第一電極層為漏極層，所述第二電極層為源極層。
[0033]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，包括上述任一項所述的薄膜晶體管的制備方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的一種制備方法流程圖；
[0035]圖2為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的另一種制備方法流程圖。

【具體實施方式】
[0036]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明專利保護的范圍。
[0037]現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管一般有兩種結(jié)構(gòu)，一種是頂柵極、一種是底柵極，底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在制備時，一般包括如下幾個步驟:在襯底基板上形成柵極層；在柵極層上形成絕緣層；在絕緣層上形成有源層；在有源層上形成源極和漏極。而頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在制備時，一般包括如下幾個步驟:在襯底基板上形成源極和漏極；在源極和漏極上形成有源層；在有源層上形成絕緣層；在絕緣層上形成柵極層。
[0038]但無論是頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管還是底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在形成源極和漏極時，均采用一次掩模板曝光工藝形成，受曝光機分辨率的影響，源極和漏極之間的溝道不能做的太窄，這就會減小陣列基板的開口率，影響顯示面板的顯示效果，本發(fā)明實施提供了一種薄膜晶體管的制備方法，將薄膜晶體管的源極和漏極分兩次工藝制備，即采用兩個掩模板經(jīng)兩次光刻工藝形成，源極和漏極之間的溝道通過刻蝕工藝形成，使得薄膜晶體管的源極和漏極之間的溝道不再受曝光機的分辨率限制，可以將溝道做的窄些。
[0039]實施例一
[0040]如圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的一種制備方法流程圖，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管的制備方法，該薄膜晶體管中的第一電極層和第二電極層的制備步驟包括:
[0041]步驟3101:在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；
[0042]步驟3102:在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；
[0043]步驟3103:采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；
[0044]步驟3104:在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；
[0045]步驟3105:在第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層；
[0046]步驟3106:對第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；
[0047]步驟3107:對第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及第二電極層與第一電極層之間的溝道；
[0048]步驟3108:剝離剩余的第二光刻膠層。
[0049]本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法，將薄膜晶體管的源極和漏極分兩次工藝制備，即采用兩個掩模板經(jīng)兩次光刻工藝形成，源極和漏極之間的溝道通過刻蝕工藝形成，使得薄膜晶體管的源極和漏極之間的溝道不再受曝光機的分辨率限制，可以將溝道做的窄些。
[0050]所以，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機分辨率的限制，提高陣列基板的開口率。
[0051]需要說明的是，第二金屬層是在第一電極層形成后形成在襯底基板上的，也就是說第二金屬層形成后其也覆蓋在第一電極層上，即第一電極層對應的金屬層的厚度為襯底基板其它地方金屬層厚度的近兩倍，在后期刻蝕形成第二電極層以及溝道時，第一電極層對應的金屬厚度與第二電極層對應的金屬層厚度接近相同。
[0052]一種具體的實施方式中，對于底柵極的薄膜晶體管的制備方法包括:
[0053]在襯底基板上形成柵極層；
[0054]在柵極層上形成絕緣層；
[0055]在絕緣層上形成有源層；
[0056]在有源層上沉積金屬形成第一金屬層；
[0057]在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；
[0058]米用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；
[0059]在有源層上沉積金屬形成第二金屬層；
[0060]在第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層；
[0061]對第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；
[0062]對第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及第二電極層與第一電極層之間的溝道；
[0063]剝離剩余的第二光刻膠層。
[0064]另一種具體的實施方式中，對于頂柵極的薄膜晶體管的制備方法包括:
[0065]在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；
[0066]在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；
[0067]米用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；
[0068]在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；
[0069]在第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層；
[0070]對第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；
[0071]對第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及第二電極層與第一電極層之間的溝道；
[0072]剝離剩余的第二光刻膠層；
[0073]在第一電極層和第二電極層上形成有源層；
[0074]在有源層上形成絕緣層；
[0075]在絕緣層上形成柵極層。
[0076]如圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的另一種制備方法流程圖，在步驟3203(3103):采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層和步驟3205 (3105):在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層之間還包括:步驟3204:形成只覆蓋在第一電極層上的保護層。保護層的設(shè)置有助于第二電極形成后，保證第一電極的完整形成。
[0077]即上述薄膜晶體管的制備方法，具體包括:
[0078]步驟3201:在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；
[0079]步驟3202:在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；
[0080]步驟3203:采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；
[0081]步驟3204:形成只覆蓋在第一電極層上的保護層；
[0082]步驟3205:在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；
[0083]步驟3206:在第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層；
[0084]步驟3207:對第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；
[0085]步驟3208:對第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及第二電極層與第一電極層之間的溝道；
[0086]步驟3209:剝離剩余的第二光刻膠層。
[0087]上述步驟3204中形成只覆蓋在第一電極層上的保護層具體包括:
[0088]在形成第一電極層的襯底基板上形成刻蝕阻擋層；
[0089]在刻蝕阻擋層上涂覆光刻膠，形成第三光刻膠層；
[0090]對第三光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第一電極層區(qū)域以外的第三光刻膠層；
[0091]對刻蝕阻擋層進行刻蝕，形成保護層；
[0092]剝離剩余的第三光刻膠層。
[0093]進一步的，步驟3108(步驟3209):剝離剩余的第二光刻膠層之后還包括:
[0094]刻蝕去除保護層。
[0095]進一步的，步驟3103 (步驟3203):采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層具體包括:
[0096]對第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第一電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第一光刻膠層；
[0097]對第一金屬層進行刻蝕，形成第一電極層；
[0098]剝離剩余的第一光刻膠層。
[0099]可選的，上述第一電極層為源極層，第二電極層為漏極層。
[0100]可選的，上述第一電極層為漏極層，上述第二電極層為源極層。也就是說，薄膜晶體管的源極和漏極在分兩次制作時，可以先做源極層，再做漏極層，也可以先做漏極層，再做源極層。
[0101]實施例二
[0102]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括上述實施例一中任一項所述的薄膜晶體管的制備方法。
[0103]由于上述實施例一中的薄膜晶體管的制備方法，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機分辨率的限制，提高陣列基板的開口率，本發(fā)明實施例提供的陣列基板具有較好的顯示效果。
[0104]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該薄膜晶體管中的第一電極層和第二電極層的制備步驟包括: 在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層； 在所述第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層； 采用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層； 在所述襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層； 在所述第二金屬層上涂覆光刻膠，形成第二光刻膠層； 對所述第二光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層； 對所述第二金屬層進行刻蝕，形成第二電極層以及所述第二電極層與所述第一電極層之間的溝道； 剝離剩余的所述第二光刻膠層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述步驟:采用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層和所述步驟:在所述襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層之間還包括:形成只覆蓋在所述第一電極層上的保護層。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述形成只覆蓋在所述第一電極層上的保護層具體包括: 在所述襯底基板上形成刻蝕阻擋層； 在所述刻蝕阻擋層上涂覆光刻膠，形成第三光刻膠層； 對所述第三光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在所述第一電極層區(qū)域以外的第三光刻膠層； 對所述刻蝕阻擋層進行刻蝕，形成所述保護層； 剝離剩余的所述第三光刻膠層。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟:剝離剩余的所述第二光刻膠層之后還包括: 刻蝕去除所述保護層。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述采用光刻工藝在所述襯底基板上形成第一電極層具體包括: 對所述第一光刻膠層進行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第一電極對應的圖案所在區(qū)域以外的第一光刻膠層； 對所述第一金屬層進行刻蝕，形成所述第一電極層； 剝離剩余的所述第一光刻膠層。
6.如權(quán)利要求1?5任一項所述的薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,所述第一電極層為源極層，所述第二電極層為漏極層。
7.如權(quán)利要求1?5任一項所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一電極層為漏極層，所述第二電極層為源極層。
8.—種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?7任一項所述的薄膜晶體管的制備方法。
【文檔編號】H01L21/027GK104409347SQ201410594803
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】王武, 邱海軍, 尚飛, 王國磊 申請人:重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司